高多层数刚挠结合板凹陷度改善研究

目前刚挠结合板进行压合前需要将挠性区对应的半固化片区域进行铣槽开窗,这种压合方式会使得压合后挠性区凹陷,导致后工序出现品质异常。且随着挠性板层板次以及半固化片数量的增加,板面凹陷程度随之增大,所带来的品质异常会越严重。文章提出一种于覆盖膜上粘贴高温胶带与补强片的方法,减小了挠性区凹陷度,极大提升了高层刚挠结合板的加工效率和品质良率。     

刚挠结合印制板挠性区外观不良改善研究

目前多层刚挠结合板,软板之间通常都采用不流胶PP压合,其PP在压合前需对挠性区的PP进行铣槽开窗,从而避免PP黏结片与挠性部位粘连;但不流胶PP铣槽加工极易产生PP粉,叠层时难以清洁,成品揭盖后发现挠性区覆盖膜上残留较多PP胶团,导致产品外观不良,无法满足客户产品外观质量的要求。本文提出的改进方案是利用耐高温胶带,在压合前对挠性区域覆盖膜进行保护,外层揭盖时同步去除,从而有效改善PP粉残留问题,极大提升刚挠结合板的外观良率。     

挠性覆铜板（连载四）

五、挠性覆铜板 挠性覆铜板（Flexible Copper Clad Laminte,简称FCCL）,是由导体材料和绝缘薄膜等材料组成的。挠性覆铜板主要用于加工、制造挠性印制电路板（FPC）,广泛应用在通讯、计算机、汽车电子、照相机、仪器仪表等领域。按制造方法分类,挠性覆铜板可分成以下两类产品：（1）胶粘剂型挠性覆铜板。（2）无胶粘剂型挠性覆铜板。     

挠性电路板技术的现状和发展趋势

文章论述了挠性电路板技术的现状,由于无粘结层挠性覆铜箔基材和感光显影型保护膜的成功开发和应用,使挠性电路板的生产走上了可量产化的轨道。指出现有挠性电路板的制造技术是制约挠性电路板技术发展的瓶颈。目前挠性电路板技术的广泛应用仍面临着一些困难,在不久的将来,感光显影型覆盖层的开发和应用,会给挠性电路板技术的发展带来巨大的变化,它具有广阔的应用前景,必将在市场上大放异彩。     

挠性杆弯曲刚度测量的研究

挠性杆是挠性加速度计的关键零件,本文针对挠性杆尺寸细小,难以进行弯曲刚度测量的问题进行了分析。提出了一种新的测量方法,采用视觉传感器实时自动取样并计算挠性杆单端夹持时另一端的下垂角度,进而计算挠性杆的弯曲刚度。理论计算和测试结果表明,该方法可有效解决小尺寸挠性杆弯曲刚度监测中的精度低、操作困难、效率低下等问题。     

挠性压圈在被动式热分析中的应用研究

为了实现红外光学系统的被动式无热化,设计了挠性压圈,建立了有限元分析模型,对透镜表面的接触应力和挠性压圈结构参数的灵敏度进行了研究。首先,根据光机结构的无热化要求介绍了挠性压圈,对两种常用的挠性压圈进行了热变形分析;然后,在分析挠性压圈的灵敏度系数的基础之上,对单透镜组件设计了相应的挠性结构,说明了挠性构件在被动式无热化中能够减小透镜表面的接触应力以及增加对镜座材料的选择;最后,将挠性压圈应用在三片式透镜的光学系统当中。通过分析计算,当调制传递函数(MTF)的空间频率为10 lp/mm时,挠性压圈作用下的三片式光学系统的MTF能够达到0.5以上;普通压圈在60℃和-20℃的像面离焦量分别为4.765 mm和-6.312 mm,而相同温度下挠性压圈的像面离焦量分别为1.261 mm和-1.563 mm。基本满足了红外光学系统的被动式无热化要求。     

