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本文介绍了一种为远洋现场调查而研制的低本底β计数-α能谱测量装置。该测量装置能同时进行低活度的β测量和α能谱分析,克服了用两套仪器分别测量β计数和α能谱的麻烦,并减小了测量误差。 相似文献
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本文扼要地叙述了近年来硅(锂)X射线荧光谱仪的进展,X射线荧光谱仪对半导体探测器的要求,和对探测器几何形状的选择。文章详细地介绍了硅(锂)X射线探测器的制备工艺,及用该工艺流程制备的灵敏面积为12毫米~2、厚度3.5毫米的探测器,在温度~77°k时给出电容<1微微法,而反向电流,一直到1000伏的反向偏压下仍~10~(-13)安。配上脉冲光反馈前置放大器后,电子学系统的噪声FWHM(简称半宽度)为249电子伏的情况下,对~(55)Fe的5.9千电子伏的谱线得到半宽度为291电子伏。最后对上述结果简单地给予讨论。 相似文献
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本文介绍了30mm~2和80mm~2大面积Si(Li) X射线探测器的研制工艺及测量中的部分问题,并作了讨论。80mm~2探测器的系统能量分辨率为173eV(对~(55)Fe 5.89keV Mn Kα X射线),该指标已达到国外同类产品的水平。 相似文献
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本文主要介绍用锂漂移方法制备单开端同轴锗(锂)[Ge(Li)]探测器的工艺及其主要性能的测试结果。试制成的探测器的灵敏体积为26—43厘米~3,封装在真空度为3×10~(-6)毫米汞柱的低温装置中,在液氮温度(77°K)下使用。典型样品乙-4-5-1的灵敏体积为26厘米~3,其工作偏压为1千伏,对~(137)Cs662千电子伏γ射线能量分辨率为2.8千电子伏,峰康比为14,对~(60)Co1.33兆电子伏γ射线能量分辨率为5.1千电子伏,峰康比为7.7。在25厘米处测得相对于3×3时NaI(Tl)的效率分别为4.2%和3.4%,绝对效率分别为0.47×10~(-4)和0.2×10~(-4)。 相似文献
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本文介绍了GL1221型硅(锂)X射线探测器管芯的制造工艺及与之相配合的脉冲光反馈低温前置放大器。探测器系统的能量分辨率为165eV(对~(55)Fe 5.89keV Mn-KaX射线),计数率为1020cps,电子学噪声104eV。该指标已达到国外同类产品的商品水平。 相似文献
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使用轻便γ能谱仪分析地面钾、铀和钍含量的计数时间通常为1至10min。对各能窗中测到的计数率统计误差要给予考虑,其方法是为计算出的分析值确定标准偏差。这种标准偏差主要受两个相邻能窗内记录到的计数所控制。例如,钾的标准偏差不仅取决于钾窗内的计数,而且还受铀窗内记录的铀-钍混合计数的影响。1,2,4和10min的计数时间通常分别适用于分析13 ppm eU,5至7 ppmeU~3 ppm eU和~1.5ppm eU的铀含量。采用10 min计数,可能测到很低的放射性元素含量:0.5ppm eTh,0.3 ppm eU,0.04%K。然而,用10%的精密度可测到的最低含量约为2 ppm eTh,1 ppmeU和0.15%K。对全岩铀含量为100至800 ppm eU的低品位铀矿石来说,若采用1 min计数时间,至少应该含有20—100 ppm eTh才能提供可靠的钍分析值。对含400至1 600 ppm eTh的钍矿化来说,其相应的铀测定限约为100至200 ppm eU。一般来说,在含有高于200 ppm eU或400 ppm eTH的地面上不能得到可用的钾分析值。 相似文献
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《核电子学与探测技术》1981,(1)
本文介绍了新设计出的低本底~(14)C液体闪烁计数器。仪器采用了串光甄别线路等方法,提高了测量~(14)C的优值并增加了能测的最大年代。对几种不同材料和规格的计数瓶进行了测试比较。 相似文献
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本文报道了一台由Ge(Li)主探测器和环形NaI(Tl)反符合探测器组成的高灵敏度γ谱仪的结构、性能和应用。谱仪用交替的物质屏蔽和井形NaI(Tl)反符合屏蔽降低本底。Ge(Li)探测器的体积为78cm~3,对~(60)Co 的1332keVγ射线的分辨率为2.42keV,不加任何屏蔽时峰康比为36.4,相对效率为16%,对~(187)Cs 点源γ射线全能峰的探测效率为1.6%。本谱仪在不加和加反符合屏蔽时,对~(137)Cs 点源的峰康比分别为79和333;康普顿区积分抑制因子为3.67,康普顿端抑制因子为5.2;在50—2700keV 能量范围内,本底抑制因子为3.2。在物质屏蔽和反符合屏蔽条件下,在上面的能量范围内,谱仪本底为24cpm。对~(137)Cs 点源,当测量时间为1000min、置信水平为95%时,谱仪的最小探测限(判断限)为2.2×10~(-2)Bq(0.59pCi)。本谱仪主要用于分析测量环境样品和其他低水平放射性样品中发射γ射线的核素的含量。 相似文献
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Si(Li)半导体探测器对低能X射线具有能量分辨率好、探测效率高、输出脉冲正比于入射光子能量等特点,故已日益引起人们的兴趣。为使Si(Li)探测器有更高的能量分辨率,制造者正努力研究工作在低温的探测器和前置放大器。一般的Si探测器都有一个耗尽层范围,这个耗尽层是对射线灵敏的部分,它的厚度ω可表示为ω=0.3(ρν)~(1/2),这里ρ是使用的P型材料的电阻率,ν,是加到探测器上的反向偏压,由前式可知,用10000Ω/cm的材料,加200V偏压,也只能得到0.4mm厚的耗尽层,这种厚度对测量X射线显然是太薄了,即使是 相似文献
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刘雨人 《核电子学与探测技术》1985,(4)
在X(γ)射线能谱仪和工业检测仪表中以及剂量仪器中都期待理想的室温X(γ)射线半导体探测器的产生。 1982年11月彭华寿同志在第一次全国核探测器学术会议上作的“低能核辐射探测器进展”一文中谈到,多年来室温化合物半导体探测器的发展一直得到人们的注意,十多年来,国外较集中的对CdTe和HgI_2两种材料进行了研究,并取得了很大的进展,但尚 相似文献
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本文主要叙述中子嬗变掺杂(NTD)单晶硅中~(31)P分布测量使用的小型Si(Li)β辐射探测器的制备工艺。 相似文献
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硅漂移(SDD)阵列探测器X射线能谱测量诊断 总被引:1,自引:0,他引:1
采用最新的SDD探测器阵列测量HL-2A托卡马克等离子体软X射线(1~20keV)辐射的能谱,获得电子温度、Zeff、重金属杂质含量绝对值及其时、空分布。由于SDD探测器较之传统的Si(Li)探测器有体积小、计数率高(≥10^6/S),能量分辨和量子效率高,不需液氮冷却的特点,并采用高速ADC和海量缓存器,电子温度测量的时、空分辨能力接近汤姆逊散射和ECE等方法.而测量精确度、使用寿命、造价、抗干扰能力、适应性等方面优于后者.且信息获取量大,可获得多种等离子体参数而备受重视,是一种最先进的诊断手段。 相似文献
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