基于非晶带GMI效应新型弱磁场传感器

利用退火处理后的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶带作为敏感元件,研制出一种基于非晶带GMI效应的弱磁场传感器。分析了传感器的工作原理,设计了该传感器的信号处理电路,并对传感器的测量范围、线性度等性能进行了标定。传感器可应用于地球磁场、环境磁场等微弱磁场检测领域。     

非晶镍铁磁敏薄膜的巨磁阻抗效应

采用异常电沉积法在厚度为60～80μm的铜基片上制备了非晶镍铁磁敏薄膜,厚度为25～30μm.非晶镍铁磁敏薄膜具有优异的软磁性能,感生的切向各向异性会使薄膜在切向方向上形成磁畴,在薄膜纵向的交流电流驱动下产生振荡,导致非晶薄膜的阻抗变化.在10kHz～1MHz范围内研究了复合NiFe/Cu/NiFe磁敏薄膜与单层NiFe薄膜的巨磁阻抗效应特性.频率为40kHz时,在饱和磁场下,巨磁阻抗变化率达到最大值30%,复合NiFe/Cu/NiFe磁敏薄膜比单层NiFe薄膜的具有更明显的巨磁阻抗效应.     

钴基非晶磁芯巨磁阻抗效应电流传感器

利用钴基非晶薄带环形磁芯的巨磁阻抗效应研制了新型非接触电流传感器。磁芯在2kA／m横向磁场作用下，用密度为25A／mm。短时矩形脉冲电流退火30s，通过CMOS多谐振荡电路产生的频率为900kHz窄脉冲电流激励，最大阻抗变化率为34％，磁场灵敏度约为45％Oe。分析了传感器工作原理，设计了传感器电路，通过参数的优化和电流负反馈设计提高了传感器的分辨率、线性度、灵敏度和测量范围。设定测量范围为-2．5～＋2．5A时，传感器测量精度为0．45％，灵敏度为0．67V/A     

Fe78Si9B13非晶薄带的巨磁阻抗效应

采用4284A型阻抗分析仪研究了退火处理、非晶薄带长度、交流电频率和磁场强度等对Fe<,78>Si<,9>B<,13>非晶薄带巨磁阻抗效应的影响.结果表明:退火可以提高非晶薄带的阻抗变化幅度;其阻抗随着薄带长度的增加和交流电频率的升高而增大,随着磁场强度的增大而减小;其阻抗变化幅度随着薄带长度的增加和交流电频率的升高和...     

非晶丝磁电阻抗效应新型磁场传感器

研究了利用近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金丝材料(Fe0.06Co0.94)72.5Si12.5B5的磁电阻抗(MI)效应制作的新型弱磁场传感器采用含有丰富谐波分量的窄脉冲电流作为励磁信号对非晶丝直接励磁，使传感器具有灵敏度高、响应快的优点．对传感器的工作原理进行了分析，并设计了传感器的信号调理电路．它可应用于弱磁信号检测领域。     

基于可编程逻辑器件的巨磁阻抗效应传感器应用

介绍ispLSI1032E的基本结构及其开发软件ispDesignExPERT的应用。在此基础上，文中设计了基于ispLSI1032E巨磁阻抗效应所需要的稳定的激励源。全数字化设计，使得该系统控制方便灵活。     

巨磁阻抗磁传感器的研究进展

基于巨磁阻抗效应(GMI)的磁传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一.采用非晶或纳米晶材料可以制备丝、薄带、薄膜和多层膜等不同的形态,利用它们的GMI效应制成GMI磁传感器,其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗.叙述了巨磁阻抗磁传感器的研究进展,分别以非晶丝和多层膜为敏感元件的GMI磁传感器为例.着重对传感器的敏感材料、结构形式、处理电路及性能做了介绍,并指出了GMI磁传感器目前存在的问题及将来的发展趋势.     

