三代半导体材料构成光子晶体能态密度的研究

基于光子晶体广泛应用,本文利用平面波展开法研究了三代半导体材料构成三角晶格光子晶体能态密度分布规律。得到了当Si作为背景材料构成光子晶体在f=0.25时构成最大光子禁带。AlP作为背景材料构成光子晶体在f=0.24时构成最大光子禁带。GaN作为背景材料构成光子晶体在f=0.3时构成最大光子禁带。三代半导体构成光子晶体对应最大光子晶体禁带宽度较第一二代逐渐增大,研究结果为光子晶体器件的构造提供理论依据。     

信息安全测度构成分析与研究

信息安全测度的构成问题是信息安全度量的关键问题之一,是整个度量过程的“详细设计”。文章总结了安全测度构成的内涵,指出测度构成包括度量声明和度量方式2方面内容;阐述了安全测度构成的基本原理,指出度量信息模型可作为安全测度构成的逻辑模型分析总结了安全测度的选取原则和选取过程,对目前几种典型安全度量方法中的测度构成方法进行了分析和比较。     

广播电视台电视剧剪辑网的构成与应用

广播电视台电视剧剪辑网的系统构成是较为复杂的,不同广播电视台采取的系统构成大同小异,应有针对性的对电视剧的剪辑网构成进行分析,了解具体的构成软件,分析其软件相关功能.本文通过先阐述了广播电视台电视剧剪辑网的基本构成,然后分析了其具体应用.     

信号发生器

信号发生器可分为正弦波发生器和非正弦波发生器（又称为张弛振荡器）两大类,由模拟集在电路构成的正弦波发生器,其电路通常工作于线性状态的运算放大器和外接移相选频网络构成选用不同的移相选频网络便构成不同类型的正弦波发生器。非正弦波发生器通常由运放构成的滞回比较器（又称施密特触发器）和有源或无源积分电路构成。     

声表面波谐振型无源无线温度传感器硬件系统

介绍了一种基于声表面波谐振器的无源无线温度传感系统,系统采用一次变频的构成方式,解决了传统传感系统存在电路结构复杂和控制灵活性差的缺点,给出了系统的具体构成、工作原理和天线的设计。与传统系统构成相比,本系统的构成更简洁,操作性和灵活性更强。实验验证了本系统构成方式的可行性和天线设计的优点。     

“变异构成”在竞技健美操成套编排中的应用

“变异构成”又称特异构成是平面构成中的术语,是电脑平面构成形成的一种方式,指在一种较为有规律的形态中,进行小部分的变异,以突破某种较为规范的单调的构成形式其因素有形状、大小、位置、方向及色彩等.本文将其运用到竞技健美操动作创编的领域,便可以解释在实际创编中存在的无意识的变异现象,以及将此现象进行理论的探讨.     

基于PLC与变频器的恒压供水系统

阐述了恒压供水的构成框图、工作原理及软件构成,侧重于给出恒压供水的实现思路。     

量子密钥分发网络应用技术研究进展

现有的量子密钥分发网络根据其节点不同可分为三类,即由信任节点构成的网络系统、由光学节点构成的网络系统、以及由量子节点构成的网络系统.讨论了由不同节点构成的网络系统的特点,并分别指出了各自的优缺点.最后指出,一个跨越全球的量子密钥分发网络需要由这三种不同的网络系统组成.     

色散渐减光纤环形腔镜非等比耦合传输特性研究

利用光纤环形镜对脉冲进行压缩有着消除脉冲基座的优势而被广泛采用。传统的色散递减光纤构成的环形腔构成都采用50∶50的耦合器,本文通过对不同脉冲宽度及不同类型色散递减光纤构成的环形腔镜研究,分析发现采用60∶40的非等比耦合器较50∶50的耦合器构成的环形腔镜能够获得更高压缩质量的输出脉冲。     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

Influence of the external component on the damage of the bipolar transistor induced by the electromagnetic pulse

A study on the influence of the external resistor and the external voltage source during the injection of the electromagnetic pulse(EMP) into the bipolar transistor(BJT) is carried out.Research shows that the increase of the external resistor R_b at base makes the burnout time of the device decrease slightly,the increase of the external voltage source V_(be) at base can aid the damage of the device when the magnitude of the injecting voltage is relatively low and has little influence when the magnitude i...     

多光子Tavis-Cummings模型中运动原子与二项式光场相互作用的量子纠缠

利用全量子理论,研究了多光子Tavis-Cummings模型中运动原子与二项式光场相互作用系统的量子纠缠特性,讨论了不同初始状态下的二项式光场系数和原子运动速度对纠缠特性的影响.结果表明：二项式光场系数不影响场熵演化的周期性,但影响场熵峰值大小.随着原子跃迁光子数的增多,场熵演化的周期性和消纠缠现象逐渐消失.原子运动的速度影响场熵的演化周期,且影响场熵峰值的大小,而原子跃迁光子数的增大,会消弱原子运动速度对场熵演化的影响.当光场处于中间态,原子运动速度较低,且原子跃迁光子数较大时,光场与原子可以长久地处于量子纠缠态.     

