空调控温传感器短路失效分析与控制

结合空调控温传感器的结构特点,分析了导致NTC热敏电阻短路失效的旁路并联电阻模型,通过样品解剖和能谱检测,证实了电极银离子迁移是导致热敏电阻形成旁路并联电阻失效的主要机理。另外,还根据导致银离子迁移的条件,从使用和生产两个方面提出减少银离子迁移的控制措施,并介绍了评价金属离子迁移的相关标准。     

双极晶体管hFE低温失效分析及使用可靠性

论述了影响双极晶体管电流增益ｈＦＥ低温下降的重掺杂效应，结合具体器件测试计算出了ｈＦＥ的低温下降值，并对实测值与计算值的差异进行了分析，最后指出了改进ｈＦＥ温度特性的具体途径。     

高频大功率晶体管的失效分析

介绍了对某型号高频大功率晶体管进行的失效分析。分析结果表明器件在寿命试验中发生击穿失效的主要原因是芯片的散热结构存在工艺和设计方面的问题，这也是影响高频大功率工作寿命的主要问题。     

超高频低噪声晶体管失效分析

本文通过对超高频低噪声晶体三极管DG504的失效分析，明确了该器件的失效模式和失效机理，并提出了相应的改进措施，取得了良好的效果。     

塑封双极型功率晶体管的失效与案例分析

由于其自身的结构与封装形式,塑封双极型功率管存在很多可靠性问题.介绍了塑封双极型功率晶体管可靠性问题及失效机理,包括封装缺陷、粘结失效以及由于温度变化而引起的热应力失效和由于吸入潮气而导致的腐蚀失效.通过剖析一晶体管的失效机理,给出了对此类晶体管失效分析的方法和思路.讨论了晶体管存在异物、芯片粘结失效和热应力失效等失效模式.     

有机光敏场效应晶体管研究进展

有机半导体材料具有轻质、廉价以及可与柔性衬底相兼容等诸多优点而广泛应用于光电子领域.基于光诱导效应的光敏场效应晶体管的跨导可以用来放大光电流,是实现全有机图像传感器的很有前景的器件,其应用广泛.简单介绍了有机光敏场效应晶体管的结构、工作原理及所用材料方面的国内外最新研究进展.     

光敏晶体管使用技巧

光敏晶体管作为光电转换元器件,在使用中除了注意管子的正确选择和安装外,还要特别注意做好光线的传输畅通,以确保其工作状况良好。下面就使用者需要掌握的一些基本常识介绍如下：     

我厂N沟道耗尽型场效应晶体管的失效分析及改进效果

本文介绍了我厂贯军标代表品种场效应器件的主要失效模式，并针对失效机理采取了措施，取得了一定的效果。     

砷化镓高电子迁移率晶体管的贮存试验与失效分析

高电子迁移率晶体管(HEMT)能在高频(>60GHz)下工作,具有增益高和噪声系数小的优点,因而成为微波通信和高速微电子应用中的关键器件.今天,这些器件已成功地用于卫星接收器、微波振荡器、混频器和多路转换器中.文献中描述过的限制HEMT可靠性的失效机理包括:界面和陷阱相关效应、2度泄漏、欧姆与肖特基接点退化、ESD和紫斑.本文的目的是介绍通过商用晶格匹配的AlGaAs/GaAs低噪声HEMT的无偏压贮存试验来鉴别的失效机理。     

