铝电解电容器容量不稳定现象分析与控制

铝电解电容器的无容量主要是因为接触电阻大、裂箔、铆接不良、铆接花瓣小、正极箔表面箔灰厚及原箔腐蚀太深而造成.容量时有时无主要是铆偏、箔片断片、抽芯、铆花毛刺、导针毛刺、铝箔边缘毛刺、露箔等原因而造成.在生产过程中加强铆接、卷绕工序的质量控制,避免出现容量不稳定的现象.     

铝电解电容器等效串联电阻的分析及控制

文章分析了铝电解电容器等效串联电阻对产品性能的影响,讨论了等效串联电阻的构成及其影响因素,阐述了铝电解电容器生产中控制等效串联电阻的对策,推出了一种改进的铆接工艺,能够有效降低、稳定电极箔与引线间的铆接接触电阻。     

铝电解电容器电极箔与引线间接触电阻的改进

铝电解电容器的内部电阻直接影响产品电性能,生产过程中必须降低并稳定电极箔与引线间的接触电阻。通过对铆接过程的分析和研究,提出改进铆接工艺的方法,即采用电极箔预冲孔的铆接工艺。实物测试表明,电极箔与引线间的接触电阻较工艺改进前降低8%～15%,其阻值离散度显著缩小,且后续制造工序及产品使用中的阻值也更稳定,有利于保证产品质量,延长产品寿命。     

微量元素对铝电解电容器铝箔腐蚀形貌的影响

<正> 铝电解电容器铝箔通常要在盐酸或氯化钠溶液中进行腐蚀。铝电解电容器的电容量与腐蚀形貌有很大关系。由于铝中杂质对腐蚀形貌影响极大,因此,要制造优质电容器铝箔,控制铝箔中杂质的含量就极为重要。文献[3～12]报导了铝中杂质或合金元素的作用。 我们发现微量铋和硼对腐蚀形貌有很大     

触点镀金材料的自然腐蚀和电接触特性研究

由于国内环境污染严重,镀金表面经过长期室内自然暴露后生成了大量呈岛状离散分布的腐蚀物。腐蚀物由处于中心的腐蚀核及环绕的腐蚀晕圈组成,腐蚀核下是微孔。在镀金表面的腐蚀物上进行微动试验,发现较薄的腐蚀晕圈同样会造成高且波动的接触电阻,随微动周期增加,腐蚀物被推开后电阻降低。加大接触正压力,初始接触电阻降低,波动减弱,较少微动周期后电阻降为正常值。由于腐蚀晕圈远大于腐蚀核在表面覆盖的面积,因此腐蚀晕圈上的高电阻及其不稳定性造成电接触失效概率大大提高。     

电沉积Zn预处理对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响

恒定电流下在酸碱预处理后的铝箔表面电沉积微量Zn,得到电沉积改性预处理铝箔,对其进行直流电化学腐蚀。使用EDS能谱分析电沉积Zn铝箔表面元素;利用金相显微镜与扫描电镜从断面、表面观察样品铝箔腐蚀形貌;利用极化曲线、失重率、减薄率观测样品铝箔的腐蚀电位、腐蚀效果,研究不同预处理工艺对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响。结果表明:电沉积Zn预处理后,由于沉积在铝箔表面的Zn和Al存在电位差,形成Al-Zn微电池促进铝箔腐蚀发孔,其腐蚀电位由酸碱预处理铝箔的-0.83 V下降到-0.87 V,铝箔腐蚀后隧道孔数量较多,分布更加均匀,减薄率下降,失重率上升,得到了比表面积更大的铝电解电容器用阳极腐蚀箔。     

常用触点材料表面腐蚀物微动电特性研究

针对常用连接器触点材料(镀金、镀镍、镀锡),研究工业环境对其表面的腐蚀性及对触点微动电特性的影响。经过长期室内自然暴露后,镀金、镀镍、镀锡表面生成了离散的呈岛状分布的腐蚀产物。在腐蚀产物上进行了微动实验,发现在自然腐蚀产物的表面初始电阻高于通常的失效标准(10 mW),有的甚至达到1 W。当岛状腐蚀产物在微动过程中被逐渐磨掉后,接触电阻也由跳动渐渐降低至有效值。而当磨损碎屑堆积在微动痕迹附近,或接触表面之间嵌入尘土颗粒,或者在接触区内的腐蚀产物经微动后反而被挤压得更致密时,接触电阻会升高,甚至开路,造成电接触失效。腐蚀产物在微动中的去除与腐蚀物形貌及其机械特性直接相关。     

