以μPD75308为CPU的复费率电度表

本文介绍了以日本ＮＥＣ公司四位单片机λＰＤ７５０８为ＣＰＵ的复费率电度表的硬件组成及其软件构成。     

复费率电能表的检定

本文对复费率电能表的检定原则、检定内容进行了探讨,并介绍了有关时控元件的检定方法.     

基于PL3200的复费率电能表电路设计

介绍了一种新型复费率电能表设计的基本原理,详细讨论了硬件功能电路的设计方法。该设计采用北京福星晓程公司的多功能芯片PL3200实现控制和电能计量功能。文中重点介绍了该电能表的电源和电能计量模块的工作原理和设计方法。     

单相复费率电能表的原理及功能

本文主要介绍了单相复费率电能表的基本原理和主要功能,并附有单相复费率电子式电能表的原理框图。以黑白表为例加以说明,从而体现出复费率电能表在保证电网安全、经济运行和供电质量上都是十分重要的。     

单相复费率电能表的原理及功能

本文主要介绍了单相复费率电能表的基本原理和主要功能,并附有单相复费率电子式电能表的原理框图。以黑白表为例加以说明,从而体现出复费率电能表在保证电网安全、经济运行和供电质量上都是十分重要的。     

居民用电复费率阶梯电价方案的实现

结合分时电价和阶梯电价的特点,研究了复费率阶梯电价及其计费方法的实现,并提出了对电能表的相应改进要求以满足复费率阶梯电价政策顺利稳定运行的需要.复费率阶梯电价既可引导电力用户节约用电,又可引导电力用户合理用电,在一定程度上优化了电能资源配置,减少了能源浪费.     

频域颤振μ分析的连续性及复摄动方法研究

摘 要：经典的线性颤振分析方法需要求解颤振特征值问题,并需要对特征值进行跟踪排序,以消除在确定颤振临界点时可能出现的颤振模态分支的“窜支”问题,从而影响了颤振分析的效率及自动化程度。为避免此问题,根据现代鲁棒控制理论,提出了一种直接利用频域气动力的μ-ω方法;在气动弹性方程中,引入速压摄动,建立μ分析框架,从而可采用频域μ分析进行颤振临界点预测,无需求解颤振特征值问题。注意到速压摄动量必须为实参数的要求,使得结构奇异值μ可能存在不连续性;针对此问题,对一个二元机翼气动弹性系统,采用定常气动力模型,进行解析分析的结果表明,仅允许实数摄动时,μ不连续性的确存在;但若允许复数摄动,则可以解决该问题;且计算结果表明,本文提出的复摄动μ-ω方法是一种具有很好精度的频域颤振分析方法。     

氨／乙烯为制冷剂的螺杆复叠式低温机组

介绍工业用新型氨／乙烯为制冷剂的螺杆复叠式低温机组。通过对一个深冷项目实例的分析,提供了设计中应注意的要点及解决的方法,并与R22／R23为制冷剂的螺杆复叠式低温机组进行了比较。     

以硝基为端基的香蕉形液晶的合成与性能

合成了4种以间苯二甲酸、间苯二酚为中心,硝基为端基的芳香酯类香蕉形液晶（M1～M4）。利用红外光谱（IR）、核磁共振谱（1HNMR）及元素分析对其分子结构进行了表征,通过差示扫描量热（DSC）、偏光显微分析（POM）、热重分析（TG）对其介晶性能、相行为及热稳定性进行了研究。结果表明,所合成的香蕉形化合物（M1～M4）均有液晶性,呈现树叶、马赛克、扇形、球粒及纹影织构;升、降温时的液晶区间分别为32．9～57．2℃（M1除外）与28．4～96．5℃;随着分子刚性增加,它们的tm、ti、tic值明显提高;该类物质热稳定性良好。5％热失亏温唐均在285℃以上．     

