SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系

采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。     

铝合金等离子体淹没离子注入氮层组织及其耐磨性

用等离子体淹没离子注入技术向硬铝ＬＹ１２和锻铝ＬＤ１０注入氮离子，剂量范围为２×１０＾１７～１×１０＾１８Ｎ＾＋－ｃｍ＾－２，并用Ａｕｇｅｒｙ谱（ＡＥＳ）及透射电镜（ＴＥＭ）分析注入层的浓度分析及组织结构，利用机械性能显微探针测量注入层的纳米硬度，进行了磨损试验，氮离子注入到铝合金中能形成细小弥散的ＡｌＮ析出相，显著提高合金表层纳米硬度，耐磨随着注入剂量的增加而提高。     

300KeV氩离子辐照非晶态合金两代表面发泡形成

室温下，用３００ＫｅＶ氩离子辐照了非晶态合金Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｐ１２Ｂ８、Ｆｅ４０Ｎｉ４０Ｓｉ１２Ｂ８、Ｆｅ３９Ｎｉ３９Ｖ２Ｓｉ１２Ｂ８和Ｆｅ３９Ｎｉ３９Ｍｏ２Ｓｉ１２Ｂ８，研究了表面形貌随剂量的演变。在所研究的１．０×１０１７到５．０×１０１７离子／Ｃｍ２的剂量范围，表面形貌以发泡形貌为主，并观测到了两代表面发泡的形成，第二代表面发泡的直径与第一代发泡相比，明显减小。溅射自始至终影响着表面形貌，溅射对表面发泡的腐蚀抑制了剥落、层离等表面腐蚀的出现。当剂量增加到足以溅射掉第一代表面发泡时，针孔形成，针孔的密度随剂量增加而增加。     

二价离子替代的Nasicon及其应用研究

含二价阳离子的Ｎａｓｉｃｏｎ，Ｍ￣（２＋）Ｎａｓｉｃｏｎ（Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ）可由母体Ｎａ＿３Ｚｒ＿２Ｓｉ＿２ＰＯ＿（１２）（Ｎａｓｉｃｏｎ）为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。Ｘ射线衍射分析结果表明离子交换后的产物Ｍ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ大多保持原母体的Ｃ＿（２／ｃ）结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Ｎａｓｉｃｏｎ的电导率相差甚大。其中最好的是Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ，其电导率在４００℃时可达到１．４８×１０￣（－２）Ｓ／ｃｍ。Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ用作微功率固态电池Ｍｇ／ＣｕＣｌ的电解质，该电池的开路电压为２．０７Ｖ，短路电流为１ｍＡ。平均放电电压为１．６Ｖ，电池的放电容量是３．４ｍＡＨ。     

SiC—AlN—Y2O3复相陶瓷的制备与性能

通过热压烧结技术，ＳｉＣ、ＡｌＮ和Ｙ２Ｏ３粉末混合体在１９２０￣２０５０℃、Ａｒ气氛下形成了致密的复相陶瓷。在室温下ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到６００ＭＰａ和７ＭＰａ·ｍ＾１／２以上。运用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成。ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷在１３７０℃氧化试验３０ｈ，其氧化产物为莫来石。     

一氧化碳和苯乙烯交替共聚物的合成与表征

利用乙酸钯和２，２′－联吡啶组成的催化剂体系催化一氧化碳和苯乙烯交替共聚合成出聚（１－氧代－２－苯基丙撑）（ＳＴＣＯ）。采用ＩＲ、ＮＭＲ、元素分析以及广角Ｘ光散射对该聚合物以表征。该共聚物晶体为单斜晶胞，晶胞参数为ａ＝１５．７×１０－１０ｍ，ｂ＝６．１７×１０－１０ｍ，ｃ＝７．４５×１０－１０ｍ，α＝９０．０°，β＝１０４．３°，γ＝９０．０°；晶胞体积为６９７．２×１０－３０ｍ３；空间点群为Ｐ２１／ｃ。此外，对该共聚物热降解进行了初步研究。     