腐蚀频率对铝电解电容器用低压铝箔性能的影响

采用变频腐蚀工艺以及正交实验法,制备了铝电解电容器用低压铝箔,研究了腐蚀电源频率对所制低压铝箔腐蚀形貌及性能的影响。结果表明:腐蚀孔径随着电源频率的升高而变小,腐蚀电压随着频率升高而降低;频率25Hz为最佳工艺条件,所得腐蚀样品耐压值为83.2V,比容达16.07×10-6F/cm2。     

铝电解电容器制造的关键工序—柳接

铝电解电容器的正、负极通过引出箔或引出线与正、负极箔片柳接而引出，其铆接质量与电容的可靠性密切相关。铆接的方法有刺铆、压铆、超声波焊接等，铆接接触电阻是衡量铆接质量的最重要标志。本文较详细介绍了铆接的基本质量要求与质量控制方法。     

低压铝箔交流腐蚀工艺研究

考察了电解电容器用高纯铝箔在HCl-H2SO4-H3PO4混合酸体系中的交流腐蚀过程,综合配方和工艺两方面主要因素研究铝箔的交流扩面行为。结合SEM形貌分析,重点考察了前级电流密度、后级电流密度及腐蚀电量等对铝箔比容的影响,确定了最佳的低压铝箔交流腐蚀工艺,在2V化成,Cs达76×10–6F/cm2。     

电解电容器用铝箔腐蚀工艺研究

采用正交实验方法,选择腐蚀溶液的组成、腐蚀电压、腐蚀温度和时间四因素,探索影响环保型铝电解电容器用腐蚀箔性能的工艺参数。结果表明:当ψ(H2SO4∶HCl)为3∶1,电压为8V,温度为85℃,腐蚀时间85s时,可以获得高比容(0.59)高强度(弯折次数140)兼顾的性能。腐蚀溶液的组成、电压是影响腐蚀箔性能的主要因素。     

Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态（固溶状态或Ａｌ３Ｆｅ，ＡｌＦｅＳｉ金属间化合物析出状态）直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ、Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ、Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ、Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平。更进一步，控制Ｆｅ、Ｓｉ析出分布状态（弥散状分布）的轧箔工艺，有可能用９９．９３％～９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度铝同样静电容量水平。     

预处理对铝箔电蚀特性的影响

介绍各种预处理条件的功能及对铝箔电蚀性能和最终静电比容的影响。主要的预处理包括：表面清洗，热处理，表面氧化，阴极极化和金属元素的表面沉积等。预处理的作用是通过改善铝箔的结构，尤其是表面结构，提高其电蚀性能，达到充分扩大表面积的目的。大量的研究结果表明，预处理是提高腐蚀箔静电容量的有效措施之一。基于对文献的研究分析，总结出一些有利于提高腐蚀箔比容的预处理措施     

电容器用铝箔隧道孔生长机理研究进展

综述了近年来国内外对铝箔电化学侵蚀机理的研究成果,指出了必须对铝箔隧道孔生长机制有更透彻的了解,需要控制隧道孔生长模式以便最大限度地拓展铝箔比表面积。结合实际研究结论,介绍了铝箔电化学脉冲侵蚀新模型。     

国产及进口高压电容器铝箔的电子显微研究

针对高压箔尚未根本国产化的问题，对日本、法国和国产铸轧电容铝箔进行了成分和显微分析。实验表明大量的（１００）晶面，适量的位错蚀坑、低杂质含量尤其是Ｆｅ元素量是提高高压铝箔比容的关键因素。结合生产实际分析了解决的途径。     

低压铝箔腐蚀的碱洗工艺

对国产高纯Ａｌ箔在电化学腐蚀扩面前进行碱洗是必要的。采用恰当的碱洗工艺，可以提高腐蚀Ａｌ箔的静电比容约１０％。     

影响高压阳极铝箔隧道孔极限长度的因素

研究了高压阳极铝箔在HCl-H2SO4腐蚀体系中,H2SO4/HCl浓度比、Al3+浓度、温度和电流密度对隧道孔长度和铝箔芯层厚度的影响规律。结果表明:提高H2SO4/HCl浓度比、Al3+浓度温度和电流密度,均可缩短隧道孔长度和增加芯层厚度。提出隧道孔的生长受Al3+在隧道孔中的扩散和铝箔表面扩散层中的扩散共同控制,可以对上述因素的影响规律做出更合理的解释。     

Si基GaN HEMT低温欧姆接触工艺研究

研究了在Si基GaN外延材料上实现低温欧姆接触的技术途径。研究了外延层的刻蚀深度、合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,发现外延层刻蚀深度的优化可显著改善欧姆接触特性。采用Ti/Al(10/200nm)金属,在外延层刻蚀深度为20nm以及合金温度550°C时,得到接近传统高温合金条件下的接触电阻,最小值达到0.76Ω.mm,同时实现的欧姆接触电极具有良好的形貌。该技术有望应用于高频、高功率GaN HEMT的工艺。