半导体质量控制中的非正态工序能力指数计算模型

分析了目前几种主要的非正态工序能力指数计算模型,指出其适用范围和不足之处.根据数据的均值、标准偏差、偏度和峰度四个变量能够体现分布特性,结合切比雪夫-埃尔米特多项式,提出了新的非正态工序能力指数计算模型,该模型能克服数据偏差大时对计算结果的不良影响,并且其代数计算公式可以简化计算.实例分析结果准确有效.     

基于权重系数的多变量工序能力指数计算模型

在因子分析模型的基础上，使用主成分分析方法计算载荷矩阵，选取全部公共因子，并考虑对应因子的贡献率，建立基于权重系数的多变量工序能力指数计算模型。该模型能克服多变量个数的限制问题。实例分析表明，计算结果能有效地反映工艺水平的变化。     

基于成品率的多变量工序能力指数模型

在K.S.Chen et al.(2003)和M.T.Chao et al.(2005)研究理论的基础上,改变他们使用的单变量工序能力指数表达式,建立了基于成品率的多变量工序能力指数计算模型。该模型不要求工序的单个质量特性数据分布必须满足正态分布,并在一定程度上简化了计算过程,其理论基础对应用人员更容易被理解。同时,指出并改正当前对工序能力指数和成品率关系的错误应用,最后给出该多变量工序能力指数的应用分析。     

现代电子元器件质量管理中的评价技术:工序能力指数分析

本文从现代电子元器件质量管理的新要求出发,介绍了现代电子产品评价技术:工序能力指数、统计过程控制以及PPM技术.重点介绍了工序能力分析的基本概念,分析了工序能力指数的国内外研究现状,提出了目前存在的问题,并对未来的解决途径进行了展望.     

多变量工序能力指数系统模型

工序能力最终决定微电子工艺的质量水平。工序能力指数确定能够有效地确保微电子工艺水平。随着微电子工艺水平的快速发展,工艺趋于复杂化,工艺水平评价需要关注一个以上的特征参数。因此,传统的单变量工序能力指数不能有效综合的分析工序的水平。本论文提出了一个多变量工序能力指数模型系统。这个模型系统包括针对数据满足多变量正态分布的域多变量工序能力指数;针对数据不满足多变量正态分布的因子多变量工序能力指数;以及成品率多变量工序能力指数。最后通过实例分析算验证这些多变量工序能力指数是有效和实用的。     

基于工序能力的动态质量成本模型

秉承着持续改进的现代质量管理理念,使得传统的静态质量成本理论受到严重的冲击和挑战。该文探讨了传统质量成本模型的局限性,结合持续改进的理念,提出了基于工序能力的动态质量成本模型,为企业转变质量成本管理的观念,加强质量管理,持续改善工序能力提供了理论依据。     

SPC在半导体生产中的应用

统计过程控制(statistic process control,SPC)是一种科学有效的方法,该技术的应用改变了以往靠经验来进行调整生产的模式。以M IM电容为例,首先通过对电容容值数据连续采集,进行定量的数理统计分析,评估该工艺的工艺控制能力。然后绘制控制图,对工艺进行监控。通过分析控制图,最终对工艺过程的能力水平以及是否处于统计受控状态作出定量结论。在工艺过程中当发现统计数据异常时,及时采取纠正措施,使工艺状态始终受控。通过运用SPC技术对数据进行分析,能有效改进工艺,提高产品质量。     

数理统计方法在IC大生产中的应用--试论工序能力指数与成品率的关系

单道工序能力指数Ｃｐ和单道工序的成品率ｙ是全面质量管理的两个关键参数。本文利用余误差函数表和线性插值修正法计算了不同Ｃｐ的ｙ值，并给出了对应表格，从而大大方便了数理统计方法在工业化大生产中的实际应用。     

