rGO-SnO2纳米复合物制备及室温下NH3气敏性能

采用沉淀-焙烧法制备了室温下对NH3具有高灵敏度和高选择性的rGO-SnO2纳米复合材料。利用X射线衍射（XRD），傅里叶红外光谱（FTIR），X射线光电子能谱（XPS），扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM）和比表面积（BET）表征分析了纯SnO2与rGO(1.0%)-SnO2纳米复合物的属性。与纯SnO2相比，rGO(1.0%)-SnO2纳米复合物中SnO2晶体尺寸较小，约为6~20nm，比表面积更大，为33m2/g；rGO(1.0%)-SnO2纳米复合材料对0.01% NH3的灵敏度达到了49.6%，是相同NH3浓度下纯SnO2灵敏度的2.1倍，并且响应和恢复时间分别为21s和204s，比纯SnO2缩短了24s和10s，具有良好的重复性，选择性与稳定性；rGO(1.0%)-SnO2纳米复合材料优良的气敏性能是由rGO与SnO2产生的p-n异质结以及溶解的NH3电离出导电离子共同作用的结果。     

水热法制备纳米SnO_2及其气敏性能

以SnCl4·5H2O和氨水为原料、水和乙醇的混合溶液为溶剂,采用水热法制备纳米SnO2。利用粉末X射线衍射、透射电子显微镜和紫外--可见吸收光谱对纳米SnO2样品进行了表征。结果表明:纳米SnO2为金红石结构,晶粒尺寸在2.8~5.3nm,平均晶粒尺寸为3.5nm,颗粒大小均匀、分散性好。进一步制备SnO2气敏元件并评价其气敏性能,发现纳米SnO2样品对乙醇蒸汽具有很高的灵敏度、很好的选择性和快速响应--恢复时间等优越的气敏特性。     

WO3纳米纤维的制备及其正丁醇气敏性能研究

通过静电纺丝法制备了单斜相WO₃纳米纤维,通过简单的涂抹方式将其印刷到Ag-Pd电极片上制备成气敏传感元件。将WO₃气敏元件用于正丁醇气体敏感性测试,结果表明,在350℃下,它对体积分数为100×10^-6的正丁醇的灵敏度为23。同时,该气敏元件表现出优良的响应/恢复特性,其响应时间为34s,恢复时间为26s。结合X射线衍射、扫描电镜和比表面积等表征结果,分析了样品的气敏机理。     

p-n异质结CuO-CeO2的制备及其丙酮气敏性能

以Ce(NO3)3·6H2O和Cu(NO3)2·3H2O为原料、NaOH为沉淀剂,用水热法制备了CuO-CeO2复合材料.采用XRD、SEM、TEM、UV-Vis、XPS和比表面积及孔径分布测试技术对材料进行了表征.结果表明,与纯CeO2相比,CuO-CeO2具有较小的颗粒尺寸和较大的比表面积(38 m2/g).CuO...     

纳米γ-Fe2O3复合氧化物的制备与气敏性质

用溶胶-凝胶法制备了纳米γ-Fe₂O₃及γ-Fe₂O₃/SiO₂复合氧化物,用热重-差热分析 (TG-DTA)、X射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)和二次粒度分布对纳米粒子进行表征,并考察了γ-Fe₂O₃、γ-Fe₂O₃/SiO₂敏感材料对CO、H₂、C₂H₄、C₆H₆等气体的敏感系数及其焙烧温度对敏感系数的影响,并选择了敏感材料对气体检测的最佳工作温度.结果表明,γ-Fe₂O₃/SiO₂纳米复合氧化物中SiO₂对提高γ-Fe₂O₃的相变温度、加强热稳定性及提高催化和气体敏感系数起很大作用.     

喷雾燃烧制备SnO2纳米棒及其气敏性能

采用喷雾燃烧法制备SnO2纳米棒,对其形貌和结构进行了表征. 所制SnO2纳米棒长200~350 nm,直径30~50 nm,沿(001)方向生长. 考察了Fe掺杂量和Sn4+浓度对SnO2纳米棒形貌的影响,分析了其生长机理. 高温快速反应使Fe3+进入SnO2晶格,促使其沿(001)方向取向生长. 对乙醇等有机气体的气敏性能测试结果表明,棒状SnO2比颗粒状的具有更优的气敏性能,在100′10-6(j)乙醇浓度下,棒状SnO2的灵敏度为12,反应和恢复时间分别为9.5和6 s.     

