花簇状ZnS:Mn微球的制备及荧光性能研究

采用CTAB辅助溶剂热法合成出花簇状结构的ZnS:Mn微球,并研究了反应温度,时间,溶剂,CTAB用量对样品形貌的影响.结果表明在170℃时加入0.8g CTAB溶剂热反应12h,所获得样品形貌规整,尺寸较均一;此外在反应体系中加入油酸获得尺寸更小的花簇状ZnS:Mn.并对花簇状结构的生长机制进行了阐述.     

溶剂热法制备ZnS：Mn纳米荧光粉

采用溶剂热法,以乙二胺和水为溶剂,在表面活性剂十六烷三甲基溴化铵（CTAB）的作用下,制备了ZnS：Mn荧光粉体。通过X射线粉末衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UV-Vis）和荧光分光光度计（PL）对合成的ZnS：Mn荧光粉的结构和光学性能进行表征。实验结果发现,溶剂量比不同不但对硫化锌的晶体结构有所影响,对其荧光光谱也有一定的影响。在表面活性剂的修饰下,并不影响其的晶体结构,但对ZnS：Mn的发光强度有所增强。     

Mn掺杂ZnS纳米晶的制备及发光性能研究

采用水热溶剂热法合成了 ZnS∶Mn纳米晶,讨论了锌硫摩尔比、水/乙二胺体积比、Mn离子掺杂浓度、温度、填充度、时间几个因素对其晶型、粒径和发光性能的影响.通过扫描电镜(SEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)和荧光分光光度计(PL)对合成的ZnS∶Mn纳米晶的结构和光学性能进行表征.结果表明:锌硫比、水/乙二胺体积比、温...     

功能化CdS:Mn荧光探针测定hs-DNA

在油胺溶剂中,利用溶剂热法于160℃加热反应12 h,合成了Cd S:Mn量子点,并用巯基乙酸对合成的量子点进行了包裹。借助X射线衍射分析、傅里叶红外光谱、荧光谱图等测试方法对材料进行表征,数据表明,合成的Cd S:Mn量子点JCPDS#为80-0019,在Cd S:Mn量子点上成功修饰上了羧基(—COOH),Cd S:Mn晶体修饰前后主要发射峰从526 nm蓝移至488 nm。以COOH-Cd S:Mn功能化材料为荧光探针,基于DNA对材料的荧光猝灭,实现了对DNA的定量测定。实验在p H=6.6条件下,功能化荧光材料的荧光强度和鲱鱼精DNA(hs-DNA)的质量浓度呈线性关系,线性方程为ΔF=78.69-0.179c,检出限为0.053 mg/L,相关系数R=0.998 8,RSD=0.27%。     

表面功能化CdS纳米微粒的制备

本文运用一种新颖的方法--配体交换法制备5-氨基-1,10邻菲罗啉（Aphen）功能化的CdS纳米微粒,通过IR测试显示,Aphen接枝在CdS纳米微粒的表面。功能化后的CdS纳米微粒呈现单分散分布,XRD谱图表明功能化的APhen-CdS微粒和纯的CdS纳米微粒相比较,微粒仍然是立方晶的结构且粒径没有发生改变仍保持3-5nm。     

表面功能化CdS纳米微粒的制备

本文运用一种新颖的方法——配体交换法制备5-氨基-1,10邻菲罗啉（Aphen）功能化的CdS纳米微粒,通过IR测试显示,Aphen接枝在CdS纳米微粒的表面。功能化后的CdS纳米微粒呈现单分散分布,XRD谱图表明功能化的APhen-CdS微粒和纯的CdS纳米微粒相比较,微粒仍然是立方晶的结构且粒径没有发生改变仍保持3~5nm。     

CdSe:Mn量子点的制备及其光致发光特性研究

采用低温水热法,以柠檬酸为配位稳定剂制备了Mn2 掺杂的CdSe量子点.用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等进行了表征.研究了Mn2 掺杂浓度对量子点的结构及其光致发光性能的影响.光致发光光谱表明,当粒子尺寸为3 nm时,在580 nm处出现了属于Mn2 的4T1-6A1跃迁的特征发射峰.当激发波长为480nm时,在630nm处出现了CdSe的表面缺陷发射峰.随着Mn2 的掺杂浓度增大,CdSe:Mn表面陷阱态发射峰位置没有显著红移.TEM分析结果显示,CdSe:Mn量子点为单分散的,尺寸约为5 nm的圆形纳米粒子.当Mn2 离子掺杂浓度不大于5%时,Mn2 取代表面晶格中的Cd2 离子位置形成辐射性表面缺陷,产生表面陷阱态发射.吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应.     