基于挠性基板的高密度IC封装技术

挠性印制电路技术迅速发展,其应用范围迅速扩大,特别是在IC封装中的应用受到人们的广泛关注。挠性印制电路在IC封装中的应用极大地推动了电子产品小型化、轻量化以及高性能化的进程。针对具体应用对象,文章分别介绍了挠性基板CSP封装、COF封装以及挠性载体叠层封装的基本工艺、关键技术、应用现状及发展趋势,充分说明了挠性印制电路和高密度布线对高密度IC封装的适用性。基于挠性基板的IC封装技术将会保持高速的发展,特别是挠性叠层型SIP封装技术具有广阔的应用前景。     

发展中的高密度挠性电路技术

5 挠性板的制造技术 挠性电路的快速增长推动了挠性电路业提高其制造速度与能力,尤其是高密度挠性电路应用范围的不断扩大及其全球化市场的实现,更加迫切要求挠性电路生产的效率化     

当今世界挠性印制板生产与技术的发展

1.概述 挠性印制线路板是采用具有柔软性的绝缘薄膜作为基材的覆铜箔板并按生产印制板类似的方法制成PCB产品(FlexiblePCB,简称为:挠性PCB或FPC)。挠性PCB的基材一般可分为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜,而后者更具有高耐热性和尺寸稳定性。当前,挠性PCB基板材料又分为有铜箔胶粘剂和无铜箔胶粘剂两大类。挠性PCB,一般有单面板、双面板和多层板等种类。近年来,挠性PCB的制造技术不断发展,涌现出刚一挠性多层PCB;导体外露的FPC等新型产品。     

手机挠性板自动检测的多模板生成及图像定位研究

针对自动光学检测（AOI）在手机挠性板缺陷检测中对检测精度的要求比较高的特殊性,研究了手机挠性板模板图像的生成和图像定位的方法。根据手机挠性板模板的特点,提出了用CAD图生成的多模板来进行匹配的方法;针对挠性板图像和待测手机挠性板图像定位的困难,采用了一种基于Hough变换的装配孔定位方法,实验结果证明了方法的有效性和可靠性,为进一步提高手机挠性板缺陷检测的精度提供了保障。     

等离子体过程不稳定性和氢处理对HIT电池界面特性影响的研究

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备薄膜硅/晶体硅异质结,通过测量沉积了本征非晶硅（a-Si:H(i)）后晶体硅（c-Si）的少子寿命以及结构为Ag/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n) /Ag 异质结的暗I-V特性,研究了等离子体初期瞬态过程和氢预处理对异质结界面性质的影响。结果表明：使用挡板且当挡板时间（tS）大于100秒时,可以有效地减少等离子体初期瞬态过程对界面性质的负面影响;与热丝化学气相沉积中氢原子处理有利于界面钝化不同,PECVD中的氢等离子体处理,由于氢原子的轰击特性,对钝化可能存在一定的不利影响;最优氢预处理时间为60秒。     

光阳极的前后处理对DSSC性能的影响

为抑制染料敏化太阳能电池(DSSC)光生电子的背反应,分别利用钛酸四丁酯(TBT)和TiCl4制备了两种TiO2溶胶对DSSC光阳极导电玻璃进行前处理,另外,以TBT制备的TiO2溶胶对光阳极TiO2薄膜进行了后处理。在AM1.5和暗环境下分别考察了前后处理对DSSC性能的影响。结果表明,光阳极的前后处理均有效提高了DSSC的光电转换效率,其中以采用TBT制备的TiO2溶胶进行前处理时的效果最佳;DSSC的光电转换效率随后处理次数的增加而增大;后处理3次时,DSSC的光电转换效率达到5.98%。     

谈电子产品中铝制件预处理工艺配方

随着电子技术的发展，电子产品中铝制件电镀愈来愈多。铝制件电镀质量的好坏，预处理是关键。就浸锌酸盐和浸锌镍合金两种预处理工艺配方在本厂生产中的实际应用情况作以比较。     

