二步法合成低温烧结(Mg,Zn)TiO3介电陶瓷

首先采用固相法合成了(Mg,Zn)2TiO4粉体,然后将钛酸丁酯水解制备出TiO2溶胶,再利用TiO2溶胶对已合成的(Mg,Zn)2TiO4粉体进行包覆。包覆后的粉体经500℃预烧后在1 150℃烧结成瓷,采用XRD、SEM分别做了样品的物相和显微结构分析,测试结果表明:当TiO2/(Mg,Zn)2TiO4为1.1时,合成产物为纯的(Mg,Zn)TiO3相。在1 MHz下测试了样品的介电性能,结果表明:当TiO2/(Mg,Zn)2TiO4为1.1,烧结温度为1 150℃时,陶瓷介电性能最好。     

烧结温度对Bi2(Mg1/3Nb2/3)2O7介电陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法制备了Bi2(Mg1/3Nb2/3)2O7(β-BMN)介电陶瓷,借助X射线衍射(XRD)研究了不同预烧温度合成β-BMN粉体的物相组成,借助扫描电镜(SEM)研究了不同烧结温度β-BMN的显微结构,考察了不同烧结温度和保温时间对β-BMN陶瓷性能的影响.结果表明:合成温度为850℃时已经完全形成主晶相(β-BMN).随着烧结温度的增加,样品的介质损耗(tanδ)先变小后增大,而相对介电常数(εr)先增大后减小.当烧结温度为1000℃保温5h时,得到的陶瓷的综合性能较佳:ρ=7.69g/cm3,εr=207,tanδ=0.00197.     

BaTi4O9介电陶瓷的低温烧结

研究液相多元添加对BaTi4O9介质陶瓷的烧结和介电性能的影响.通过添加(CuO和V2O5)烧结助剂来达到降低烧结温度的效果,并且使其保持较好的高频性能.实验结果表明在添加合适的烧结助剂下,烧结温度为1180℃时,BaTi4O9介电陶瓷在1MHz下的介电性能:ε=41.2,tan δ=5,τ=82 ppm/℃.基本保持了良好的介电性能.     

介电陶瓷材料专利申请的权利要求能否得到说明书支持的判断

介电常数和介电损耗是评判陶瓷材料介电性能的最重要的两个参数,文章从专利申请中介电常数和介电损耗的实验数据出发,探讨了对于涉及介电参数的陶瓷材料的权利要求能否得到说明书支持的判断,并对申请人给出的撰写建议,主要涉及专利法第二十六条第四款关于权利要求能否得到说明书支持的规定。     

晶粒尺寸对Ba0.80Sr0.20TiO3陶瓷介电铁电特性的影响

利用微波烧结技术和传统烧结技术制备了晶粒尺寸在0.8～15μm的Ba0.80Sr0.20TiO3陶瓷，并对样品的介电特性和铁电特性进行了测试，分析了晶粒尺寸对材料介电和铁电性能的影响，实验结果表明，微波烧结技术可以有效地控制Ba0.80Sr0.20TiO3陶瓷的晶粒尺寸，晶粒尺寸降低，材料的介电常数大幅度提高，弥散指数降低，在外电场作用下，材料介电常数呈现明显的非线性效应，晶粒尺寸的大小对非线性效应产生影响，随晶粒尺寸的降低，材料的矫顽电压，剩余极化和自发极化都有所提高。     

低温低压二步法合成甲醇

二步法合成甲醇,其第一步是甲醇羰基化合成甲酸甲酯;第二步是甲酸甲酯氢解合成甲醇。二步法反应的优点是使反应温度和压力降低、选择性提高、产物甲醇不含水,使提纯容易。从而低能耗、高产率地合成甲醇。     

非化学计量比铌酸锌微波介电陶瓷的低温烧结行为

采用固相烧结工艺制备低损耗、非化学计量比Zn_(1.01)Nb_2O_6微波介电陶瓷。研究了添加不同量的Li_2CO_3–B_2O_3–V_2O_5(LBV)对Zn_(1.01)Nb_2O_6陶瓷烧结温度、表面形貌以及微波介电性能的影响。结果表明:LBV作为助烧剂,在陶瓷烧结过程中产生了液相,当添加剂含量大于1.5%(质量分数)时,LBV与基体陶瓷发生了化学反应。液相的产生、副相LiZnNbO_4的形成以及V~(5+)的扩散共同改善了陶瓷的烧结行为,使烧结温度由1 175℃低至950℃。LBV加入到基体陶瓷后对微波介电性能影响较小。当LBV添加量为1.0%,并在950℃保温4 h后,Zn_(1.01)Nb_2O_6陶瓷微波介电性能最优:ε_r=20.6,Q×f=90 472 GHz,τ_f=–85.9×10–6℃~(–1)。     

MgSiO_3掺杂Ba_（0.4）Sr_（0.6）TiO_3陶瓷的介电调谐特性及微波性能（英文）

MgSiO3掺杂 Ba0.4Sr0.6TiO3陶瓷具有 Ba1-xSrxTiO3、（Ba,Sr）2TiSi2O8、Ba4MgTi11O27和 Mg2TiO4多相结构。MgSiO3低掺量（质量分数≤10%）陶瓷样品具有条形晶粒和细晶粒组成的微结构;随着 MgSiO3掺量增加,陶瓷样品形成晶粒细小、均匀的微结构;当 MgS...     

