非致冷钛酸锶钡铁电薄膜红外探测器

采用半导体微机械(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)技术制备了具有热隔离微桥的8×8元非致冷Ba0.8Sr02TiO3薄膜红外探测器列阵原型器件.热释电性能优良的Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜是使用浓度为0.05M的前躯体溶液、采用Sol-Gel制备的.在5～30℃的温度范围内,Ba0.8Sro2TiO3薄膜的热释电系数大于20nC/cm2K,在16.8℃处达到最大值41.3 nC/cm2K.在19℃的环境温度下,使用500 K黑体作为红外辐射源,测得10 Hz调制频率下,探测单元的探测率D*为5.9 × 107cmHz1/2W-1.对器件结构的进一步改进和测试条件的进一步改善可望获得更高的探测率.     

自支撑P(VDF-TrFE)红外探测器

本文中制备了具有自支撑绝热结构的Al/P(VDF/TrFE)/NiCr红外探测器单元,其中NiCr半透明膜作为探测器的上电极和吸收层。实验结果表明：P(VDF/TrFE)薄膜具有很好的铁电性和热释电性,其铁电剩余极化强度和热释电系数分别为7.1 μC/cm2 和27 μC/m2K;探测器单元在500 K温度下的电压响应率和探测率分别为4436 V/W和3.3×108 cmHz1/2W-1;通过对电压响应率随频率变化的实验数据进行拟合,得到探测器单位面积的热导和吸收率分别为2.6×10-3 W/cm2K 和0.1;利用P(VDF-TrFE)探测器单元可对目标物体实现热成像。     

苏联的热成象技术

目前,苏联的热成象能力包括高达50个InSb探测器的红外探测器列阵。InSb探测器与致冷器一起作为红外前视夜视系统中的基本传感装置。工作波长在2—6μm范围,该系统能分辨0.2℃的温度。该系统是特别为医疗诊断和非破坏性试验研制的。由器件的探测度性能表明,苏联的InSb红外探测器水平与美国目前用在前视红外,扫描器以及其它夜视装置中的器件水平差不多。0.2×0.3mm的极小尺寸探测器就     

基于VO_2薄膜非致冷红外探测器性能研究

用微电子工艺制备了 V O2 溅射薄膜红外探测器 ,在 2 96 K的环境温度中测试了该探测器对 8- 12 μm红外辐射的黑体响应率和噪声电压 ,结果显示该探测器在调制频率为 30 Hz时可以实现探测率 D*=1.89× 10 8cm H z1 /2W- 1 ,热时间常数 τ=0 .0 11s的非致冷红外探测     

混成式热释电非制冷红外焦平面探测器研究

热释电非制冷红外焦平面探测器在军民领域具有广阔的应用前景.为了实现探测器的国内工程化研制,采用混成式技术,成功研制了基于锆钛酸铅(PZT)铁电陶瓷材料,像元尺寸为35 μm×35μm,列阵规模为320×240元的非制冷红外焦平面探测器.通过自主设计,研发的非制冷焦平面测试平台,得到了此器件的基本性能参数平均电压响应率1.1×105V/W,平均探测率5.6×107cm·Hz1/2·W-1,并实现了该探测器热成像.结合实际的研究工作,较为系统地介绍和讨论了热释电非制冷红外焦平面研制过程中各项关键技术.在器件光电响应测试数据分析的基础上,进一步提出下一阶段研究工作的重点和器件性能优化的方向.     

PbTe中红外光伏探测器

利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe( 111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2 O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5 μm,实验测量的探测率为2×1010 cm·Hz1/2W-...     

BST陶瓷场致热释电性能的研究

采用改进的电子陶瓷工艺,制备了高密度Ba0.6Sr0.4TiO3热释电陶瓷样品.研究发现,在1 340 ℃下烧结的样品,其密度可达到理论密度的98.3%.室温下测得样品的介电损耗为0.2%.外加直流偏场对材料的介电和热释电性能影响显著.样品的场致热释电系数为3.4×10-8 C/cm2·℃,探测率优值为10.0×10-5 Pa-1/2.     

溶胶-凝胶法制备外延Ba1-xSrxTiO3薄膜及其结构与性能研究

应用溶胶-凝胶技术在Pt/MgO(100)衬底上成功地制备了Ba0.65Sr0.35TiO3外延薄膜.XRD和SEM分析结果表明该薄膜在O2气氛中650℃热处理1h后,其(001)面是沿着Pt(100)和MgO(100)面外延取向生长的;薄膜表面均匀致密,厚度为260nm,平均晶粒大小为48.5nm.当测试频率为10kHz时,BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为480和0.02.介电常数-温度关系测试结果表明sol-gel工艺制备的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜其居里温度在35℃左右,且在该温度下Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜存在扩散铁电相变特征.当外加偏置电压为3V时,BST薄膜的漏电流密度为1.5×10-7A/cm2.该薄膜可作为制备新型非制冷红外焦平面阵列和先进非制冷红外热像仪的优选材料.     