纳米Fe2O3的制备与气敏性质的研究

报道了纳米氧化铁的制备工艺，采用沉淀法、溶胶凝胶法制备了纳米α-Fe2O3、γ-Fe2O3粉体，用热重－差热分析（TG－DTA）、X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和二次粒度分布对粒子进行表征，并制作了气体敏感元件。讨论了纳米氧化铁的制备工艺对气敏性质的影响。     

In_2O_3纳米陶瓷纤维无纺布的静电纺丝制备及气敏特性研究

采用溶胶-凝胶法结合静电纺丝技术制备了直径20~60 nm的超细氧化铟(In2O3)纳米陶瓷纤维及纳米陶瓷纤维无纺布。采用XRD,IR,SEM,HR-TEM,TGA等分析方法对纳米纤维的形貌和显微结构进行了表征,并研究了其气敏特性。由700℃下煅烧的该超细In2O3纳米纤维所制备的气敏元件具有较好的反应和选择性,对甲醛气体表现出较快的响应和恢复速度。     

（急）In2O3-CuO的制备及其光活化下的室温甲醛气敏性能

以InCl3.4H2O和Cu(NO3)2.3H2O为原料,尿素为沉淀剂,采用水热法制备In2O3-CuO复合材料。通过微观结构表征和宏观气敏特性相关联,探究紫外光活化In2O3-CuO复合材料的气敏性能与传感机制。研究结果表明,In2O3-CuO复合材料在375 nm 紫外光照射室温（25℃）条件下对50 ppm甲醛气体的灵敏度为298,与纯In2O3（2.4）相比灵敏度提高124倍,气敏性能的巨大提升归因于In2O3与CuO形成的p-n异质结,协同光活化条件下异质结界面产生的光生电子-空穴与氧物种（O2和O2-）间建立了氧的光活化吸附－解吸循环,使得室温下材料的气体吸附－解吸过程和表面反应增强。为光敏材料的应用和室温气体传感材料的设计提供了新的策略。     

WO3纳米材料的制备及其气敏性能研究进展

WO3作为一种N-型宽禁带金属氧化物半导体,是电阻型气敏传感器材料中研究较为深入,具有良好发展潜力的材料之一。本文对目前WO3材料的制备和改性进行了梳理总结,并对其发展趋势进行了展望归纳。     

高纯纳米ZnSnO3气敏材料的制备及气敏性能

用草酸-氨水共沉淀法制备了ZnSnO3粉体,适当烧结后制备了一种对乙醇具有高灵敏度和高选择性的传感器。用X射线衍射仪和电镜对其成分和形貌进行分析。此外,用DSC-TG检测了草酸-氨水共沉淀法制得的前驱体反应过程,并与其它方法如：固-固反应、氨水反应制备出的粉体作了比较。结果发现：草酸-氨水共沉淀法制备的前驱体,在600℃,30h热处理后,可以获得高纯纳米ZnSnO3粉末。由这种粉末经700℃烧结2h制成的传感器对乙醇的灵敏度可达13．329。在有其它气体共存时,这种气敏传感器对乙醇具有良好的选择性。在30d的连续检测下,具有很好的稳定性。     

新型无机盐Sol-Gel法制备纳米SnO_2气敏性能的研究

探索了双氧水和半透膜结合的新的无机盐溶胶—凝胶工艺方法制各纳米SnO_2气敏材料,对SnO_2进行了1.5%(wt%)PdCl_2掺杂。气敏性能测试表明,掺杂后制各的元件在2.5V加热电压下对5000 ppm的CH_4,灵敏度均接近5,分析后认为PdCl_2掺杂烧结后形成的PdO微晶表面的氧缺陷能够吸附更多的氧,产生溢流效应增加元件灵敏度。     

纳米结构SnO2的制备及其气敏性研究进展

本文总结了纳米结构SnO2的制备及其作为气敏材料的研究现状.通过改进合成方法与控制合成条件均可以获得颗粒尺寸小,比表面积大,特殊形貌包括纳米球,纳米棒,纳米薄膜,多孔结构等SnO2,从而提高SnO2气敏元件灵敏度和选择性.并分析了微波加热法、水热法和溶剂热法制备纳米SnO2的特点.     

