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Ｂ注入ｎ（Ｓｉ）－ＧａＡｓ层，经高温退火在ＧａＡｓ晶格恢复过程中，Ｂ将占据ＧａＡｓ晶格中一定位置成为替位Ｂ，当Ｂ取代Ａｓ位，则形成双受主ＢＡｓ，，当Ｂ取代Ｇａ位，并形成络合物ＢＧａＹＡｓ，将促使Ｓｉ占Ａｓ位，形成受主ＳｉＡｓ和受主络合物ＢｇａＳｉＡｓ，由于所产生的受主与ｎ层中施主ＳｉＧａ的补偿，减少了ｎ 的载流子浓度，即Ｂ的化学补偿效应，本采用霍测量及光致光发测量对Ｂ的补偿行为进行分析。 相似文献
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本文简要介绍了ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的发展现状，用湿法工艺制作了自对准ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ，其电流截止频率高达５０ＧＨＺ，性能优于我们在同等工艺条件下制作的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＰ。 相似文献
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ＡＸＥ＿１０中 ,ＢＧ用户不仅具有ＰＳＴＮ用户所具有的业务功能 ,还具有ＰＳＴＮ用户所没有的一些业务功能。由于ＢＧ用户与ＰＳＴＮ用户都有的功能其实现方法相同 ,故本文只介绍几种有别于ＰＳＴＮ用户的ＢＧＳ业务功能在ＡＸＥ＿１０中的实现。１连接ＰＡＢＸ的功能我们都知道 ,ＢＧ既可连接分机 ,又可连接ＰＡＢＸ。那么ＰＡＢＸ功能在ＢＧ中是如何通过指令来连接的 ?具体定义步骤如下：(１)定义ＰＡＢＸ的引示号码“ＳＮＢ”及对应的分机号码“ＢＳＮＢ”＜ＢＧＳＧＩ：ＢＧ＝,ＳＮＢ＝,ＢＳＮＢ＝,ＰＸＲ＝Ｂ -０／Ｉ-０／Ｏ -０… 相似文献
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介绍国外一种新型的微电子封装——BGA（球形触点阵列）封装 总被引：1，自引：0，他引：1
综述了球形触点阵列封装的概念，特点，种类以及和ＱＦＰ（方形扁平封装）的比较。介绍了ＢＧＡ的制作及安装，ＢＧＡ采用的焊接材料。对ＢＧＡ的生产，应用及典型实例进行了叙述，最后，指出了ＢＧＡ的未来前景。 相似文献
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研究了电压控制振荡器（ＶＣＯ）的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系,测试了ＳｉＢＪＴ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ和ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的低频噪声,并分析了各自低频噪声产生的原因,提出了选择ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ ＶＣＯ来实现微波固体振荡器低相位噪声化这一发展方向。 相似文献
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本文比较了ＧＪＢ３３Ａ－９７与ＧＪＢ３３－８８、ＧＪＢ１２８Ａ－９７与ＧＪＢ１２８－８６之间的差异，分析了企业在贯标过程中常见的一些问题，并提出了相应的对策与措施。 相似文献
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ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ毫米波ＨＢＴ的研制吴英，钱峰，陈新宇，邵凯，郑瑞英，肖秀红，葛亚芬，金龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒＷａｖｅＨＢＴ￥ＷｕＹｉｎｇ；ＱｉａｎＦｅｎｇ... 相似文献
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文章较详细地叙述ＢＧＡ结构形式，封装要求，贴装技术特点，对ＢＧＡ的优，缺点等进行了分析，最后介绍了ＢＧＡ焊接过程中应掌握的炉温等技术参数的调节等。 相似文献
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Ａｌｐｈａ工业公司增加了 5种封装放大器产品 ,以支持微波传感器和通信应用。ＡＢ0 2 8Ｈ1- 14是一种 2 3～ 30ＧＨｚ高增益放大器 ,增益 36ｄＢ ,输出功率 16ｄＢｍ ,噪声系数为 3ｄＢ。ＡＢ0 381- 14的增益为 30ｄＢ ,输出功率 16ｄＢｍ ,噪声系数为 4ｄＢ。二种放大器都为单电源工作。ＡＢ0 2 8Ｖ1- 14是 2 3～ 30ＧＨｚ的可变增益放大器 ,有效增益为 30ｄＢ ,衰减范围为 30ｄＢ ,输出功率 16ｄＢｍ ,噪声系数为 3ｄＢ。二种低噪声放大器ＡＡ0 2 8Ｎ1- 99和ＡＡ0 38Ｎ1- 99工作频率分别为 2 3～ 30ＧＨｚ ,2 6～ 4 2ＧＨｚ。低频型号… 相似文献
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在学习，理解ＧＪＢ５４６Ａ和军用电子元器件质量认证指南的基础上，阐明了质量保证大纲的构成及ＧＪＢ５４６Ａ的特点；分析了ＧＪＢ５４６Ａ与ＩＳＯ９０００族标准的关系；结合企业贯标的成功经验，给出了对编写质量保证大纲计划示例的分析；指出了实施应用ＧＪＢ５４６Ａ时应注意的问题。 相似文献
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电子封装器件GBA的实时全息干涉实验研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文采用实时全息干涉方法对电运行中的ＰＢＧＡ器件及外部热辐射条件下ＰＢＧＡ的离面变形进行了测量,得到ＰＢＧＡ呈球面弯曲及马鞍形翘曲变形的实验结果,并初步分析了产生形变差异的原因。 相似文献