155℃高频陶瓷电容器

热补偿陶瓷电容器要求介电常数的温度系数(TKε)有较大的负值,以便补偿与温度成正变的电感分量,而使振荡频率基本上不随温度变化,瓷料配方的选择,一般是根据加合法原别,其计算公式如下:(以二组份者为例)     

“高分电常数低损耗复合电介质薄膜”成果通过鉴定

由天津大学材料科学与工程系承担的天津市21世纪青年科学基金项目“高介电常数低损耗复合电介质薄膜”,日前通过了由天津市科委组织的技术鉴定。高介电常数低损耗复合电介质薄膜可用于制造大容量、小体积、高可靠性电容器。这项研究采用高介陶瓷与目前生产薄膜电容器常用的高分子材料复合的方法,利用两种材料各自的优势,制备出高介电常数、低损耗复合电介质薄膜。重点解决     

铁电陶瓷的技术进展及其应用

铁电陶瓷经过多年研究与开发，已成为引人注目的新型材料。以前主要用于军事和航天行业，随着生产技术的不断进步与成熟，生产成本不断降低，具有特殊性能的铁电陶瓷应用领域不断扩大，现已复盖电子、通信、化工、冶金、医学、计算机和汽车行业，产品包括高介电常数电容器、压电声纳和超声波转换器、广播通信用滤波器、热电转换安全监视装置、医学诊断转换器、立体声高频扬声器、气体点火器、正温度系数（ＰＴＣ）传感器和开关，超声马达、光电光阀、薄膜电容器、铁电薄膜存储器、位移传动器等。 铁电陶瓷产品的开发越来越受到国内外技术界…     

添加Sb_2O_5,ZnO和玻璃对(Zr_(0.7)Sn_(0.3))Ti_4陶瓷高频介电性能的影响

用氧化物混合方法制备了主晶相为 (Zr0 .7Sn0 .3)TiO4的高频陶瓷材料。添加Sb2 O5,ZnO和玻璃有效降低了陶瓷的烧成温度和介质损耗。添加 0 .5 %Sb2 O5(摩尔分数 ) ,1.5 %ZnO(质量分数 )和 3.0 %玻璃 (质量分数 )的陶瓷组成在 115 0℃烧结 ,在测试频率 1MHz下的介电性能为 :介电常数ε≈ 38,损耗角正切tanδ=0 .6× 10 - 4 ,介电常数温度系数αε=0± 30× 10 - 6 /℃ ,体电阻率 ρv≥ 10 1 3Ω·cm。用此种陶瓷材料可在中温烧结制成多层陶瓷电容器 (multilayerceramiccapacitor,MLCC)     

低介电常数磷酸盐微波介质陶瓷的研究进展

随着电子通信行业的迅速发展，微波介质陶瓷近年来成为关注的热点。磷酸盐微波介质陶瓷通常具有烧结温度低、介电常数较低、粉体材料容易制备，以及与银不发生显著反应等特点，故可作为低温共烧陶瓷。本文概述了正磷酸盐(PO₄)和焦磷酸盐(P₂O₇)系列陶瓷几种常见的晶体结构和微波介电性能，以及PO₄陶瓷的掺杂和复合。研究发现，当A位元素和P元素摩尔比大于1时，制备的样品是PO₄与P₂O₇的混合物。PO₄陶瓷的掺杂本质是通过A/B位离子取代起到改进介电性能的作用。PO₄陶瓷的复合对性能改进的原理是原样品温度系数若为负值，则可复合TiO₂使温度系数接近0;原样品温度系数若为正，则复合其他温度系数为负的材料中和温度系数。最后提出了当下磷酸盐微波介质陶瓷存在的问题和研究展望。     

添加Sb2O5,ZnO和玻璃对(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷高频介电性能的影响

用氧化物混合方法制备了主晶相为(Zr0.7Sn0.3)TiO4的高频陶瓷材料.添加Sb2O5,ZnO和玻璃有效降低了陶瓷的烧成温度和介质损耗.添加0.5%Sb2O5(摩尔分数),1.5%ZnO(质量分数)和3.0%玻璃(质量分数)的陶瓷组成在1 150℃烧结,在测试频率l MHz下的介电性能为:介电常数ε≈38,损耗角正切tanδ＝0.6×10-4,介电常数温度系数αe＝0±30×10-6/℃,体电阻率pv≥1013Ω.cm.用此种陶瓷材料可在中温烧结制成多层陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitor,MLCC).     

