真空离子镀膜经验讲习班公告

<正>讲课内容:真空基础知识、薄膜沉积技术、离子镀膜机结构、离子镀膜一般工艺制订、离子镀代替电镀、离子镀超硬涂层、磁控溅射新技术、装饰膜材及色调、离子镀膜应用等。也可根据客户要求确定讲课内容。(2)现场操作实习:参观三束材料表面改性国家重点实验室,工具镀膜生产加工厂及镀膜机制造厂,镀膜专利工艺、操作决窍分析。     

真空离子镀膜经验讲习班公告

<正>讲课内容:真空基础知识、薄膜沉积技术、离子镀膜机结构、离子镀膜一般工艺制订、离子镀代替电镀、离子镀超硬涂层、磁控溅射新技术、装饰膜材及色调、离子镀膜应用等。也可根据客户要求确定讲课内容。(2)现场操作实习:参观三束材料表面改性国家重点实验室,工具镀膜生产加工厂及镀膜机     

真空离子镀膜经验讲习班公告

<正>讲课内容:真空基础知识、薄膜沉积技术、离子镀膜机结构、离子镀膜一般工艺制订、离子镀代替电镀、离子镀超硬涂层、磁控溅射新技术、装饰膜材及色调、离子镀膜应用等。也可根据客户要求确定讲课内容。(2)现场操作实习:参观三束材料表面改性国家重点实验室,工具镀膜生产加工厂及镀膜机制造厂,镀膜专利工艺、操作决窍分析。     

真空离子镀膜经验讲习班公告

<正>讲课内容:真空基础知识、薄膜沉积技术、离子镀膜机结构、离子镀膜一般工艺制订、离子镀代替电镀、离子镀超硬涂层、磁控溅射新     

第二十讲 真空离子镀膜

<正>(接2019年第2期第80页)射频离子镀的不足之处是:(1)由于在高真空下镀膜,沉积粒子受气体粒子的碰撞散射较小,绕镀性较差。(2)射频辐射对人体有伤害,必须注意采用合适的电源与负载的耦合匹配网络,同时要有良好的接地,防止射频泄漏。另外,要有良好的射频屏蔽,减少或防止射频电源对测量仪表的干扰。11.2射频放电离子镀中若干问题的探讨11.2.1离化率射频放电离子镀的离化率,约介于直流放电     

第二十讲 真空离子镀膜

正(接2019年第6期第88页)7离子镀的特点及应用7.1离子镀的特点离子镀与蒸发镀、溅射镀相比的最大特点是荷能离子一边轰击基片与膜层,一边进行沉积,荷能离子的轰击作用产生一系列的效应,具体如下:1)膜/基结合力(附着力)强,膜层不易脱     

第二十讲 真空离子镀膜

<正>(接2019年第5期第80页)13.2.3电弧放电等离子体参数电弧放电等离子体的参数主要有电子温度Te、电离强度αe、电场强度E、带电粒子密度ni(≈ne)及等离子体电位Ui及阳极电流Ia。A等离子体电位Ui首先做如下假设:(1)除电荷层外,等离子体中ni=ne=n;(2)带电粒子的速度分布符合麦克斯韦分布;(3)电荷层厚度小于电子平均自由程,即电荷     

第二十讲 真空离子镀膜

<正>(接2019年第3期第80页)如图21所示,用高熔点金属钽(或钨)管做阴极,坩埚做阳极,待真空室抽至高真空后,钽管中通过氩气,首先用数百伏电压点燃气体产生阴极辉光放电。由于空心阴极效应,钽管中电流密度很大,大量的氩离子轰击钽管管壁,使钽管温度升高至2300K以上,钽管发射大量热电子,放电电流迅速增加,电压下降,辉光放电转变为弧光放电。这些高密度的等离子电子束受阳极吸引     

第二十讲 真空离子镀膜

正(接2018年第5期第88页)6.3蒸发源功率蒸发源功率提高,则膜材蒸发率增加,一般而言,膜的沉积速度也相应增加。蒸发源功率对蒸发速率的影响比较直接,但蒸发粒子达到基片之前需飞越放电空间,要受到空间气体粒子的碰     

第二十讲 真空离子镀膜

<正>(接2020年第2期第96页)B锐角运动当磁场与阴极表面斜交时,阴极斑点并不是在垂直于B∥的方向上运动,而是从垂直于B∥方向又向磁场与阴极平面成锐角方向偏离一定的角度方向运动,即在反向运动上还叠加一个漂移运动。漂移运动的方向指向磁力线与阴极表面所夹的锐角区域。由上述规律,进行阴极弧源设计时,有两种形式:一是在阴极表面形成环拱形     

