激光模式间的空间相干性分析

本文讨论了单模和多模激光束的空间相干性，在多模激光器中单程相移非简并的模式间是完全不相干的，但单程相移简并的模式间可以发生相干的。     

带有相位调制的光学谐振腔内光场空间相干性的演化

基于激光谐振腔的理想开腔模型及其在空间频率域的相干模式理论,通过数值模拟分析了含有相位调制型元件的光学谐振腔内光场空间相干性的影响,讨论了产生这种现象的物理机理.数值计算结果表明:空间相干性随光场在腔内振荡次数的增加最终仍然会趋于完全相干,但对不同的相位调制形式,光场空间相干性在腔内的演化情况有很大的区别.     

部分相干平顶光束在大气湍流中空间相干性研究

采用Rytov相位结构函数二次近似的方法和广义惠更斯-菲涅耳原理,推导出了部分相干平顶光束通过大气湍流传输的空间相干度公式,研究了湍流对光束空间相干特性的影响.研究表明:部分相干平顶光束的空间相干性由大气湍流折射率结构常数、光束的相对空间相关长度、平顶光束的阶数、传输距离和观察点位置坐标等因素共同确定.部分相干平顶光束通过湍流大气传输时,其空间相干度会出现振荡和相位奇异现象,但随着湍流的增强,振荡减弱,直至振荡和相位奇异现象消失.     

大功率VCSEL器件的空间相干性的研究（英文）

由Van Cittert-Zernike提出的部分相干光定理出发,研究了大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其列阵器件的空间相干特性。采用杨氏双缝干涉实验装置得到980nm波段VCSEL单管器件的干涉条纹图样,再将干涉图样转换进行灰度读取处理得到光强分布图样,最后分别采用积分法和平均值法对光强图样进行计算,所得结果与由Van Cittert-Zernike定理所得的空间相干度理论值进行对比,并讨论了VCSEL器件发光孔径对其空间相干度的影响。实验结果表明提出的积分法计算出的空间相干度与理论值的误差在2.5%37.4%。而常用的平均值法所得结果与理论值的误差为7.5%120.5%。可见,传统算法误差普遍大于积分算法1.527倍。出光孔径在200500μm的单管VCSEL器件相干度在0.731~0.426之间,且发光孔径越小,其相干度越大。分析了积分平均值法和传统平均值法的优劣及VCSEL器件出光孔径对相干特性的影响,为VCSEL相干列阵的设计提供了必要的理论和实验依据。     

激光的高亮度与相干性

本文根据辐射场的量子理论，阐述了高亮度和相干性均为激光基本特征的看法。     

激光空间相干性对照明均匀性影响的实验研究

对激光束空间相干性对照明均匀性的影响进行了实验研究。实验结果表明,激光束的空间相干性与照明均匀性具有密切的关系,当激光束空间相干性降低时,目标上照明光斑的闪烁率和功率谱密度也下降,激光照明的均匀性得到提高。所得结果对实际工作中照明激光器的选择是有用的。     

动态光散射中光子相关谱测量系统的空间相干性问题

利用光干涉的简化模型讨论了动态光散射中光子相关谱测量系统的空间相干性要求的物理本质。利用相干面积概念对光子相关谱测量系统空间相干性判据的几种常见表述进行了规范。提出一种具有普遍意义的简明判据。     

紫外光源的空间相干性对光纤光栅写入的影响

对相位掩膜法紫外写入光纤光栅技术中紫外光源的空间相干性对光纤光栅特性的影响进行了详细的理论与实验研究。结果表明,紫外定入光源的空间相干性对光纤光栅的特性有一定的影响,只有在紫外光垂直入射且光敏光纤靠近相位掩模板的情况下,才能制作出性能优良的光纤光栅。     

腔内线性调频影响激光相干性的实验研究

介绍了腔长调制线性调频信号体制引起激光相干性降低的实验研究。对这种影响的机制提出一种理论分析，认为腔长调制可能使激光器谐振腔端镜产生随机振动，从而影响激光的相干长度     

微腔有机发光二极管

设计了由分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）和金属反射镜面形成的微腔结构。利用８－羟基喹啉铝（Ａ１ｑ３）作为电子传输层兼作发光层,ＴＰＤ作为空穴传导层,了有机发光二极管（ＯＬＥＤ）和微腔有机发光二极管（ＭＯＬＥＤ）。发现ＭＯＬＥＤ的光谱工比ＯＬＥＤ的窄得多,而光密度则得到了增强,对腔长进行调节,ＭＯＬＥＤ光谱峰出现移动。实验结果与理论计算基本符合。     

