白光LED用Y3-xAl5O12：Ce3x＋材料发光性能的影响因素的研究

采用高温固相法,在氢氩混合气下还原制备了白光LED用荧光材料Y3-xAl5O12：Ce3x＋。研究了助熔剂用量、焙烧温度、保温时间等因素对材料发光性能的影响。研究表明,助熔剂用量、焙烧温度、保温时间对材料的发光性能影响较大,且均存在一个最佳值,当基质原料中Ce3＋掺杂量x为0.06,助熔剂用量为6%（质量）,焙烧温度为1300℃,保温时间为4 h时所得发光材料的性能最好。XRD测试表明,所制备的材料Y2.94Al5O12：Ce03.＋06属立方晶系。荧光光谱测试表明,在365 nm紫外光激发下,材料Y2.94Al5O12：Ce03.＋06呈现白光,其形成的宽带发射光谱的主发射峰波长分别约为427 nm和472 nm。     

Yb掺杂蓝色荧光材料GdVO4:Tm的发光性能

以柠檬酸作为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备不同Yb含量的纳米级蓝色荧光材料GdvO_4:Tm.采用XRD、荧光光谱仪、SEM对产物的相组成、发光性能和颗粒形貌进行了分析.结果表明,所得掺杂Yb的GdVO_4:Tm蓝色发光粉体,粒度约80 nm;在260～310 nm的紫外光激发下,发出明亮的蓝色荧光;当Yb含量在1%(摩尔分数,下同)时,粉末的发光性能最好.     

Bi3+掺杂蓝色荧光粉GdVO4:Tm3+的发光性能

采用共沉淀法制备了Bi3+掺杂的GdVO4:Tm3+荧光粉材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪(PL)对所得荧光粉的晶体结构,颗粒形貌以及发光特性进行了分析。结果表明:Bi3+的掺入不改变GdVO4相的晶体结构,所得的Gd0.99-xVO4:Tm0.013+,Bix3+荧光粉的相结构仍为四方锆型结构。荧光粉体的形貌呈现尺度较均匀的颗粒状,颗粒尺寸约为70 nm。Bi3+的掺入增强了Gd0.99-xVO4:Tm0.013+,Bix3+荧光粉的发光强度,当Bi3+/Tm3+为0.5时,发光强度在波长为476 nm处达到最大值,显示为明亮的篮光。     

新型减摩耐磨自敏监测复合涂层及其发光性能

采用真空热压烧结将高铝青铜减摩耐磨合金粉末与磷光粉体(SrAl₂O₄:Eu2+,Dy3+和BaAl₂O₄:Eu2+,Dy3+)复合,制备在紫外线照射下发光的新型耐磨复合发光涂层,以通过发光现象实现对涂层的存在监测.利用扫描电镜(SEM)、荧光显微镜、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)及荧光分光光度计表征新型复合发光涂层的微观组织及微区成分、相结构、发光性能,并通过摩擦试验研究复合涂层的耐磨指示功能.结果表明,高铝青铜复合发光涂层由β+γ₂+k合金相与荧光粒子组成.在紫外光照射下,复合涂层发蓝绿光,发射光谱主峰位于510 nm;复合涂层摩擦系数为0.26,复合涂层具有较好的指示功能与耐磨性能.     

Er3+和Yb3+共掺ZnS纳米晶的合成及光学性能研究

采用巯基乙酸为稳定剂水热法合成了ZnS:Er/Yb纳米晶。利用XRD、TEM、XPS和荧光光谱对合成的纳米晶进行物相、形貌、化学价态及荧光性能表征。结果表明：合成的纳米晶粒度约5nm,为闪锌矿结构;荧光光谱可知,激发波长为270nm时,发射光谱中主要出现了470 nm, 530 nm和 580 nm三个发射峰,且当合成温度为120℃时,发光峰强度最大。980nm激发纳米晶时,得到了Er离子在540 nm和 650 nm处4F3/2→4I15/2 和4F9/2→4I15/2的跃迁发射峰。     