烧结温度对钛酸锶钡陶瓷性能的影响

通过微波水热法制备了纳米钛酸锶钡粉体,然后采用不同的烧结温度条件,研究在温度变化的条件下,钛酸锶钡陶瓷的物相、密度、微观形貌以及介电常数。结果表明,随烧结温度升高,材料的致密度逐步提高,而材料的介电系数则与温度的变化并未形成线性变化的关系,与材料的晶粒大小也有一定的关系。因此,可通过对材料组成和烧结温度的调控,制备系列不同介电常数的钛酸锶钡陶瓷。     

NPO型铋基焦绿石复相陶瓷的制备及介电性能

为获得温度稳定型高频高介材料,通过复相介电组成调控原理,将正温度系数型焦绿石相(Bi1.5Zn0.5)(Zr1.5Nb0.5)O7(BZZN)与负温度系数型(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)混合构成BZN-BZZN复相材料.研究了该系列陶瓷的物相组成、晶体结构及介电性能随两相组成的变化规律.晶体结构精修获得了复相结构中两相的晶格常数、A-O'键长、B--O键长、O—B—O键角的变化.复相陶瓷的介电性能可通过两相比例有规律地调制,随着BZZN含量增多,(1-x)BZN-xBZZN介电常数εr略有下降,介电常数温度系数逐渐由负值向正值变化.当x=0.7时,获得高介电常数、零温度系数陶瓷材料:εr=123.2,tanδ=7×10-4,αε=5×10-6/℃.     

掺杂Y3+,Dy3+的BaTi0.91Sn0.09O3陶瓷系统介电性能研究

研究了BaTiO3-BaSnO3系陶瓷电容器瓷料中掺杂稀土氧化物Y2O3和Dy2O3及不同掺杂方式对材料介电性能的影响.初步制得有高介电常数、低温度变化率的高压陶瓷电容器瓷料,应用X-射线衍射对样品进行微观结构分析,并探讨了改性作用的机理.     

NP0型铋基焦绿石复相陶瓷的制备及介电性能

为获得温度稳定型高频高介材料,通过复相介电组成调控原理,将正温度系数型焦绿石相(Bi1.5Zn0.5)(Zr1.5Nb0.5)O7(BZZN)与负温度系数型(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)混合构成BZN-BZZN复相材料。研究了该系列陶瓷的物相组成、晶体结构及介电性能随两相组成的变化规律。晶体结构精修获得了复相结构中两相的晶格常数、A–O’键长、B–O键长、O–B–O键角的变化。复相陶瓷的介电性能可通过两相比例有规律地调制,随着BZZN含量增多,(1–x)BZN–x BZZN介电常数εr略有下降,介电常数温度系数逐渐由负值向正值变化。当x=0.7时,获得高介电常数、零温度系数陶瓷材料:εr=123.2,tanδ=7×10–4,αε=5×10–6/℃。     

铅硼玻璃含量对(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷性能与显微结构的影响

采用常规电容器陶瓷制备工艺，研究了铅硼玻璃加入量对(Ba，sr)TiO3(BST)基电容器陶瓷性能的影响。利用SEM研究了铅硼玻璃对BST基电容器陶瓷微观结构的影响。探讨了铅硼玻璃加入量对BST基电容器陶瓷性能和结构的影响机制。结果表明：铅硼玻璃是通过细晶化，降低烧结温度，形成铅硼玻璃——(Ba，sr)TiO3基复合材料等来影响瓷料性能和结构。当添加4．0wt％铅硼玻璃时，烧结温度为1150℃，介电常数为3240，介损损耗为O．011，电容温度变化率≤50％。     

制备工艺对BNBT陶瓷介电性能的影响

BNT(BaO-Nd2O3-TiO2)系统陶瓷是一种介电性能优良的陶瓷材料.在BNT中添加一定量的Bi2O3,可以得到介电性能更优的BNBT(BaO-Nd2O3-Bi2O3 -TiO2)陶瓷.该文分别研究了球磨时间、烧结温度和保温时间对BNBT陶瓷介电性能的影响.结果表明:当球磨时间为10 h、烧结温度为1160 ℃、保温时间为9 h时,BNBT陶瓷的介电性能为:介电常数ε=99.8281,介电损耗tanδ=2.65×10-4,介电常数温度系数αε≤±30 ppm/℃.     

烧结温度对多孔陶瓷压电性能的影响

研究了烧结温度对海藻酸钠离子凝胶法制备3-1型多孔PZT压电陶瓷和凝胶注模法制备3-3型多孔PZT压电陶瓷性能的影响.结果表明:当烧结温度从1150℃升至1250℃,多孔PZT陶瓷的孔隙率降低,晶粒尺寸、介电常数、压电系数、厚度机电耦合系数和抗压强度增大,静水压压电系数与静水压品质因数随之降低.3-1型PZT陶瓷具有定...     