一种以硅为中心的星型液晶的制备与相行为研究

通过液晶基元与SiCl4 直接反应获得一种以硅为中心的星型液晶化合物,产品经柱色谱提纯,并利用红外光谱( IR)、核磁共振(1HNMR)和元素分析(EA)对其进行了结构表征,又利用偏光显微镜(POM)、差式扫描量热( DSC)和广角 X 射线衍射(WAXD)对其液晶相行为进行了研究,确定了其相态及区间为K127N144I142N116K,发现星型液晶的相态取决于液晶基元,也是向列相,其熔点和清亮点均高于液晶基元,同时星型液晶的液晶区间比其液晶基元的区间要宽,表明星型液晶具有优良的液晶性,具有潜在应用价值。     

一种以硅为中心的星型席夫碱液晶化合物的合成与表征

首先以对羟基苯甲醛、对硝基苯胺合成席夫碱化合物,然后将对羟基苯甲酸与氯乙醇通过取代反应合成4-(ω)-羟乙氧基苯甲酸,然后接到甲基三氯硅烷上,最后与席夫碱化合物通过酯化反应合成新的液晶化合物。通过红外光谱对液晶化合物的结构进行表征,利用偏光显微镜和DSC测试目标产物的液晶性能。结果表明:此液晶化合物具有近晶型液晶特性,液晶变化范围为160~245℃,液晶变化范围比较宽,为有机硅功能材料在液晶领域提供了广阔应用前景。     

以R32+R134a/DMF作为工质的自行复叠吸收制冷循环性能分析

建立了自行复叠吸收制冷（ACAR）循环的数学物理模型,以R32＋R1Ma／DMF作为工质,对循环性能进行了分析,得到了制冷剂成分、发生温度、冷凝温度及吸收温度等的变化对系统性能所产生的影响。     

以ET为柔性间隔基的嵌段热致液晶共聚酯的合成及表征

用溶液缩聚法合成了含柔性间隔基的嵌段热致液共聚酯。由于在TCE／Py溶液中共聚酯溶解度较小及溶液中副反应显著,合成的嵌段共聚酯特性粘度都小于0．30dL/g,DTA和偏光显微镜对嵌段共聚酯的液晶性和相转变研究结果表明,所有嵌段共聚酯都为向列相热致液共聚酯。     

μC/OS-Ⅱ在SST89E564RD上的移植

论述了在51系列单片机中采用嵌入式实时操作系统的必要性.移植采用完整的、可移植、可固化、可裁减、源码公开的嵌入式实时操作系统μC/OS-Ⅱ,以51系列单片机SST89E564RD为例,介绍了μC/OS-Ⅱ在51系列单片机上的移植,并进行了可移植性分析,给出了详细的移植步骤和测试移植的例子.移植后的系统在成本和性能上有很强的优势,实践证明该系统运行稳定,抗干扰能力强,实时性好,具有较高的实用价值.     

以动柔度为目标的结构阻尼材料层拓扑优化

为讨论附加阻尼材料层壳体结构在受简谐激励作用时阻尼材料最优分布,采用类似SIMP方法的人工阻尼材料模型构造拓扑优化模型。设计目标为给定阻尼材料用量最小化的结构动柔度,以阻尼材料相对密度作为设计变量。对结构呈现非比例阻尼特性,采用在状态空间下降阶后的复模态叠加法计算结构稳态响应及动柔度。优化过程中用伴随变量法对动柔度进行灵敏度分析。通过拓扑优化算例,验证所提模型及方法的合理性与有效性。     

以硅藻土为硅源制备SiC/堇青石复合多孔陶瓷的性能研究

以硅藻土为主要硅源,同时配合SiC、Al_2O_3、滑石粉末为主要原料,通过反应烧结技术制备SiC/堇青石复相多孔陶瓷,研究了不同原料配比对SiC/堇青石复相多孔陶瓷的相组成、显微结构、抗弯强度、气孔率的影响,同时在得出最优配比组的基础上,研究石墨造孔剂的含量、碳化硅颗粒粒径、孔径分布等因素对SiC/堇青石复相多孔陶瓷的影响。结果表明:当SiC与其余物料理论质量比为8∶2时,在1250℃下保温3h制备的样品综合性能最佳,其气孔率为37.721%,抗弯强度达到49.1887 MPa。