工序能力指数Cpk在键合工艺中的应用

本文主要介绍TT序能力指数Cpk的评价技术含义和基本原理，如何通过其在薄膜混合集成电路的键合工艺中的应用，提高产品的质量和可靠性。     

混合微电路生产过程中的样本量极少工序质量控制方法的研究

本文对批量不足以进行统计控制的样本量极少的工序,提出了用标准值验证图对标准值给定的工序进行质量控制。并对该方法的工作原理、应用特点等进行了论述。     

采用SPC技术控制半导体器件的工艺质量

统计过程控制(SPC)技术已广泛用于半导体器件生产,采用SPC技术可以提高半导体器件的质量和可靠性。利用控制图可以监控生产过程状态,对生产中出现的异常及时进行分析、改进,使半导体器件工艺的生产过程处于受控状态。介绍了SPC技术的基本概念和技术控制流程、常规控制图及其分类以及引用的国家标准。给出了目前的工序能力指数(Cp)的控制水平、工序能力指数和工艺成品率及不合格品率的对应关系,以及几种在常规控制图基础上扩展的适合半导体器件工艺的其他控制图技术,分析了国内某半导体器件生产线SPC技术的利用情况及存在的问题。     

过程能力指数与过程能力满足程度探讨

针对传统上利用过程能力指数Cp值评价过程能力满足程度的不足:没有考虑质量特性测量数据的分布中心μ与质量特性规定值的允许波动范围(公差)的中心值M一般存在偏移,导致使用者对过程能力满足程度评价发生偏差。为此,该文提出利用过程能力指数Cpk值评价过程能力满足程度的意见。首先研究仍然采用五级加工类型与五级过程能力满足程度评价标准,用过程能力指数Cpk代替Cp,Cpk的范围也为五档,与Cp的范围相同;然后研究偏移量大小对过程能力满足程度的影响,计算偏移量分别为0.5σ、1σ、1.5σ、2σ、2.5σ时相应的Cp值和不合格品率P值,发现在Cpk为五种情况中的任何一种情况下,偏移量△变化时,不合格品率P没有什么变化,但是不合格品率与原先有所不同。考虑原先过程能力评价标准实际上由其相应的不合格品率P大小确定,所以在研究五种加工情况下,不合格品率P不变时,计算相应的过程能力指数Cpk,得出应利用该过程能力指数Cpk评价过程能力满足程度才是正确做法的结论。     

从工序能力分析到6σ设计

从国内质量管理人员广为熟悉的工序能力分析的角度，阐述6σ设计的基本概念、设计水平评价标准和相关技术，包括“6σ”设计的含义、6σ设计目标是3.4PPM的缘由、6σ设计与传统工序能力分析的联系和本质区别以及实现和评价6σ设计需要解决的关键问题。     

面向产品不合格品率的制造过程质量监控系统

利用统计公差技术,建立过程能力指数和产品不合格品率的关系模型,在Cp-k确立的平面下对过程质量不合格品率进行监控。并基于以上理论模型,设计面向不合格品率的制造过程质量监控系统。该系统可以作为常规控制图的一种并行监测方法,在确保生产过程稳定的前提下,利用该技术监控生产过程,可以监视实际生产过程是否达到预期的质量指标,能够更灵敏的反映生产过程的状态。     

半导体分立器件的可靠性工艺控制方法

重点介绍了国内外半导体器件制造工艺与器件可靠性的相关性报道：工艺缺陷、微缺陷、关键工艺对器件质量和可靠性的影响及其控制方法；还介绍了关键工艺控制点的确定及其参数控制范围以及生产高质量、高可靠性器件的工艺环境的控制要求。     

芯片剪切强度的工序能力分析

确定了芯片剪切强度的三种工艺规范区域:分别是芯片面积小于0.32 mm2、大于4.13 mm2和在两者之间的三种规范区域;并使用工序能力指数Cpk对芯片剪切强度进行了分析,根据分析结果,指出在6σ设计要求下,可以从IC设计水平方面、生产工艺调整以及粘结材料的改变三方面改进芯片的剪切强度,提高工序能力水平和工艺成品率.