特种陶瓷烧结技术

特种陶瓷制品因其特殊的性能要求，需要用不同于传统陶瓷制品的烧成工艺与烧结技术。随着特种陶瓷工业的发展，其烧成机理、烧结技术及特殊的窑炉设施的研究取得突破性的进展。1特种陶瓷烧结机理将陶瓷坯体置于高温炉内，使其致密化的过程，即为烧结。特陶坯体的烧结过程必须具备两个基本条件：（1）存在物质迁移的机会；（2）有一种能量（如热能）促进和维持物质迁移。现在有固相烧结、液相烧结及反应液相烧结等烧结模式。它们的材料结构与烧结驱动力各不相同，但各有特色。主要的烧结机理是液相烧结与固相烧结，尤其是传统陶瓷与绝大部分…     

多孔陶瓷的微波烧结技术

介绍了多孔陶瓷的微波烧结技术和烧结机理 ,以及微波烧结与传统烧结的区别 ,并且阐述了微波烧结过程中遇到的棘手问题及其解决方法     

玻璃陶瓷烧结体的烧结性质研究

通过差热分析和扫描电镜分析了不同玻璃组分的烧结和结晶过程，发现不同的氧化物添加剂对玻璃性质影响很大。添加剂种类、升温速率、玻璃粘度、颗粒大小、压力条件等都影响玻璃陶瓷烧结体的性质。     

超低温烧结微波介质陶瓷制备工艺的研究进展

传统方法制备微波介质陶瓷通常需要1 000℃以上高温,不仅工艺周期长、能量消耗高,而且难以实现多种材料体系的集成共烧。如今,无线通讯技术的不断革新和蓬勃发展对微波器件小型化、集成化提出了更高要求,低温共烧陶瓷/超低温共烧陶瓷技术被开发和广泛应用。研究烧结温度更低、烧结效率更高,且微波介电性能优异的节能环保型绿色制备工艺,已经成为全球范围内研究热点之一。液相烧结、热压烧结、微波烧结、放电等离子体烧结、闪烧等烧结工艺的提出促进了低温烧结微波介质陶瓷的发展。最近,又出现了一种新的超低温烧结工艺—冷烧结技术。冷烧结具有极低的烧结温度(一般≤300℃)、可在短时间内实现陶瓷高致密化,且在物相稳定性、复合共烧以及晶界控制等方面有着优势,为超低温烧结工艺以及微波介质材料体系的开发提供了新的契机。     

烧结技术与氮化硅陶瓷显微结构研究

以文以编号为ＳＰＮ氮化硅与编号为Ｍ２０，Ｍ５０的Ｓｉａｌｏｎ材料为例在无压烧结，气烧结和热等静压烧结等工艺条件下进行烧结，测试了材料性能，用ＳＥＭ，ＥＭ和Ｘ衍射等分析手段观察材料的显微结构和相组成，及其对材料性能的影响进行了讨论。     

烧结技术与氯化硅陶瓷显微结构研究

本文以编号为SPN氨化硅与编号为M(20)、M(50)的Sialon材料为例在无压烧结、气压烧结和热等静压烧结等工艺条件下进行烧结，测试了材料性能，用SEM、EM和X折射等分析手段观察材料的显微结构和相组成，及其对材料性能的影响进行了讨论。     

陶瓷微波烧结技术及其进展

本文介绍了陶恣微波烧结的基本原理、材料与微波之间的相互作用机制及陶瓷微波烧结技术研究的最新进展。对陶瓷微波烧结工艺与传统的常规烧结方法作了系统比较，同时对微波烧结技术在陶瓷工业的应用前景作了评述。     

碳化硼陶瓷烧结技术的研究进展

碳化硼(B₄C)陶瓷具有熔点高、硬度大、耐酸碱腐蚀性好、热膨胀系数小等一系列优良性能,被广泛应用于机械、冶金、化工、军事、国防、航天航空、核能等众多领域。本文综述了国内外碳化硼陶瓷各种烧结技术(无压烧结、热压烧结、放电等离子烧结、微波烧结等)的研究进展,并对这些烧结技术的发展趋势进行了展望。     

