双向负阻晶体管张弛振荡器分频锁相特性的研究

本文用简单模型描述了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器在周期冲激作用下的分频锁相特性。对于任何分数p/q,给出了在参数空间中分频锁相区的普遍的分析表达式。对于BNRT张弛振荡器进行了分频锁相实验,实验结果与计算相符,说明理论分析是正确有效的。     

双向负阻器件的数值模拟

本文通过对双向负阻器件进行数值模拟，分析了其产生负阻的内部图象，模拟结果表明，高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大，而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。     

光电双向负阻晶体管的研制及特性分析

首次对双向负阻晶体管(BNRT)进行了光敏化,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件——光电双向负阻晶体管(PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程;测量分析了其J—V特性与光强和栅极电压的关系;测量了光电开关的时间常数并进行了分析讨论。     

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性     

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大.模拟结果和实验结果一致.BNRT的三端化实现,克服了两端应用的诸多缺点,大大增加了它在高速脉冲电路中的应用灵活性.     

光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究

光电双向负阻晶体管(PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件.本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究,给出了器件等效电路.PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性.模拟和实验结果均表明:光照强度增大,维持电压基本保持不变,转折电压减小,负阻电压摆幅减小;而增大控制电压,维持电压和转折电压均增大,输出负阻特性曲线右移.上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景.     

化合物半导体异质结微波和高速器件的研究和发展

介绍了微波和超高速异质结器件的研究和发展，着重叙述了各种异质结场效应管、异质结双极晶体管和双极场效应管的特点、发展水平和新型器件结构。     

C波段20W脉冲耿振荡器

完整的脉冲耿振荡器包括脉冲耿二极管、微波电路及脉冲调制器。本文主要描述了该振荡器的结构和设计原理,并给出了C波段脉冲耿振荡器的研制结果:在4～6GHz,得到的最大脉冲功率为22W,最佳效率为5％,最大工作比为1％。     

双管S型负阻器件的研究

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。     

Comparison of modulation doped effect in negative differential resistance field effect transistors (NDRFETs)

N-shaped negative differential resistance field effect transistors (NDRFETs) have been fabricated and demonstrated. The interesting N-shaped NDRs are three terminal controlled phenomena. This N-shaped NDR behavior is found in the higher drain-to-source voltage (V_DS) regime and is obtained both at positive and negative gate-to-source bias (V_GS). We believe that the NDR phenomena are attributed to the real space transfer (RST) effect. Due to the modulation doped effect and different barrier height, the NDR behavior can easily be controlled. The influence of V_GS bias on the NDR characteristics is also investigated.     

国外SiGe器件及其应用

本文主要叙述SiGe器件的材料、制作工艺及其器件应用。     

Improved memristor-based relaxation oscillator

This paper presents an improved memristor-based relaxation oscillator which offers higher frequency and wider tunning range than the existing reactance-less oscillators. It also has the capability of operating on two positive supplies or alternatively a positive and negative supply. Furthermore, it has the advantage that it can be fully integrated on-chip providing an area-efficient solution. On the other hand, The oscillation concept is discussed then a complete mathematical analysis of the proposed oscillator is introduced. Furthermore, the power consumption of the new relaxation circuit is discussed and validated by the PSPICE circuit simulations showing an excellent agreement. MATLAB results are also introduced to demonstrate the resistance range and the corresponding frequency range which can be obtained from the proposed relaxation oscillator.     

光电双基区晶体管的工作机理

通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的.结合这些计算结果,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程.给出了起振电压(输出电流峰值电压)、振荡频率随光强变化的关系式,定性解释了相应的实验结果