选极F型封装功率晶体管

选极F型封装功率晶体管,简称选极晶体管,是一种具有F型封装外型,制造时可根据整机电路组态需要选择芯片电极与管座电连通状态的功率晶体管。以双极型晶体管为例,对于同一型号,具有发射极接壳、基极接壳、集电极接壳、电极均不接壳四种接壳方式,可分别与共射、共基、共集电极三种电路组态匹     

低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5 GHz;输出功率Pout=7~9.5 dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100 kHz时相位噪声Pn=-106 dBc/Hz。     

IGBT芯片静态输出曲线连续测量方法

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一。现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题。亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法。面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响。通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线。通过对比本文连续法与功率器件分析仪的测量结果,证明了所提方法的有效性。     

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法.着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果.根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值.     

功率晶体管热阻测试条件确定方法

以B2-01C(TO-3)型金属封装的3DK109E型功率开关晶体管为实验对象,研究了双极型功率晶体管热阻测试条件的确定方法.以图解的形式着重介绍了测试电流(IM)及基极-发射极电压温度系数(M)、加热脉冲持续时间(tp)、加热功率条件(VCB、IE)、测量延迟时间(td)等热阻测试条件的确定过程.     

基于InP DHBT工艺的32.2GHz超高速全加器

介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。     

提高功率晶体管二次击穿耐量的新思路

分析了双极型功率晶体管芯片温度分布与版图设计的相关性，指出版图排不合理导致芯片中区域温度偏高，是诱发二次击穿的一个重要原因。提出了一种提高功率晶体管抗热模式二次击穿耐量的新思路，理论分析与实际应用证明，把发射区安排在基区引线条周边的新设计，可显著改善双极型功率晶体管抗二次击穿特性。     

南京大学和加州大学开发出用于高线性RF功放的新复合晶体管

要求达到高线性的放大器电路常采用预失真法。而中国南京大学声学院现代声学国家重点实验室和美国加尼福尼亚大学的研究人员开发出一种预失真发生在器件级的新复合晶体管器件。这种新晶体管拓朴结构基于采用一个标准的异质结双极晶体管器件和另外一个倒装型异质结双极晶体管,其集电极电阻用作预失真电路。这个集电极电阻连接到标准多指功率晶体管基极上。随着输入RF功率提高,上述功率晶体管基极到发射极的输入电压将减小,因而给功率晶体管的电流也就更大,补偿了输入电压减小。因此,采用这种预失真技术,因较低跨导引起的振幅失真在较高的RF…     

IGBT串联技术在固态刚管调制器中的应用

介绍了一种固态刚管调制器的方案和原理,该调制器使用6只1.2 kV/200 A绝缘栅双极型晶体管串联作为放电开关,讨论了刚管调制器设计的难点和解决方法.设计中采用脉冲顶部补偿电路以减小储能电容值,避免使用撬帮电路;详细分析了均压电路的计算方法,并从关断缓冲电路角度讨论了吸收电容计算,依据绝缘栅双极型晶体管伏安特性曲线选取合适的电容值.结合具体课题,给出了相关的试验波形,肯定了固态刚管调制器在工程上的价值.     

减小尺寸和功耗的隔离式FET脉冲驱动器

三相控制整流器和变换器,矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率晶体管,每支晶体管都有自己的驱动电路。图1中的电路用1kHz～200kHz频率的全占空比脉冲驱动一个容性输入功率器件,如MOSFET或IGBT《绝缘栅双极晶体管)。一只变压器起隔直作用,电路在15V初级电源电压下只消耗少量功率。采用具有输入电容高达5nF的几只MOSFET和IGBT,测试满意,该驱     

基于负载牵引测试系统的功率管参数提取

对微波功率固态器件进行负载牵引测量是一项有重要意义的基础研究工作.利用负载牵引自动化测试系统对工作频率为1.2～1.4GHz的某硅双极型晶体管进行了负载牵引测量.首先介绍了负载牵引法测试功率管大信号参数的基本原理和测试系统组成,其次对测量过程中的关键技术进行了详细的说明,并提取出器件的大信号阻抗参数.测量结果表明,通过负载牵引测量可获得具有重要参考价值的功率等值线阻抗圆图,从而可为大功率宽带匹配网络设计提供参考.     

功率BiMos——作为开关和控制应用的一种多功能IC技术

功率BiMos是一种IC技术,它兼有双极型和MOS器件的优点,具有高压纵向pnp输出晶体管。本文将讨论工艺技术、器件性能和参数以及特殊电路的应用。     

高效率Class F功率放大器的设计

本文基于InGaP/GaAs HBT(HBT为异质结双极晶体管)工艺设计了一款高效率的Class F功率放大器。文中首先描述了F类功率放大器的特点和电路原理,然后对放大器的设计过程如匹配电路设计技术、谐波抑制对功率效率的影响,以及偏置电路的设计等问题做了详细的讨论。测试结果表明,设计的功率放大器在电源电压为5V,输出功率为37dBm时,效率达68%。     

功率IGBT的驱动保护及其应用技术

文章叙述了功率绝缘栅控双极性晶体管ＩＧＢＴ对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题，同时根据这些要求给出了几种功率ＩＧＢＴ的实用驱动和保护电路的应用实例．     

IGBT超小型CO_2激光器高频高压开关电源模块

本文详细讨论了绝缘栅双极晶体管高频、高压、中小功率CO_2激光器开关电源电路原理与设计方法。它是脉宽调制型(PWM)单管开关电源,具有体积小,效率高,操作方便,工作可靠和成本低等优点。     

双极晶体管△Vbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻△VBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.     

双极晶体管ΔV_(be)瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管ΔVBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻ΔVBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.     

双极晶体管△Vbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻△VBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.     

带胆味甲类前级的TDA7293合并功放

音乐味柔和细腻的TDA7294迷倒了不少发烧友,近两年随着TDA7293新器件的应用,TDA7294逐步被取代,因为TDA7293的性能指标更加优越,输出功率更大。TDA7293和TDA7294的内部结构基本一样,分为三级:差分输入级由双极型晶体管组成,推动级和功率输出级采用场效应管,这种结构可以综合双极型晶体管低噪音和功率场效应管在线性、温度系数、音色上的优势,加上严谨的生产工艺,因而使其具有相当理想的客观测试指标。音色优美,兼顾了双极信号处理电路和MOS功率管的优点,具     

双极晶体管ΔVbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管ΔVBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析，提出了提高测试精度的误差修正方法．以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究，结果表明：晶体管瞬态热阻ΔVBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下，测试成本低，测量效率高．