带材非对角非对称巨磁阻抗效应传感机理建模

非对角非对称巨磁阻抗效应机理建模是研制高灵敏巨磁阻抗磁传感器的重要基础工作.综合考虑非对称巨磁阻抗效应存在的3种工作模式,建立带材高频特性的理论模型,基于线性Landau-Lifshitz动力学方程和Maxwell方程推导传感用非对角电压的表达式,数值分析讨论非晶层厚度和直流偏置电流对输出电压场特性的影响.研究结果与实验结果相符合,表明所建立模型方法是有效的、正确的,对更加系统、全面研究非对称巨磁阻抗效应具有一定的指导价值,有助于高性能的磁传感器的研制.     

基于巨磁阻抗效应的新型微磁近感探测技术

在分析FeCoSiB材料的非晶丝物理特性和巨磁阻抗效应的基础上,通过对现有磁传感器电路具体形式和算法的改进,设计了基于非晶丝巨磁阻抗效应和谐振桥路的新型微磁传感器探测电路,保证了系统的高灵敏度、快速响应及低功耗等特性.同时,基于巨磁阻抗理论,提出了用非晶丝微磁传感器取代普通磁性元件,并采用DSP+CPLD进行数据处理的方法,确保电路的实时性,为今后微磁近感技术在电子探测和定位方面的改善与提高提供了技术支撑.     

一种新型的磁敏传感器

利用铁基纳米微晶材料的磁敏特性和LC反馈式振荡器的特性,设计制作了一种新型的磁敏传感器,并对其性能进行了测试,实验结果表明,该传感器具有良好的性能,可用作弱磁场探测、磁敏开关等.     

基于非晶丝低频磁阻抗效应的无圈磁通门传感器

介绍了非晶丝低频磁阻抗效应的理论,并制作了实验装置.利用晶体振荡电路以及低通滤波器获得的正弦信号激励外加扭转应变的钴基非晶丝,对非晶丝两端的输出电压信号提取二次谐波分量,通过改变施加给非晶丝的扭转应变以及激励信号有效值的大小,测出了二次谐波电压随被测磁场之间的变化关系,确定了最佳扭转应变和最佳激励电流有效值,最后设计出了一种无圈磁通门传感器,该传感器在弱磁检测领域具有很好的应用前景.     

新型非晶态合金丝磁场传感器的研究

研究了利用近零磁致伸缩系数的钴基非晶丝材料制成的新型磁场传感器。它具有线性度好、灵敏度高、频响快、温度稳定性高、体积小等优点。对该传感器的工作原理进行了分析,给出了部分实验结果,并介绍了研制中的一些关键技术。     

单磁芯双绕组非晶丝新型磁场传感器的研究

本文研究了利用近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金丝制成的单磁芯双绕组新型磁场传感器。通过对敏感元件的优化设计,改善了传感器的线性度、灵敏度、温度稳定性指标。分析了传感器的工作原理,给出了部分实测结果。对传感器的信号处理电路进行了设计。     

非晶带材生产线用磁性卷取辊吸附特性分析

根据对起卷吸附过程的力学分析建立完成起卷所需满足的力学条件。基于麦克斯韦电磁方程组,采用数值模拟方法对磁性卷取辊起卷吸附过程进行二维瞬态分析,探讨了永磁铁布局对磁吸附力的影响规律。对卷取辊外侧永磁铁布局结构进行优化,并通过模拟计算得到起卷吸附过程中磁吸附力随气隙的变化规律。模拟结果表明:在给定的气隙及空间范围内,磁性卷取辊能够克服各个阻力并完成起卷过程。     

阵列型非晶态合金磁场传感器

本文介绍一种阵列型磁场传感器,它用CMOS模拟多路开关,将数个非晶态合金磁芯线圈组合成一个磁场传感器阵列,可以检测磁场的空间分布。其典型灵敏度和量程范围分别为1.9V/mT和±0.6mT。     

非晶态合金带圈力敏特性研究

对高频弱磁场激励下的非晶态合金带的应力磁效应进行了研究。研究结果表明具有大的应力敏感性的非晶带材料可用来制作力传感器。本文还给出了非晶合金带圈力传感器的原理及一些测试结果