可编程高光谱红外焦平面列阵

红外探测器可产生用于温度测量和热探测的热图像。它们可以用于军事、工业和医学等不同领域。从结构上看,红外探测器又可分为单元、小列阵、长线列阵或者二维列阵。 本发明提供的是一种量子阱红外焦平面列阵,它是     

SPRITE红外探测器性能的最佳应用

文章介绍了工作波段为8～12.5μm、工作温度为80K,器件尺寸:长度L=700μm、宽度w=62.5μm、厚度d=7μm、读出区面积wl=62.5μm×50μm(名义值)的8条SPRITE红外探测器制造和性能;描述了器件工作电压和探测器性能的关系;讨论了该探测器在热成像系统中最佳使用偏置应为60V/cm,而不是目前的30V/cm;对SPRITE探测器进行了理论分析,指出:在热成像系统中,偏置为60V/cm的SPRITE探测器将获得最佳应用,其性能优于160元背景限线列探测器;还讨论了探测器的热负载和工作电压的关系.     

最新DSP产品浮点处理实现飞跃

ADI(Analog Devices,Inc.)最新推出32位浮点数字信号处理器(DSP)产品SHARC 2148x及SHARC 2147x系列.高性能SHARC 2148x及低功耗2147x处理器凭借集成高达5Mb的存储器,为各种应用提高了单芯片、浮点信号处理精度,并为便携式设备实现了高端系统功能.     

CDMA2000标准化进展

依据演进次序,从cdma20001x、1x EV-DO和1x EV—DV三个方面对CDMA2000系列标准进行了概括的介绍,并对各标准的主要特点和新增功能进行了概述。     

以太网安全机制

以太网是目前最常见的用作接入网和校园网的传输网络,因此,大多数用户终端通过以太网接入Internet,以太网的安全性直接影响着整个网络的安全性,本文详细讨论了以太网多种用于防止黑客攻击的安全机制。     

基于IP控制网关和802.1x的校园网认证计费解决方案

针对校园网实际情况,提出了基于IP控制网关和802.1x的校园网认证计费解决方案,以加强对校园网用户的管理,提高网络的安全性,有效地对校内用户访问校外网络地址进行控制和计费.最后介绍了基于该方案的校园网认证计费系统以及其部署实施情况.     

802.1x在局域网安全中的应用

论文分析了局域网安全的各种需求,介绍了802.1x协议的体系架构,然后阐述了802.1x在局域网安全中的各种应用,包括接入认证、与VLAN结合、与终端安全结合、与交换机端口安全结合以及与访问控制系统的结合。     

cdma 1x-VPDN接入方案的研究

以VPDN企业用户的业务需求为基础,结合中国联通cdma 1x-VPDN独特的网络优势,用具体实例对接入方案的组网结构、数据配置、呼叫流程、计费策略进行了详细的阐述,并就cdma 1x-VPDN接入方案的局限性进行了分析研究。     

基于IEEE802．1x的校园网认证系统的改进与实现

目前,中国高校校园网规模越来越大,功能也越来越强,如何保证网络的安全戍为高校校园网的重要问题之一。丈中分析了高校校园网现状,指出了IEEE802．1x协议在校园网身份认证中存在的包括不可抵赖性、地址盗用、帐号盗用、认证灵活性、用户管理等方面的缺陷,提出了有效的改进方案,介绍了重新制订认证方案、修改客户端数据帧及程序、修改RADIUS认证服务等技术实现过程。     

1xEV-DO的数据吞吐量监测

安捷伦公司推出的数据吞吐量监测器(Data Throughput Monitor)为数据应用的测试提供了一个优化的面向手机的监测方案.并用cdma2000 1x EV-DO Release 0为例,介绍数据应用吞吐性能的网路模拟和监测.     

LDO白色LED驱动器TPS7510x提供超小型解决方案

目前便携式电子设备中大多都采用彩色LED屏,这些LED屏中显示彩色所需的白色背光通常由白光LED驱动器提供.随着白色LED技术的发展,所需的正向电压已大大降低.针对低功耗应用中的LED正向电压小于3V,介绍了LDO白色LED驱动器TPS7510x系列及其典型应用电路,可提供一个出色的超小型解决方案.     

零漂移,单电源的轨对轨输入/输出运算放大器AD8551/AD8552/AD8554

AD855x系列放大器具有轨－轨的输入和输出，它们的输出失调电压极低，且对偏置电流的要求也很低，同时具有很快的过载恢复能力，可以广泛应用于温度测量、压力测量和精密电流感知等精密测量电路中。文中给出了AD855x系列放大器的多种应用电路。