利用紫外激光处理提高熔石英损伤阈值的研究

为了研究紫外脉冲激光预处理对熔石英表面形貌的影响,验证其对熔石英元件抗紫外激光损伤能力的提升效果,利用输出355nm3倍频紫外脉冲激光的YAG激光器,采用光栅式扫描的方式对熔石英表面进行了全口径能量周期递增的激光预辐照处理,并在处理结束后研究了表面形貌的变化,考核了其在355nm脉冲激光作用下的损伤阂值。结果发现,石英基片在经过紫外脉冲激光预处理后表面杂质得到有效清除并暴露了低阈值缺陷,处理后的石英基片零几率损伤阈值平均提高24%左右,50%损伤阈值提高约19%。结果表明,紫外激光预处理是增强熔石英元件紫外激光负载能力的有效方法,可有效缓解高功率固体激光装置3倍频输出的负载瓶颈,具备较高的工程运用价值。     

不同前处理工艺对阻焊桥的影响

随着线路板布线密度的提高,阻焊桥宽度的逐渐减小,阻焊前处理日益显示其重要的地位,线路板表面的前处理效果直接影响着阻焊的良品率。本文通过扫描电镜、金相显微镜和3M胶带拉力测试等分析方法,分别对针刷＋不织布磨板、火山灰磨板,以及喷砂等几种前处理方式对阻焊桥板的效果进行了分析,并分别从无铅喷锡、化学沉镍金、化学沉锡等表面处理效果角度分析阻焊层受攻击程度,最终确定阻焊桥板制作的最佳前处理方式。     

适应高速网络的入侵检测技术探讨--误用检测与异常检测的结合

在论述现有入侵检测技术的基础上,提出了将异常检测作为误用检测的预处理是适应高速网络的一项新技术.文中仅从理论上进行了探讨,有待于进一步实践检验.     

新式固液分离系统在印制板废水回用的研发及应用

结合印制板废水回用的发展现状,介绍了一种新式固液分离膜系统的原理、操作工艺以及系统特点。对比了该系统与传统工艺作为RO前处理系统的不同之处及其处理效果。     

不锈钢化学镀Ni-P合金镀层的性能研究

讨论了不锈钢上化学镀Ni-P合金镀层的工艺,重点是不锈钢基体的前处理工艺、镀液温度和PH值.对镀层成分和结构的分析、结合力测试表明,用文中提出的前处理工艺对不锈钢基体处理后,再进行化学镀能获得性能可靠的Ni-P合金镀层.     

基片预处理工艺对CVD金刚石成核行为的影响

本文采用微波等离子体辅助化学气相沉积工艺,对不同预处理的(100)单晶硅基片上金刚石的成核行为进行了初步研究,并利用定量金相及扫描电子显微镜分析了金刚石的成核速率及晶体特征。由此提出了用0.1μm超细金刚石粉对基片的研磨工艺。该工艺可有效提高金刚石成核率,从而有助于获得晶粒细小均匀,表面粗糙度低的金刚石薄膜。采用C60涂复并结合研磨工艺,使成核率获得了进一步提高。     

Study on Surface Oxidative Characterization of LPE HgCdTe Epilayer by X-Ray Photoelectron Spectroscopy

This report presents a surface pre-treatment method of LPE HgCdTe epilayer to reduce and remove the oxides and contaminants. The surface oxidative characterization of LPE HgCdTe epilayer has been studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning electron microscopy (SEM). HgCdTe surface exposed by various processing steps has been measured and analyzed, the results show the native oxide film can be removed by the solution of lactic acid in ethylene glycol after etching by bromine in absolute ethyl alcohol. It indicates that the mainly optical and electrical parameters of LPE HgCdTe epilayer have not been changed. It is evident that the pre-treatment before HgCdTe surface passivation affects the passivant/HgCdTe interface properties.