三维碳化硅/碳化硅陶瓷基编织体复合材料

采用化学气相浸渗法（ＣＶＩ）,制备出三维Ｈｉ－ＮｉｃａｌｏｎＳｉＣ／ＳｉＣ陶瓷基编织体复合材料．经３０ｈ ＣＶＩ致密化处理后,复合材料的密度达到 ２５９·ｃｍ－３,所研制的三维 ＳｉＣ／ＳｉＣ复合材料不仅具有较高的强度,而且表现出优异的韧性和类似金属材料非灾难性的断裂特征．复合材料的主要力学性能指标为：弯曲强度 ８６０ＭＰａ,断裂位移 １．２ｍｍ,断裂韧性４１．５ＭＰａ·ｍ１／２,断裂功２８．１ｋＪ·ｍ－２,冲击韧性３６．０ｋＪ·ｍ－２．     

p~＋－GaInAsSb／p－GaInAsSb／n－GaSb异质结红外控测器

ＧａＩｎＡｓＳｂ是红外探测器中重要的半导体材料之一。我们用水平常压金属氧化物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）技术在ｎ型ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层，用ＰＬ谱、红外吸收谱、Ｘ射线衍射和扫描电子超声显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ，ＳＥＡＭ）等实验手段对ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层进行了表征。用ＧａＩｎＡｓＳｂ材料制作的红外探测器的光谱响应的截止波长达２．４μｍ，室温探测率Ｄ＊达１×１０９ｃｍＨｚ（１／２）／Ｗ，２．２５μｍ波长时的量子效率为３０％。本文首次给出了ＧａＩｎＡｓＳｂ外延层的扫描电子超声显微镜像（ＳＥＡＭ像），为扫描电子超声显微镜在半导体材料方面的应用开辟了一个新的领域。     

蓝色SrS：Ce薄膜电致发光矩阵屏

采用ＳｒＳ：Ｃｅ作为发光层制备了可用于彩色薄膜电致发光显示的较大面积的蓝色薄膜电致发光显示屏。非矩阵屏在１ＫＨｚ驱动时最高亮度是９００ｃｄ／ｍ２；矩阵屏亮度为３０ｃｄ／ｍ２；矩阵面积为４０ｍｍ×７５ｍｍ，象元数为８０×１５０线，象元面积为０３ｍｍ×０３ｍｍ。ＳｒＳ：Ｃｅ蓝色发光粉是采用Ｈ２法还原ＳｒＳＯ４得到的。对不同的合成方法及结构，Ｃｅ３＋浓度对ＰＬ性能的影响等进行了较系统的分析。     

快离子导体Na1＋xZr2—yV0.8ySixP3—xO12系统的制备与电性能研究

Ｎａｓｉｃｏｎ型快离子导体Ｎａ１＋ｘＺｒ２－ｙＭ０．８ｙＳｉｘＰ３－ｘＯ１２系统采用高温固相合成，春合成温度在１３７３Ｋ左右完成，该的合成温度在ｘ不变的情况下，随着ｙ的增大而降低，大多烽合成物为单斜晶系；空间群为Ｃ３／ｃ。当ｙ不变，ｘ增大地基地率的变化是先增大，后减小。最佳导一的起始组成为ｘ＝１．５、ｙ＝０．１，其电导率在室温时为３．２０×１０＾－４Ｓ／ｃｍ，在６７３Ｋ时为６．８８×１０＾－２Ｓ／     

RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究

用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料,它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒,７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ,表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析,位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂,所得载流子浓度可覆盖１０１７ － １０１９ｃｍ －３ 的范围。掺Ｓｉ ＧａＮ 的ＰＬ谱表明,Ｓｉ 的引入可提高材料的发光效率。     

MAGNETIC PROPERTIES AND APPLICATIONS OF NEWLY-DEVELOPED NANOCRYSTALLINE Fe_(73.5)Cu_1Nb_2V_1Si_(13.5)B_9 ALLOY

报道了新开发的纳米晶Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ２Ｖ１Ｓｉ１３．５Ｂ９合金的综合软磁性能。新合金的高频铁损水平为：Ｐ３／１００ｋ＝５１０ｋＷ·ｍ－３，Ｐ２／２００ｋ＝７４８ｋＷ·ｍ－３，Ｐ２／５００ｋ＝３６７１ｋＷ·ｍ－３和Ｐ０．５／１０００ｋ＝８７１ｋＷ·ｍ－３。新合金的铁损比早期开发的纳米晶Ｆｅ－Ｃｕ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ合金的低且明显低于优良的功率Ｍｎ－Ｚｎ铁氧体Ｈ７ｃ４的铁损。对铁损与频率和幅值磁通密度的关系进行了分析。也报道了新合金在若干方面的实际应用。     