小于两倍槽宽槽孔导向孔添加方式探讨

对0．7mm×1．2mm槽孔分别添加0．4mm、0．55mm导向孔,并分别添加在槽孔中心,距槽孔边1mil及与槽孔边相切,得出添加0．55mm导向孔并其与槽孔边相切时,槽孔孔形最为优良,并且在添加0．55mm导向孔时,其不同添加位置对槽长影响最为显著。     

单脉冲寻向天线和目标的一体化仿真及测角误差分析

本文通过矩量法及其高效数值方法（MLFMA）对近距离目标--单脉冲收发天线的电磁互作用进行一体化数值仿真,定量研究了单脉冲天线的近场角度测量特性.在该近场模型中,目标散射近场的幅、相分布和同轴探针激励的喇叭单脉冲天线的辐射场（对应远场和波束）、接收端响应（对应远场差波束）均采用全波数值模拟获得.首先,计算单脉冲天线的辐射场并将其作为对目标照射的激励条件;接着,计算目标散射近场的空间分布;并计算出单脉冲天线所接收到的目标散射场;最后,使用幅值法和相位法计算出单脉冲天线近场测角角度,并在此基础上对近距离测角误差进行研究.在导弹目标算例中,将天线--目标一体化建模和天线口径面上散射近场的幅、相分布计算结果用于近距离条件下单脉冲天线测角误差的研究,并通过频率、距离的变化对测角精度做了对比分析;发现目标近场散射幅、相分布的非均匀性,是导致单脉冲天线近距离角度测量产生较显著的测角误差的主要原因;而频率较低时,测角误差较小.文中给出了物理解释,并提出近距离测向时借助于较低频信号的校正以降低测角误差的建议.     

基于ANSYS的TO-220封装功率器件热特性校准及优化设计

针对TO-220封装的功率器件,利用ANSYS软件对其进行三维建模及模型校准,校准过程研究了有无PCB板、热源厚度及有无引线对模型准确性的影响。进而基于校准后模型,研究了粘结层面积、芯片相对于基板位置以及基板面积与散热效果的关系。分析结果表明,焊料层面积大小对散热基本没影响,芯片在粘片工艺中应尽量把芯片放置在中间往下方位置,而基板面积越大,芯片散热效果越好。     

基于光波分复用的超长距离光缆随路状态监测

在光缆随路状态监测过程中,为避免因光信号波 长分离难度大而影响状态监测的准确 性,本研究在现场监测站采集光信号的基础上,利用光波分复用过程实现对不同波长光信号 的分离处理。根据分离结果,通过OTDR测试获得监测点到光缆故障点之间的距离,再结合小 波变换过程确定最大故障衰减信息。基于此,利用BP算法实现对超长距离光缆随路中存在的 故障点的定位,实现对光缆随路状态的监测。实验结果表明:该方法的监测过程耗时始终保 持在4min之内,且故障定位准确度在80%左右,证明该方法监测过程 耗时短、效率高,且对故障点的定位准确度较高,大大提升了状态监测结果的准确性。     

无驱动硅微机械陀螺

报道了无驱动结构硅微机械陀螺,推导了输出电压方程。从方程表达式可看出,该陀螺输出信号包含旋转载体的偏航和俯仰角速度及自旋角速度的信息。通过实验说明如何在输出信号中提取相关信息,即输出信号的频率表示载体自旋角速度的平均值,输出信号的包络表示载体偏航和俯仰角速度大小的瞬时值,输出信号的极性由输出波形的相位超前和滞后确定。最后给出该陀螺目前所达到的主要性能指标。     

铜带缠绕型焊柱装联结构的板级热-机械可靠性研究

陶瓷基板与印制电路板之间的热膨胀系数差异较大导致的热失配,和大尺寸、高质量带来的抗振动性能下降,是这类器件板级装联失效的主要原因。针对铜带缠绕型焊柱CCGA板级装联结构在温度循环和随机振动载荷下焊点的失效模式和失效机理进行研究。结果表明,最大应力应变点出现在铜带与焊柱接触界面铜带边缘处,裂纹沿铜带缠绕方向的焊柱横截面向内扩展最终导致开裂。由于铜带和焊柱材料弹性模量性能差异较大,铜带与柱芯接触界面存在应力突变现象,器件长期使用过程中会出现焊柱与铜带剥离进而导致互连失效。铜带材质的选择、铜带与柱芯缠绕质量是影响铜带缠绕型焊柱高可靠应用的关键,铜带与焊柱间良好的冶金互连、铜带间隙充分的焊料填充是有效提高铜带缠绕型焊柱的抗热/机械性能的主要途径。     

Analysis of impurity concentration distributions in pulled semiconductor crystals

InSb and GaSb single crystals were grown by the Czochralski method. The impurity concentration distribution in the melt and crystal was investigated experimentally and computationally as a function of the interface segregation coefficient, the shape of the solid-liquid interface and the growth rate. It was found that the impurity concentration distribution in the melt was largely influenced by the interface segregation coefficient; the impurity concentration in the crystal increased as the shape of the solid-liquid interface became more planar and also as the growth rate increased; the impurity concentration was more markedly influenced by the growth rate than by the shape of the solid-liquid interface. When the growth rate was large, the impurity concentration increased and the shape of the solid-liquid interface was concave toward the melt near the crystal periphery. When the growth rate was small, the impurity concentration decreased and the shape of the solid-liquid interface was convex toward the melt.     

放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗

使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最低层的pn结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏蔽电感到衬底电场,水平和垂直pn结耗尽层厚度随着pn结反向偏压升高改变衬底有效的高阻区厚度,电感品质因数跟随高阻区厚度升降,有效地证明了pn结衬底隔离可以降低电感的衬底电流造成的损耗.