低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

近年来通讯技术所利用的微波频率越来越高,传输信息量也越来越大,要求的传输速度和质量也越来越高,就需要低损耗、高品质因数、谐振频率温度系数近于零的低介电常数微波介质陶瓷来实现.本文根据低介电常数微波介质陶瓷的典型研究体系将其分成不同种类,对其研究现状进行详细介绍,最后总结了各种类低介电常数微波介质陶瓷的研究发展情况.     

SiC边界层陶瓷电容器的制备和性能特点

陶瓷电容器,尤其是边界层陶瓷电容器由于具有许多优良的性能,而越来越受到人们的重视.通常用于陶瓷电容器的材料是具有弛豫铁电性能的钛酸盐类材料.本文则介绍了将SiC材料用于制备陶瓷电容器,结果发现,电容器的介电常数高达2 910 000,远远高于传统材料;而同时,其介质损耗也非常高.在此,对降低损耗的工艺过程进行了探讨.     

新型的高稳定高介X8R电容器材料

车载用的陶瓷电容器,工作条件苛刻,工作温度上限要求高达150℃。本文介绍了满足这类用途的X8R电容器新瓷料介电常数大于2500最高达4500;tgδ小于1.2%;在-55～+150℃温度范围内,电容量变化率△C/C25℃小于±15%。     

高性能陶瓷微波介质材料

微波介质陶瓷可使微波通信和其他微波设备小型化,是有良好发展前景的一种介电材料。目前已经研制出许多具有高介电常数、高品质因数、低介质损耗及小谐振频率温度系数的优质微波介质陶瓷。本文综述近年来微波介质陶瓷在制备工艺、改良介电性能及应用方面的最新进展,并指出了今后的研究方向。     

Bi2O3及MnO2掺杂对[(Pb,Ca) La](Fe,Nb)O3介质陶瓷结构及微波性能的影响

研究了Bi2O3及MnO2掺杂量对[(Pb0.5Ca0.5)0.92La0.08](Fe0.5Nb0.5)O3陶瓷结构及介电性能的影响.结果表明Bi2O3及MnO2均是良好的烧结助剂,可降低体系的烧结温度60～100 ℃,同时提高陶瓷的密度.XRD图谱证明当MnO2的质量分数≤2%时,陶瓷为钙钛矿相及焦绿石相,表明Mn4+进入主相晶格,而Bi2O3的掺杂会使体系中出现未知第三相.随MnO2的增加,陶瓷的介电常数先增加后减小,同时使品质因数及谐振频率温度系数的单调下降.Bi2O3的掺杂则会使陶瓷介电常数及谐振频率温度系数升高,而品质因数下降.Bi2O3及MnO2的联合掺杂比单一掺杂更有效地降低了陶瓷的烧结温度,达100～140 ℃,且在低温烧结条件下有比单一掺杂时更好的微波介电性能.其中当Bi2O3和MnO2的质量比k=1,2种添加物总质量分数w=1%,烧结条件为1 050 ℃,保温4 h,陶瓷的相对介电常数εr,品质因数(Q)与谐振频率(f)的乘积Qf以及谐振频率温度系数分别为91.1, 4 870 GHz和18.5×10-6/℃.     

钽掺杂对钛酸钡基陶瓷介电性能影响的研究

研究了微量钽掺杂对钛酸钡基陶瓷介电常数、介电损耗以及温度稳定性等介电性能的影响.利用XRD、SEM等现代分析手段分析了材料的显微结构,分析了显微结构与材料介电性能的关系,得到了性能较为优良的电容器基料配方.     

Mn掺杂BaTi4O9陶瓷结构和介电性能

用电子陶瓷工艺制备主晶相为BaTiO9(BT4)的介电陶瓷,研究用锰掺杂的BaTi4O9陶瓷的结构和介电性能。XRD研究表明BaTiO9属正交晶系,空间群Pmmn,晶格常数为a=1.453nm,b=0.379nm,c=0.629nm,每个原胞有两个分子,钛原子位于变形的氧八面体之中。这种氧八面体的极化类似于或大于在BaTiO3和PbTiO3铁电相观察到的极化。锰掺杂极大地增强了Q值,在1MHz下测得的Q值为12500。而没有掺杂的陶瓷有高的损耗,这可能是由于在空气中烧结时形成的Ti^3 ,显然锰的作用是在缺陷平衡中作为一种补偿剂,依据反应：Mn^3 Ti^3 →Mn^2 Ti^4 ,可能有助于Ti^4 的形成,BaTi4O9陶瓷具有优良的介电性能;低介质损耗、中等介电常数和介电常数温度系数。此种陶瓷造成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域。