电连接器4J29合金接触体断裂分析

采用体视显微镜、扫描电子显微镜、能谱分析仪、光学显微镜,对断裂的电连接器接触体进行表面和断口的宏微观形貌观察,断口表面化学成分及显微组织分析。结果表明:电连接器接触体在含Cl^-介质中发生应力腐蚀开裂,最终在工作振动应力作用下发生疲劳断裂;裂纹萌生阶段主要特征为腐蚀坑和沿晶,扩展阶段的主要特征为裂纹穿晶、分叉和疲劳条带。酸洗后腐蚀性Cl^-的残留与接触体表面镀层开裂导致接触体断裂。     

IC引线框架材料概述

评述了国内外引线框架材料研究开发的现状,指出了国内引线框架用铜带与国外产品相比存在的差距,分析了今后引线框架铜带的需求和发展方向,并介绍了几种典型的合金及其特性。     

热处理和冷变形量对定膨胀合金4J32C线膨胀系数的影响

研究了不同热处理制度和不同冷变形量对定膨胀合金4J32C线膨胀系数的影响。结果表明,较小的冷变形量不会明显改变合金的线膨胀系数。随着固溶温度的升高,合金的线膨胀系数逐渐降低,在850 ℃时达到最低值,随后继续升高固溶温度,线膨胀系数略有增大。延长稳定化处理时间或提高稳定化处理温度,可适当增加合金的线膨胀系数。     

4J42合金外壳气密封装的脉冲激光焊

采用Nd:YAG脉冲激光焊对4J42合金外壳进行了密封焊接.研完了激光输出功率、焊接速度、试件表面处理状态等工艺参数对焊接密封质量的影响.试验结果表明,激光输出功率达到一定值时,能够获得较好的密封焊缝;当激光功率一定时,焊接速度越高,密封成品率呈下降趋势;试件表面处理状态为化学镀镍时易形成裂纹,为电镀金层时焊缝成形美观,为电镀锡铋镀层时不易采用激光焊.     

电沉积钨合金镀层的研究现状与应用进展

介绍了电沉积钨合金镀层最常见的几种二元系、三元系及多元系合金类型,概述了在许多重要领域的研究和应用的现状与进展,分析了元素种类和含量对钨合金镀层硬度、耐磨性、耐蚀性和热稳定性等性能的影响,并详细探讨电镀工艺中镀液组成、温度、pH值、电流形式以及不同的热处理过程对钨合金镀层晶态与非晶态结构的影响,重点论述了钨合金镀层的耐蚀性与其晶体结构的关系,最后提出了今后钨合金镀层及其耐蚀性研究与应用的重要方向.     

不同热处理条件下TC4合金电子封装材料的组织及性能

研究了机加工后外形尺寸合格与不合格两种TC4板材样品的显微组织及性能的差异,以及TC4板材机加工变形产生的原因。在此基础上,设计6种热处理工艺,研究了不同热处理工艺下TC4合金显微组织及性能,寻找不合格TC4板材样品组织结构矫正的最佳方案。结果表明:不合格TC4样品中各向异性的条状组织是其加工后变形大的主要原因;综合不同热处理条件下TC4合金的显微组织、力学性能与热导率以及断口形貌等因素,确定了在900~930℃内退火处理后的不合格TC4合金经与合格TC4合金最为接近,是其组织结构矫正合理的热处理工艺。     

IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理

通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.     

IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理

通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.     

IC引线框架用Cu-Fe-P合金耐热性能的研究

从合金成分、形变热处理工艺等方面研究引线框架用Cu-Fe-P合金的软化温度,以提高合金的耐热性能.结果表明,通过改进形变热处理工艺,Cu-2.35Fe-0.03P-0.1Zn(wt%)合金的软化温度从480 ℃提高到495 ℃左右;而在形变热处理等其它条件不变的情况下,在合金中加入Mg、Cr及稀土(RE)等元素,合金的软化温度提高到525 ℃;在加入Mg、Cr、RE等元素,同时采用改进后的形变热处理工艺,合金的软化温度可提高到540 ℃左右.     