第二十讲 真空离子镀膜

正(接2020年第3期第96页)13.5.3过滤式真空电弧离子镀膜技术A过滤式电弧离子镀膜机结构型式典型的过滤式真空电弧离子镀设备结构如图47所示。其核心结构是一个A ksenov过滤器。它是一个具有螺旋管电磁线圈的不锈钢或石英弯管。电磁线圈提供控制等离子体流运动的外加     

第二十讲 真空离子镀膜

正(接2018年第3期第72页)假设轰击离子将全部能量都转移给沉积膜层原子,由式(1)和式(2)可知每个沉积膜层原子的能量E_p为E_p=eU_in_i/n=(M_r.j_i/R_v)e·U_i×6.3×10~(-3)eV(5)因此可得离子流密度j_i为j_i≈159(R_v·ρ·E_p/M_r·eU_i)mA/cm~(-2)(6)式中Mr为膜层原子的相对平均摩尔质量,g/mol;R_v为沉积原子在基体表面的成膜速率,     

第二十讲 真空离子镀膜

正(接2018年第4期第80页)(1)等离子体鞘:基片(工件)放进等离子体云中,不与等离子体直接接触。基片与等离子体之间隔了一层电中性被破坏了的薄层,是一个负电位区,称等离子体鞘,或称鞘层。在等离子体与容器壁之间,放置在等离子体中的任何绝缘体表面,或插入等离子体中的电极近旁都会形成鞘层。轰击基片的离子的能量部分或大部分是在离子鞘内获得,所以在离子镀中调节离子鞘的电位     

第二十讲 真空离子镀膜

<正>13真空阴极电弧离子镀13.l概述真空阴极电弧离子镀简称真空电弧镀(Vacuum arc plating)。如采用两个或两个以上真空电弧蒸发源(简称电弧源)时,则称为多弧离子镀或多弧镀。它是把真空弧光放电用于蒸发源的一种真空离子镀膜技术,它与空心阴极放电的热(接2019年第4期第80页)     

第二十讲 真空离子镀膜

f圆形平面可控电弧蒸发源圆形平面可控电弧蒸发源的原理如图40所示。其磁场由静止的外磁环和往复运动的中心磁柱构成。靶材上方的磁场可分解为水平磁场B//和垂直磁场B⊥。B∥束缚部分电子并使其作圆周运动,致使阴极辉点作圆周运动。B⊥迫使作圆周运动的电子作径向运动,导致阴极辉点的径向运动。     

第二十讲 真空离子镀膜

正(接2020年第4期第96页)13.6负偏压对膜沉积过程的影响13.6.1直流偏压真空阴极电弧离子镀一般配置直流负偏压电源。它的正极接镀膜室壳(阳极接地),其阴极连接在基片(工件)上。其负电压从0～-1000V可调,构成对阴极电弧源(靶)和电弧放电等离子体负电位。正是带负偏压基片在等离子体中,     

第二十讲 真空离子镀膜

(接2019年第6期第86页)b对电弧蒸发源的技术要求在正常镀膜气压下(5×10-1Pa),靶电流的可调范围较大(如以直径60mm圆形钛靶为例,靶电流范围35A^100A),而且在靶电流低(靶电流下限)时能稳定弧的运动;在高真空下(10-3Pa),可正常稳弧;磁场可调,靶面弧斑线细腻,弧斑线向靶心收缩且向靶边扩展运动均匀,靶面刻蚀均匀。     

第二十讲 真空离子镀膜

<正>(接2019年第1期第80页)典型的ARE装置见图12。这种装置的蒸发源通常采用e型枪。真空室结构分上下两室,上室为蒸镀室,下室为电子束源的热丝发射室,两室之间设有压差孔,电子枪发射的电子束经压差孔偏转聚焦在坩埚中心使膜材加热蒸发。采用这种枪即可加热蒸发高熔点金属,又为激活金属蒸气粒子提供了电子,为高熔点金属化合物膜的制     

过滤式真空电弧离子镀膜技术及应用

介绍了一种新的镀膜技术—过滤式真空电弧离子镀膜技术。针对典型的过滤式真空电弧镀膜装置，描述了其结构组成，分析了它的工作原理。分析结果表明，该技术与传统真空电弧离子镀膜技术相比，可有效地消除宏观颗粒对镀层的污染，可广泛应用于制作各种微电子膜透明导电薄膜（ＩＴＯ）以及类金刚石（ＤＬＣ）薄膜。