论不锈钢容器中烘烤对出气率与抽速关系的影响

为了研究真空系统中烘烤时对出气率与抽速关系的影响，在室温条件下未经烘烤和在室温条件下经过温度为１００℃和２５０℃烘烤的情况下，对出气率与抽速的关系进行了测量。测量所得出气率ｑ（Ｔｏｒｒ，ｌ／ｓ，ｃｍ＾２）遵循指数规律：ｑ＝（Ｃｓ／Ａ）＾ｍ，其中，ｃ和ｍ（０〈ｍ〈１）为常数：Ｓ／Ａ为抽气参数，其定义为抽速Ｓ（ｌ／ｓ）与真空容器表面积Ａ（ｃｍ＾２）之比，Ｓ／Ａ的变化范围从２．４６×１０＾－５到１．２６     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

离子注入对Cr12MoV钢表面组织结构和力学性能的影响

研究了Ｃｒ１２ＭｏＶ钢离子注入层的显微组织特征及其对表面性能的影响。结果表明，离子注入使Ｃｒ１２ＭｏＶ钢的表面硬度和耐磨性能得到显著改善，且存在着一个最佳的注入剂量，约为３×１０＾１＾７Ｎ＾＋／ｃｍ＾２左右。离了注入在Ｃｒ１２ＭｏＶ钢表面层中形成了大量细小弥散的第二相粒子，并使α－Ｆｅ晶格发生严重畸变，从而引起材料表面强化。     

SiC－AlN－Y_2O_3复相陶瓷的制备与性能

通过热压烧结技术，ＳｉＣ、ＡｌＮ和Ｙ２Ｏ３粉末混合作在１９２０～２０５０℃、Ａｒ气氛下形成了致密的复相陶瓷．在室温下ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相材料的抗弯强度和断裂韧性分别达到６００ＭＰａ和７ＭＰａ·ｍ１／２以上运用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＴＥＭ分析致密样品的断裂裂纹、形貌和组成．ＳｉＣ－ＡｌＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷在１３７０℃氧化试验３０ｈ，其氧化产物为莫来石．     

在Ag基体上用MOCVD法连续制备YBCO超导带

用ＭＯＣＶＤ法在Ａｇ基体上以－１５ｃｍ／ｈ的带速连续制备ＹＢＣＯ超导带，在８００－８５０℃之间沉积的样品均呈强裂ｃ－轴取向；而在７５０－８００℃间，ｃ－轴取向明显减弱，前者为不规则排列的大片状晶结构，而后者为不规则排列的小棒状晶和发育不育的片状晶，或者为小粒状晶集，所制亲品的Ｊｃ（７８Ｋ，ｏ）一般在０．５－１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２之间，最好的达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２。     

HL—1M装置硼化壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ／Ｃ壁和Ｓ壁的出气特的对比实验研究。Ｂ／Ｃ壁的最大出气率是２．６０×１０＾２０ｍｏｌ／ｓ其中Ｈ２占９９．６％杂质组分３．８×１０＾－３。与ＳＳ壁相比，Ｂ／Ｃ壁的Ｈ２出气率增加了１．３倍，杂质组分出气率小一个量级，且气体的动力学滞留时间得到增强。     

Ar~+离子注入Cu及Cu-Cr双层薄膜的表面硬度和电阻性质研究

本文分别对 ２００ｋｅＶＡｒ＋注入 Ｃｕ及 Ｃｕ－Ｃｒ双层的表面硬度和电阻，以及上 述性质的时效效果进行了测量；同时进行了ＴＥＭ分析，发现Ａｒ＋注入Ｃｕ晶粒随剂量 逐渐细化，而Ｃｕ－Ｃｒ双层混合，在１０１７／ｃｍ２Ａｒ＋注入剂量时，ＴＥＭ形貌图出现了 沟纹，为一离子择优溅射效果。此时形成了单一的 Ｃｕ基亚稳相固溶体。经 ２００℃退 火，有孪晶生成，Ｃｒ沉淀析出。     

Al2O3—SiC纳米复合陶瓷的准分子激光表面改性

采用ＸｅＣｌ准分子激光器（波长３０８ｎｍ）照射Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ纳米复合陶瓷试样，能量密度在０．８～６．０Ｊ／ｃｍ＾２范围内。照射后，表面缺陷消除，形成连续分布的光滑平整的熔化层，并出现亚稳相γ－Ａｌ２Ｏ３。由于表面形貌的改善和结构的变化，使表面韧性Ｋ１ｃ得到提高。