纳米CeO2在热处理过程中的结构和性能变化

采用XRD方法结合粉体相对密度测定研究了热处理条件对沉淀法合成纳米CeO2的结构和性能的影响. 结果表明: 随焙烧温度升高, CeO2晶粒尺寸显著增大, 晶粒发育趋于完整导致晶格畸变度明显降低, 结构致密程度增加使得晶格常数减小, 粉体烧结程度增大, 相应粉体相对密度随之增加; 较低温度(如300.℃)下, 焙烧时间对CeO2晶粒尺寸无明显影响, 相应晶格畸变度、晶格常数和粉体相对密度变化不大; 较高温度(如700.℃)下, CeO2晶粒尺寸随焙烧时间延长而增大, 且焙烧初期粒子增长较快, 此过程伴随着CeO2晶格畸变度进一步下降, 晶格常数却有所增加, 粉体相对密度略有下降; 认为热处理过程CeO2晶粒生长为扩散生长机制是造成不同焙烧温度下焙烧时间对纳米CeO2结构和性能的影响行为不同的主要原因.     

SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋材料发光性能的影响因素的研究

采用高温固相法在氢气还原气氛下制备了光致发光材料SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋。研究助熔剂用量、焙烧温度、保温时间等因素对材料发光性能的影响。研究表明助熔剂用量、焙烧温度、保温时间对材料的发光性能影响很大,且均存在一个最佳值,当基质原料中助熔剂用量为15％（质量分数）,焙烧温度为1250℃,保温时间为4h时所得发光材料的性能最好。XRD测试表明,所制备的材料SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋属单斜晶系;发射光谱测试表明,材料SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋的发光光谱是以Eu^2＋为发光中心位于525nm的带状谱。     

离子交换法制备ZrO_2:Eu~(3+)纳米晶及其发光特性

以强碱性阴离子交换树脂为沉淀剂,采用离子交换法制备了ZrO_2:Eu~(3+)纳米晶,通过XRD,TEM,HRTEM和EDS等对晶体的结构、形貌及化学成分进行了表征,利用3D荧光光谱、激发光谱和发射光谱研究了Eu~(3+)在ZrO_2纳米晶中的发光性质。结果表明,焙烧温度在800℃以下所得的ZrO_2:Eu~(3+)纳米晶主要为四方结构,晶粒尺寸约为5—20 nm,随着焙烧温度的升高,样品的晶结构发生了细微变化,从900℃开始出现了少量单斜晶,由ZrO_2:Eu~(3+)的3D荧光光谱确定了其最佳监测波长和发射波长,在394 nm波长光的激发下观察到纳米ZrO_2中Eu~(3+)的590 nm(~5D_0→~7F_1)和606 nm(~5D_0→~7F_2)特征发射谱,随着相结构细微的变化,发射光谱的形状及强度均发生变化,说明ZrO_2:Eu~(3+)纳米晶的发光性质对其结构非常敏感。     

BaHfO3:Ce闪烁陶瓷的制备及发光性能

通过掺杂摩尔分数为0.3%的稀土Ce3+,制备了BaHfO3:Ce闪烁陶瓷,用XRD,TG-DSC,SEM及TEM表征了BaHfO3:Ce物相及形貌,研究了不同烧结工艺下BaHfO3:Ce的致密化及显微组织.结果表明:前驱体的晶化转变存在三个阶段,在900℃煅烧2 h合成出BaHfO3:Ce纳米粒子,形貌为近球状,粒径尺寸约为15 nm.经真空烧结与常压烧结的样品致密化和显微组织存在明显差异:前者在1750℃真空烧结保温1.5 h,样品基本致密化,晶粒尺寸在40-50 μm范围内;而后者晶粒尺寸分布离散性较大.真空烧结后的闪烁陶瓷和同组分粉体样品在530 nm波长的激发光谱中分别存在380-420 nm紫色和420-450 nm蓝色的发光谱带,在391,398和445 nm波长处均出现较强峰值,对应着Ce3+4f→5d能级跃迁的吸收,这表明该闪烁陶瓷的发光强度高于同组分粉体样品.     

烧成制度对Sr3Al2O6:Eu2 ,Pr3 红色长余辉材料发光性能的影响

在溶胶-凝胶法成功制得Sr3A12O6Eu2 ,Pr3 溶胶的基础上,着重对不同烧成温度、不同保温时间下Sr3A12O6Eu2 ,Pr3 红色长余辉发光粉体发光性能进行研究.研究结果发现所制得的试样当受到400～550nm激发后,发出红光,其发射光谱最大峰值位于612 nm.1200℃下煅烧2 h得到的粉体发光性能最佳,激发和发射光谱的峰值达到最大值,并且余辉时间最长,可达15 min.