微波烧结技术应用于陶瓷行业的辩证思考

本用唯物辩证法的观点分析了陶瓷烧结的发展史,全面地分析微波烧结陶瓷的各种矛盾,在此基础上指出了微波烧结技术在陶瓷行业的应用前景。     

Si3N4陶瓷常压烧结研究进展

论述了Si3N4陶瓷常压烧结过程中助烧剂的选择，烧结机理和高温性能改善方面的研究进展。     

微波烧结CaZrO3陶瓷的研究

以CaZrO3为原料，利用微波等离子体烧结技术制备高密度的CaZrO3陶瓷。研究了工艺参数对CaZrO3陶瓷结构的影响。测试了CaZrO3陶瓷的性能。结果表明，微波等离子体烧结技术与常规法相比，其烧结时间明显缩短，性能有所改善。而微波功率和压力是获得优质CaZrO3陶瓷的关键。     

放电等离子烧结（SPS）技术烧结致密AlN陶瓷

利用放电等离子烧结技术烧结氮化铝,不加任何添加剂,在1800℃的烧结温度、25MPa的压力下,仅保温4min,就可达到99％的理论密度,SEM表明试样内部晶粒细小,结构均匀。实验表明,SPS技术可实现快速烧结。     

氧化铝陶瓷及其烧结

氧化铝陶瓷具有良好的性能,故应用广泛。本文介绍了氧化铝变体、氧化铝陶瓷的性质和用途。论述了氧化铝陶瓷烧结动力学并分析了影响烧结的主要因素。     

纳米陶瓷烧结技术研究进展与展望

纳米化被认为是解决陶瓷脆性的有效途径之一。纳米陶瓷的特殊显微结构决定了其独特的性能,如高强度、高断裂韧性、低温超塑性等。此外,纳米效应还可赋予材料特殊的光、电、磁等功能特性。烧结是纳米陶瓷制备的关键环节,初始颗粒在高温烧结过程中极易长大,因此,合理的烧结技术和工艺是促进陶瓷致密化并控制晶粒长大的重要保证。按照是否存在外场辅助条件及辅助条件类型,本工作将纳米陶瓷烧结技术分为无压烧结、压力辅助烧结、电磁辅助烧结3大类,并结合研究实例讨论其烧结机理。通过对不同烧结技术的特点对比,提出目前纳米陶瓷烧结技术存在的主要挑战并进行展望。     

Si3N4陶瓷气氛压力烧结（GPS）技术

本文论述了气氛压力烧结技术产生的技术前景，ＧＰＳ烧结的原理和优越性，介绍了ＧＰＳ烧结工艺的技术关键以及在材料制备中的实际应用。     

玻璃粉粒度分布对复相玻璃-陶瓷烧结性能及介电性能的影响

通过球磨制备了不同粒度分布的玻璃粉,研究了钙铝硼硅/氧化铝系玻璃-陶瓷不同粒度分布的玻璃粉烧结的致密化过程,并讨论了在这过程中物相、微观结构以及介电性能的变化规律.结果表明:随着球磨时间的增加,玻璃粉料变细,烧结的推动力增大,从而导致致密化温度提前.若粉磨过细,烧结后材料结构变得松散,介电损耗有所增大.当玻璃粉D50为1.63μm复相玻璃陶瓷850℃下烧结样品在10kHz下εr为7.8,tan δ为1×10-4,是一种性能优良的LTCC材料.     

无压烧结制备Al2O3/SiC纳米复合陶瓷

用沉淀法包裹微米级SiC颗粒，通过常压、埋烧制备Al2O3／SiC纳米复合陶瓷。通过XRD、TG和SEM等分析了煅烧和烧结过程中相组成的变化、烧成收缩和显微结构。结果表明：利用SiC粉埋烧及碳粉制造还原气氛，含8wt％SiC(平均粒径为5mm)的复合粉末经800℃煅烧、成型，试样于1550℃，2h烧结，可制备Al2O3／SiC纳米复合陶瓷，其相对体积密度达95．2％，在烧结过程中由SiC氧化形成的无定形SiO2及与基质氧化铝反应形成的莫来石前躯体可大大促进烧结。     

放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷的研究

采用放电等离子烧结(spark plasma sintering，SPS)技术烧结氮化铝，在不加任何添加剂的条件下，1800℃，4～20min烧结制备了透明的氮化铝陶瓷。XRD，SEM，EPMA和TEM等测试结果表明，制备出的氮化铝陶瓷纯度较高、晶粒细小、结构均匀，具有良好的透光性能。充分说明SPS技术可应用于透明陶瓷的制备。与此同时，测试结果显示，AlN陶瓷中还含有少量的缺陷，包括位错、层错、气孔、第二相包裹体，这些缺陷无疑会对陶瓷的透光性能产生一定的影响。     

氧化铝陶瓷烧结助剂研究概述

文章综述了近二十多年来国内外氧化铝陶瓷低温烧结助剂体系的研究状况及未来可供研究的方向。