SiC_p/ZL101复合材料与可伐合金4J29钎焊的分析

以增强相体积分数为55%的SiCp/ZL101复合材料和可伐合金4J29为母材,首先在复合材料表面电镀镍,然后在420℃保温7min的条件下,采用Zn-Cd-Ag钎料对SiCp/ZL101复合材料与可伐合金进行了保护气氛钎焊试验.利用扫描电镜及EDS能谱分析的方法对接头的界面组织及断口形貌进行了研究.结果表明,经过镀镍提高了钎料对复合材料的润湿性,钎焊过程中钎料与可伐合金、钎料与镀层界面处均形成了过渡层,镀层与复合材料通过扩散形成了冶金结合.断口分析表明,钎焊接头的断口位于复合材料内部,但离镀层较近.     

高强度Cu-Ni-Si系引线框架材料研究进展

综述了引线框架用Cu-Ni-Si材料中Ni、Si元素质量比及含量对Cu-Ni-Si合金性能的影响。归纳总结了Cu-Ni-Si合金的强化机制、影响电导率的因素,并简单列举了Cr、Zn、P、Al微量元素加入的机理．介绍了不同热处理工艺对Cu-Ni-Si系合金性能的影响。     

QFe2.5型引线框架用铜合金热处理工艺研究

研究了国产QFe2 5型引线框架用铜合金的生产工艺。通过热轧后对板材进行喷水处理和采取分级时效 ,显著提高了QFe2 5型合金的性能 ;利用光学显微镜、SEM和TEM等手段研究了热处理工艺对合金微观组织的影响 ,并讨论了材料性能提高的原因     

钛合金镀后热处理对镀层结合力的影响

主要研究了TC4钛合金镀后热处理对镀镍或铜／层结合力的影响。结果表明,热处理后镀层与基体之间的界面形成以固溶体或金属间化合物为主的扩散层,采用XRD分析扩散热处理后镀层与基体之间的界面表明,扩散层中存在Ni3Ti,NiTi,NiTi2等金属间化合物;镀层结合力的提高与热处理后所形成扩散层的厚度无直接关系,而认为其主要取决于是否有利于镀层与基体之间金属键的形成。当扩散层中的固溶体或金属间化合物足以破坏镀层与其体之间存在的氧化膜等非金属膜层的完整性,而镀层与基体之间的微观间隙不因热处理而增大时,则能促进镀层与基体之间金属键的形成,从而提高镀层的结合力。     

引线框架材料Cu-Ni-Si系合金的发展

概述了引线框架用Cu-Ni-Si合金的研究现状。介绍了Cu-Ni-Si合金中Ni、Si元素的含量及其质量比对Cu-Ni-Si合金性能的影响,合金化特点,时效过程中的组织转变及热处理工艺和Zn、P、Ag、Cr、Al、稀土等微量元素对Cu-Ni-Si合金硬度、电导率等性能的影响。     

引线框架用铜合金的研究与发展

介绍了国内外引线框架用铜合金的研究、生产和应用的现状,以及获得高强、高导铜合金的基本原理与方法,例如固溶强化、加工硬化、第二相强化、快速凝固析出强化等。评述了国内外引线框架用铜合金的发展动向,例如研发电导率80％IACS以上、抗拉强度600MPa以上和软化温度高于500℃的铜合金等。     

引线框架级进模设计

介绍了集成电路封装用引线框架级进模的排样设计和模具结构 ,还介绍了凸模、凹模、凸模固定板、卸料板、卸料板座等主要零件的特点 ,此模具结构应用于实践中取得了良好的效果 ,对同类模具的设计制造有一定的借鉴作用。     

引线框架C194铜合金铸态组织和性能分析

研究了工业化不同生产试验批次的C194铜合金引线框架材料铸态组织和性能。结果表明C194的化学成分、加料顺序等因素对铸态晶内、晶界的球状第二相Fe3P或Fe2P的大小、分布均匀性有较大影响;添加剂对C194铸坯有明显的晶粒细化作用;其导电率达到14%～20%IACS,维氏硬度在95HV左右。