HP—1型高压单晶炉

高压单晶炉是拉制离解压高的Ⅱ—Ⅵ族和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体等用的关键设备。我所成功地将原来一台投料量一公斤的硅单晶炉改造成拉制Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体磷化铟(InP)的高压单晶炉。该设备系统经调试,已成功地拉制出磷化铟单晶。炉子结构简单,电气控     

DL—78型单晶炉的热场和减压工艺

本文论述了硅单晶生长炉从1公斤级增长到15公斤级时，其热场设计的基本方法及大容量、长时间拉晶过程中采用的减压工艺。指出在随器件要求而增加硅片直径时，硅单晶锭的直径和长度应成比例增加，即硅单晶长度：直径应大于10:1，而在晶体生长中，坩埚直径。晶体直径应大于2．5：1。在大容量、长时间的晶体生长条件下，保持2．7×103Pa左右的炉压、一定的氩气流量和合理的氩气导流结构是避克拉晶过程中SiO在空间凝聚或在炉内物件表面沉积的必要条件．     

直拉大直径硅单晶热场的设计与测量

本文较详细地介绍了在利用国产大型硅单晶炉拉制直径80毫米重10公斤硅单晶时的热场设计,给出了大容量的石英坩埚外型尺寸、新型结构的石墨坩埚托几何图形和保温系统材料种类与结构参数,特别提出了一种用钨铼热电偶直接测量动态热场的方法,得到了熔体中径向和纵向温度分布曲线。     

国外动态

大直径硅单晶的生长电子计算机和自动化系统的发展,要求直径大、长度高的硅单晶。首先,这是要求提高硅单晶的均匀性,改善集成电路的性能,提高集成度;此外,直径的增大还能显著提高批量生产仪器时的生产率,减少硅的     

微型计算机自动控制CZ硅单晶等径生长

采用CZ法生长硅单晶时,其固体和熔体中的温度梯度是决定晶体生长速度的主要因素。生长速度、晶体直径和炉温三者之间存在着复杂的联系,晶体直径的控制又是一个大热容量滞后的多变量系统。因此常规仪表难以胜任。上海有色金属研究所在国产TDR-40炉上采用微型计算机自动控制晶体等径生长,减轻了劳动强度和减少了操作失误,有效地保证硅单晶质量和实得率。控制用微型计算机以Cromemco CSⅡ为     

北京有色研究总院拉制出直径200mm的硅单晶

北京有色研究总院国家半导体材料工程研制中心继1992年拉制出第一根直径为150mm硅单晶后,日前又拉制出直径为200mm的硅单晶,这标志我国硅单晶制造技术取得新的进步。 半导体材料硅是电子信息技术的基础,被国家列为高新技术发展的重点。这根直径为200mm的硅单晶为N型,重达56kg。加大硅单晶直径,历来被认为是提高硅片产量、降低成本的有效措施,技术难度也相应     

TDR-50型软轴提拉单晶炉的设计特点

一、引言 TDR-50型单晶炉是我国第一台软轴CZ单晶炉,它是自1981年到1983年通过基础实验研究,结合我国生产单晶炉的经验而研制成功的。样机经过工业运行和检测鉴定证明,在主要精度和性能指标方面,达到了国际上同类设备七十年代末期水平。为我国CZ法生产75毫米硅单晶提供先进设备。 七十年代后期,国际上大型CZ单晶炉     

大容量石英坩埚使用的研究

本文简述了DL-78型大直径、大容量直拉硅单晶工艺中石英坩埚的使用情况,对石英坩埚形状、尺寸的确定,原材料类别的选择、其杂质含量对硅单晶的影响,使用后被浸蚀情况进行了探讨,提出了对石英坩埚应力的检测方法及消除应力的热处理方法,测定了其中拉晶过程中的熔解速率。提出了一只坩埚多次投料使用的可能性。     

半导体硅材料进展

综述了国内外硅材料研究动态，分析了电子工业的发展对硅材料的新要求，讨论了硅单晶大直径化，磁场拉晶，连续投料拉晶，粒状多晶等工艺问题及硅材料的市行情，展望了半导体硅材料的发展前景。     

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺锑硅单晶是在ＣＧ－３０００型直拉单晶炉上研制的，直径为８２ｍｍ，晶向（１１１）。石英坩埚直径为...     