(Bi2-yCay)(Zn1/3 Ta2/3)2O7陶瓷的介电弛豫和介电性能

研究了(Bi2-yCay)(Zn1/3Ta2/3)2O7(0≤y≤1)材料的组成、结构与介电性能.当Ca含量增加时,材料的相结构由单斜焦绿石相转变为立方焦绿石相.样品在20～85℃,1 MHz时的介电常数温度系数由72×10-6/℃逐渐增加到470×10-6/℃,然后降为-100×10-6/℃,样品在微波频率下的品质因数Q值从1 250逐渐降低至40.在-60～160℃,观测到(Bi1.2Ca0.8)(Zn1/3Ta2/3)2O7样品出现介电弛豫现象.随着Ca含量的增加,介电损耗的弛豫峰向高温移动.比较了同为立方结构相的(Bi2-yCay)(Zn1/3Ta2/3)2O7(0.7＜y＜1)和(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5·Ta1.5)O7介电弛豫温区移动的差异并分析了其形成原因.     

(Zn1-xMgx)TiO3微波陶瓷系统介电性能的研究

对 (Zn1-xMgx)TiO3 系统的微观结构和介电性能进行了研究。通过添加一定量的MgO稳定ZnTiO3 六方钛铁矿结构 ,有效抑制了ZnTiO3 分解为Zn2 TiO4 和TiO2 。同时 ,通过调整x值 (x =0 .1～ 0 .4) ,可以获得介电性能优良的微波瓷料。当x=0 .3～ 0 .3 5时 ,在 10 6 0℃烧结 ,其品质因数Q0 >2 0 0 0 0 ( 6 .5GHz) ,谐振频率温度系数τf≈ 2× 10 - 6 /℃ ,介电常数ε =18～ 2 2。通过研究发现热处理可以改变系统微观形貌 ,其品质因数Q0 与热处理温度关系密切 ,当保温时间均为 2h时 ,随着热处理温度的升高 ,Q0 从 2 3 83 3 .93相应升高到 475 84.0 0。     

Ca-B-Si掺杂对Ba（Zn1／3Ta2／3）O3陶瓷介电性能的影响

采用固相烧结法制备了添加烧结助剂Ca–B–Si（CBS）微晶玻璃的Ba（Zn1/3Ta2/3）O3（BZT）陶瓷。研究了CBS添加量对BZT陶瓷烧结温度和微波介电性能的影响。结果表明,CBS起到助溶剂的作用,添加CBS降低了BZT陶瓷的烧结温度,并改善了微波介电性能。添加2%（质量分数）的CBS时,BZT的烧结温度从纯...     

ZST介电陶瓷的研究

本文以高纯度ZrO2、TiO2、SnO2为主要原料,采用固相合成法获得(Zr0.8Sn0.2)TiO4粉体;然后用传统工艺制备(Zr0.8Sn0.2)TiO 4体系陶瓷。同时,研究了NiO添加剂量分别为0.2wt%和0.4wt%时,Zn O不同加入量对(Zr0.8Sn0.2)TiO4体系介电陶瓷性能的影响。XRD结果表明,掺杂ZnO和NiO的(Zr0.8Sn0.2)TiO 4材料,在1180℃保温6 h,可以得到单相的ZrTiO4晶体。随着ZnO含量的增加,陶瓷的致密度提高,介电常数升高,介质损耗降低,而随着ZnO含量的继续增加,陶瓷的介电常数反而下降和介质损耗上升。当NiO的加入量为0.4wt%,Zn O的加入量为0.6wt%时,陶瓷的介电常数最大:εmax=39.185,介质损耗最小:tanδ=1.50×10-4。     

共沉淀法合成Bi掺杂钛酸钡基介电陶瓷的研究

采用化学共沉淀法合成了性能良好的Bi掺杂钛酸钡基介电陶瓷粉料，研究了合成工艺中的几个主要因素，研究了Bi掺杂量对材料性能的影响；利用SEM、XRD分析了材料微观结构，探讨了材料的介电性能与微观结构的关系。     

Dy2O3和La2O3掺杂对BaTiO3铁电陶瓷介电特性的影响

对BaTiO3和BaTiO3-Co2O3系组成进行了Dy2O3和La2O3稀土改性的研究,考察了该系统的介电温度特性和耐电性能,观察了样品的显微结构,讨论了Dy2O3和Dy2O3和La2O3在改变BaTiO3铁电温谱特性的作用,结果表明：Dy2O3和La2O3的掺杂效果存在差异,Dy2O3掺杂明显促进BaTiO3细晶化,而La2O3掺杂呈现出对BaTiO3基介质材料的Curie峰更强的压峰和移峰效应,在BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Dy2O3系统中可获取高介高压特性瓷料,其介电常数≈3000,tgδ＜1．5％,介电温谱符合“X7R”标准,击穿强度可达7－8kV/mm。     

低温烧结(Zn0.65Mg0.35)TiO3-CaTiO3介电陶瓷的研究

本文对(Zn0.65Mg0.35)TiO3-CaTiO3(ZMT-CT)系统的微观结构和介电性能进行了研究.研究结果表明,通过添加一定量H3BO3-ZnO-BaCO3(BZB)玻璃能够促进晶粒生长,有效降低烧结温度.同时,调节(Zn0.65Mg0.35)TiO3和CaTiO3比例可以获得温度系数在零附近的瓷料.当加入6.5wt%BZB时瓷料可以在900℃烧结,ε=21～22,αε＜±30 ppm/℃,tanδ=1.3×10-4(1 MHz),是制备LTCC(低温共烧陶瓷电容器)的优秀候选材料,具有很好的应用前景.