In2O3纳米陶瓷纤维无纺布的静电纺丝制备及气敏特性研究

采用溶胶-凝胶法结合静电纺丝技术制备了直径20～60 nm的超细氧化锢(In2O3)纳米陶瓷纤维及纳米陶瓷纤维无纺布.采用XRD,IR,SEM,HR-TEM,TGA等分析方法对纳米纤维的形貌和显微结构进行了表征,并研究了其气敏特性.由700℃下煅烧的该超细In2O3纳米纤维所制备的气敏元件具有较好的反应和选择性,对甲醛...     

纳米WO3掺杂CNTs材料的制备及其气敏性能测试

通过水热法合成纯WO3,并采用原位水热合成的方法制备不同碳纳米管掺杂量(0.2%,0.4%,0.6%,0.8%,1.0%)WO3/CNTS复合材料。复合之前,从四种纯WO3(K2SO4为添加的矿化剂且含量依次为15 g、30 g、40 g、0 g)中选取一种气敏性能最好的合成工艺。结果表明无K2SO4的合成工艺较好,同时对四种纯WO3进行了XRD表征,结果显示无K2SO4的氧化钨为两相晶体,且粒径较小。纯WO3与S-WCNTS掺杂制备复合材料,然后由复合材料制备气敏元件,对H2S进行气敏测试,结果表明S-WCNTS含量为0.6%的复合材料效果最佳,恢复性好且工作电压较低,可达2.68 V,且检出限可达到3 mg/kg,连续曲线的测定也较好。     

水热法合成α-Fe_2O_3纳米微粒及气敏性能研究

以Fe(NO3)3·9H2O、Na OH和CTAB为原料,用水热法合成了α-Fe2O3纳米粉体。用X射线粉末衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对粉体的物相、形貌进行了表征,并将粉体制成气敏元件,进行了气敏性能测试。结果表明,样品为形状规则的立方体颗粒,粒径为60~80 nm,元件对乙醇具有较高的灵敏度。     

SmCoO3纳米材料的制备及其气敏性能研究

以Sm2O3和Co(CH3COO) 2·4H2O为原料,利用柠檬酸溶胶-凝胶法合成了具有钙钛矿结构的SmCoO3复合氧化物纳米材料.所得SmCoO3纳米材料为单相性很好的正交钙钛矿结构,其产物的平均粒径约为30nm,颗粒均匀.由其制成的气敏元件在200℃时SmCoO3纳米材料对H2S的灵敏度最高为20.5,且具有较好的选择性.     

H2S气敏材料研究进展

介绍了SnO2系、ZnO系、ZnS系、WO3系及复合氧化物半导体型H2S气敏材料的国内外研究现状;阐述了掺杂及制备方法对提高气敏材料的灵敏度、选择性以及降低工作温度和缩短响应－恢复时间等方面的影响;提出了气体传感器的发展方向。     

In2O3纳米材料气敏传感器制备方法综述

氧化铟具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,是一种重要的n型半导体。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能,被广泛应用于半导体气体传感器。半导体气体传感器的性能,如灵敏度、选择性、稳定性、响应/恢复时间等,与气敏材料自身的理化性能、形貌、结构具有直接的关系。本文对近年来纳米结构的In_2O_3研究进展进行了综述,以In_2O_3纳米材料的制备方法以及所制备出的不同形貌结构进行分类介绍,对In_2O_3气敏传感器应用进行展望。     

SnO2纳米材料气敏性能的研究进展

近年来,金属氧化物半导体气敏传感器已经广泛地应用于人们的日常生活中,并成为传感器领域的重要分支。其中,SnO_2是最早被研究的一类气敏材料,属于典型的n型半导体金属氧化物,具有制备简单、成本低廉、性质稳定等优点。主要介绍了SnO_2纳米材料气敏性能的研究进展,详细描述了该材料的气敏机理、改性手段,并对其实用化的前景进行了展望。