对回转式阳极炉的实践与认识

大冶回转式阳极炉是我国自行设计制造的第一台回转式阳极炉,公称能力100吨/炉。经过三年的生产实践,解决了重油还原等工艺与设备问题,生产逐渐正常,最高炉产量达120吨,重油单耗最低降到70公斤,操作环境改善。尤其是,应用重油代替气态还原剂的成功,为在我国推广采用回转阳极炉提供了进一步的可能性。     

在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.     

历产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索，成功实现了在国产设备上搠制Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶。填补了空白，节约了外汇，打破了迷信，为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶

高反压，大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大，大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产D101mmFZ硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索。成功实现了在国产设备上拉制D101mmFZ硅单晶。填补了空白。节约了外汇。为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

大直径（100）区熔硅单晶生长的特点

大直径〈１００〉区熔硅单晶生长的特点谭伟时陈勇刚孙华英周旗钢（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：大直径区熔硅单晶１引言随着电力电子器件的飞速发展，高反压、大电流半导体器件对硅单晶的质量要求越来越高：纯度高、直径大、无位错、无旋涡缺陷及电...     

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硅单晶作为现代信息社会的关键性支撑材料，是目前最重要的单晶材料之一，也是发展计算机与集成电路的主要功能材料。我国以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术不足问题，国外公司垄断高端产品。日前，由西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的国家“863”计划项目“TDR-150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”通过了验收，标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备在我国研制成功。     

大直径区熔硅单晶生长工艺的初步探讨

一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直径区熔硅单晶也开始用于制备大规模和超大规模集成电路,所以国外对此类产品     

硅晶体生长炉

Varian公司的2850型高性能晶体生长炉是一种耐用的高产率的自动控制系统,是为进行无位错晶体的生产而设计的。可以生长直径达5时(125毫米),长40时(1000毫米)的晶体。其标准热区采用直径10吋的坩埚,可容纳15公斤硅。炉室和电源     

炼銅小轉炉炉寿命問題

目前一些炼铜厂吹炼冰铜还广泛采用小型转炉。我厂有三台直径2米的卧式转炉,具有13个风眼,风眼直径为38毫米。所用风机为八级离心式,其风压为1(公斤/厘米~2),风量为80(米~3/分)。砌炉时间每次大修约7天,小修约3天。我厂小转炉寿命较低,去年上半年,每次大修后的炉衬,经45～60炉次便需要进行小修,经常只能勉强维持两台炉子生产,严重影响到生产任务的完成。因此,提高小转     

半导体硅材料展望与设想

本文论述了半导体硅材料的发展特点与趋向。超纯硅的重点在于工艺改革,国外许多公司致力改进西门子工艺设备,研究开发低成本多晶硅新工艺、方法,筹建、扩建大型硅厂等,以降低成本、扩大产量为主;硅单晶侧重工艺设备改革,各国竞相研制现代自动化大直径单晶炉,以增大直径,提高质量为主,研究集中在控制氧含量、降低碳含量、消除微缺陷和提高电阻率微观均匀性等方面;硅片精细加工是发展LSI关键步骤,已成为八十年代发展的新动向,提高表面平整度和制备无损伤表面尤为重要。文中侧重指出提高硅材料质量、削减成本和扩大产量的途径与技术措施。为迎接我国LSI大发展的到来,我们在调研基础上,提出加速发展我国硅工业的十项改革建议,试图形成一个各环节协调发展的、具有我国特色的“硅洲”的设想蓝图。