双异质结单载流子传输光敏晶体管输出电流

详细对比并分析了双异质结单载流子传输光敏晶体管(Uni-travelling-carrier Double Heterojunction Phototransistor,UTC-DHPT)与单异质结光敏晶体管(Single Heterojunction Phototransistor,SHPT)在大的入射光功率范围下集电极输出电流特性.首先,UTC-DHPT仅选取窄带隙重掺杂的基区作为吸收区,与SHPT选取基区和集电区作为吸收区相比,其光吸收区厚度小,在小功率入射光下UTC-DHPT的输出电流小于SHPT的输出电流.其次,由于UTCDHPT的双异质结结构,光生电子和光生空穴产生于基区,减弱了SHPT因光生空穴在集电结界面积累而产生的空间电荷效应,避免了SHPT在小功率入射光下输出电流开始饱和的问题,从而UTC-DHPT获得了比SHPT更大的准线性工作范围.最后,UTC-DHPT的单载流子(电子)传输方式使得基区产生的光生空穴以介电弛豫的方式到达发射结界面,有效降低了发射结势垒,增加了单位时间内由发射区传输到基区的电子数量,提高了其发射结注入效率,在大功率入射光下UTC-DHPT比SHPT能获得更高的输出电流.     

微波功率晶体管的热失效分析

微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳.针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)上的多层金属化层存在质量缺陷,使管芯到BeO的热阻增大,因此出现了老化时部分器件失效现象.提出了预防措施,既可避免损失,也能保证微波功率晶体管在使用中的可靠性.     

超高频晶体管共晶装片中eb结失效的分析

我厂超高频低噪声晶体管在管芯生产过程中，应用了许多特殊工艺，如预光刻、浓棚扩散、硼离子注入、浅结扩散、引线孔光刻采用泡发射极工艺，背面六层金属电极工艺，延伸电极钛铝合金等工艺。3DG79（即3DG105，是正向自动增益控制超高频、低噪声晶体管）用于VHF高频调谐器高频放大用。起先我们是用银浆装片的，为了提高组装质量的一致性，减少集电极欧姆接触电阻，最近我们把3DG79的装片工艺也改成自动共晶装片。共晶装片是在410℃温度情况下，管芯背面（V，N1，AuGe，AuCeSb，AuGe，Au）六层电极的金属层在振动头振动磨擦作用下，…     

晶体管的大电流性能

本文着重讨论硅平面小功率NPN三极管的大电流性能,对其它类型的晶体管也是有益的。     

结型场效应晶体管漏源饱和电流一致性的控制

1引言结型场效应晶体管漏源饱和电流（符号：IDSS）,是该型产品分档的主要参数。用户根据电子线路的需要,对饱和电流IDSS都有一个特定的要求。在许多情况下,要求的范围仅仅是某档次中的一小段,欲想使此类器件的产品合格率提高,降低成本,就必须想方设法提高IDSS一致性的控制水平。目前,国产的半导体分立器件芯片同国外相比,在一致性控制方面,还存在一定的差距,不但不同批次之间的IDSS一致性较差,而且在同一批次、同一硅片上的IDSS分布悬殊也很大。这一问题的存在,较严重地影响着器件生产厂的产品的对档生产。2影响IDSS…     

内调制光敏管的可靠性分析和设计

介绍了内调制光敏管的可靠性试验及其失效模式和失效机理的分析。寿命试验结果表明内调制光敏管的平均寿命超过１９４９６小时。     

集成电路封装用绝缘胶漏电失效分析

在电子元器件封装领域中,塑封器件正逐步替代气密性封装器件。目前工业级塑封器件已不能满足器件的高可靠性要求,工业级塑封器件在严酷的环境应力试验中经常出现失效。研究了工业级塑封器件在可靠性筛选试验中出现失效的问题,通过X射线观察和芯片切面分析等方法,查明了造成器件失效的原因,并提出了优化改进措施。     

光敏二极管的可靠性和寿命分析

在大量实验的基础上,通过理论分析和数据处理,采用威布尔概率纸图估法,评估了为某种设备的特殊需要生产的一种新型硅光电探测器的可靠性和寿命。在正常工作条件(300K)时,器件的平均寿命为1.04×108h;在40℃时,器件的失效率等级达到国家标准规定6级。详细分析了光敏二极管的失效模式及失效机理,提出了提高光敏二极管的可靠性和寿命的措施。