脊形波导大功率发光二极管

采用自对准工艺制作的分段吸收式脊形波导结构发光二极管，在出光面蒸镀λ／４介质增透膜，以增大器件的自发辐射发量，增大器件耦合效率。光束发散角小。用标准单摸光纤耦事，在２５℃、１００ｍＡ下的光功率大于２０μＷ，最大可达５０μＷ。用７０支器件在５０、８０、１２０℃及１５０ｍＡ ＣＷ条件下进行加速老化寿命试验，在测试３５５０ｈ后，共计２４８５００器件小时，没有一支器件失效，器件性能稳定可靠。用测试结果可计     

采用光学干涉方法实现高对比度聚合物发光二极管

为了得到高对比度的聚合物发光二极管（PLED）．设计并制作了消光干涉结构位于有机层之外的新型聚合物二极管。消光干涉层的结构为：CrOx／Cr／1TO／Cr。在玻璃衬底和ITO阳极之间溅射的光学干涉层可以部分消去背景光的反射。这种方法不需要考虑光学干涉层和OLED或PLED材料之间功函数匹配．以及在溅射过程中对有机层的损伤等问题。制作的器件的对比度为14．7：1．这比没有采用光学干涉结构的器件的对比度要高得多。结果说明新型的光学干涉结构确实起到了提高器件对比度的效果，对器件参数的进一步优化有望达到一个实用化目标。     

ZnO同质pn结发光二极管研究进展

氧化锌是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,制备性能优良的ZnO同质结是ZnO在光电器件领域获得应用的关键之一。文章综述了近几年ZnO同质结发光二极管研究进展,详细介绍了各种结构ZnO同质结发光二极管的最新研究成果和存在的问题,并对ZnO同质结发光二极管的发展趋势进行了展望。     

InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究

用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED).场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖面结构.室温下阴极射线荧光谱(CL)的测试发现了位于461 nm...     

应用LaB6透明阴极的有机发光二极管器件

采用了类似于电子束蒸发工艺制备透明有机发光二极管(TOLED)的阴极。使用了一种新材料LaB6作为透明阴极,器件结构为ITO／TPD／Alq3／LaB6。LaB6薄膜的沉积是利用氧化物阴极的电子束轰击装在石墨坩埚的LaB6粉末。由于LaB6的功函数很低,器件具有良好的电子注入性能。器件在可见光光谱范围的透过率为70％左右,当驱动电压为7．2V,对应注入电流密度为4．8mA／cm^2,亮度可达100cd／m^2。     

直接调制半导体激光的相干性

本文分析了直接调制半导体激光的相干性，并予实验证实。对深入了解直接调制半导体激光的特性，具有实用价值。     

Novel Current Driving Circuit for Active Matrix Organic Light Emitting Diode

This paper describes a novel current driving circuit for an active matrix organic light emitting diode (AMOLED). The proposed current driving circuit has a lower power consumption and higher chip density for the AMOLED display compared with the conventional one because all elements operate at a normal voltage and are shielded from the high voltage of the panel. The chip size and power consumption of the current driving circuit for an AMOLED can be improved by about 30 to 40% and 10 to 20%, respectively, compared with the conventional one.     

AlGaInP发光二极管的全方位反射镜研究

全方位反射镜(ODR)AlGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率。对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,光刻腐蚀导电孔,带胶保护,溅射AuZnAu,剥离后,再溅射300nmAu层,形成的ODR退火后在波长630nm处的反射率为72.1%,而单次溅射AuZnAu的反射率退火后为63.2%。实验结果说明新工艺满足了欧姆接触的需要,反射率提高了8.8%。     

被动驱动有机发光二极管矩阵屏老化性能的研究

对102×64点阵的单色被动驱动的有机电致发光(OLED)矩阵屏进行了老化研究。矩阵屏的结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3∶C545/LiF/Al。测量了老化前后矩阵屏的电流-电压-亮度曲线,以及电致发光(EL)和光致发光光谱(PL)。比较发现,老化后的器件在同样恒电流的情况下表现出更高的驱动电压,更小的漏电流,以及在阴极和有机层界面上电致发光和光致发光的光谱强度减弱。矩阵屏在老化17 h后,电致发光和光致发光的强度分别降低到初始值的75.6%和81.4%,分析认为,这是因为老化过程中部分发光材料分解,从而造成对矩阵屏的永久损伤。