CdS纳米微粒的制备及应用

介绍了近年来在纳米CdS合成与制备领域的一些最新研究进展，包括CdS纳米微粒的制备及其应用方面的研究。     

CdS量子点的制备及产氢研究

CdS量子点作为一种典型的半导体材料,在光催化中表现出高效率的催化活性,并且可以通过改变颗粒大小及表面性质从而对能带结构进行调控,因此在光催化产氧中有十分广阔的应用前景。本论文通过热注射法合成了CdS量了点,并采用不同浓度的二氯硫辛酸（DHLA）对量子点进行表面保护,再进一步探讨Ni2＋对光催化反心的作用。所得产物利用UV-Vis光谱进行表征,并通过气相色谱进行产氧测试。结果表明在实验采用的浓度范围内,表面基团的量对CdS的光催化产氯几乎不产生影响,而N2＋的存在可以提高产氧效率。     

CdS纳米晶/石墨烯复合材料的制备及性能研究

用巯基苯并噻唑为配体,先合成巯基苯并噻唑合镉,然后以合成的配合物为单一前驱体,通过改进传统热分解法,制备得到了CdS/石墨烯纳米复合材料,并且研究了该产物的荧光性质。     

核壳结构半导体纳米晶体CdS/ZnS的制备及其光学性质

通过反胶束法成功制备了CdS及CdS/ZnS核壳结构量子点,采用紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散型X射线能谱(EDX)以及荧光光谱(PL)等对其结构和性能进行了研究。与CdS量子点相比,CdS/ZnS量子点的粒径明显变大,本文估算了粒子的粒径,TEM图像很好的印证了估算的结果;结合EDX的测试结果可以推断CdS/ZnS量子点的结构是ZnS包裹在CdS表面的核壳结构;CdS/ZnS量子点的荧光强度与CdS量子点相比有了明显的提高,原因主要是壳层的ZnS消除了CdS量子点表面上存在的无辐射复合中心。     

CdSe∶Mn量子点的制备及其光致发光特性研究

采用低温水热法,以柠檬酸为配位稳定剂制备了Mn2＋掺杂的CdSe量子点。用紫外吸收光谱、荧光发射光谱、X射线衍射（XRD）、透射电镜（TEM）等进行了表征。研究了Mn2＋掺杂浓度对量子点的结构及其光致发光性能的影响。光致发光光谱表明,当粒子尺寸为3 nm时,在580 nm处出现了属于Mn2＋的4T1-6A1跃迁的特征发射峰。当激发波长为480 nm时,在630 nm处出现了CdSe的表面缺陷发射峰。随着Mn2＋的掺杂浓度增大,CdSe∶Mn表面陷阱态发射峰位置没有显著红移。TEM分析结果显示,CdSe∶Mn量子点为单分散的,尺寸约为5 nm的圆形纳米粒子。当Mn2＋离子掺杂浓度不大于5%时,Mn2＋取代表面晶格中的Cd2＋离子位置形成辐射性表面缺陷,产生表面陷阱态发射。吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应。     

Mn掺杂的ZnS纳米棒的制备及其高分子发光薄膜研究

本文利用溶剂热法制备了Mn掺杂的ZnS纳米线。探讨了Mn的掺杂量(5%,10%,15%)对ZnS纳米棒的尺寸、结构以及发光性能的影响,并且将所得到的纳米棒应用于聚合物环氧树脂(EP)中,制备了具有发光效应的高分子/纳米棒薄膜。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能量色散光谱(EDS)进行纳米棒的形貌和组成进行了分析。荧光分析ZnS:Mn以及EP/ZnS:Mn发光性质。将ZnS:Mn纳米棒分散到环氧树脂中,在同一激发波长391 nm下,分散在EP/ZnS:Mn比ZnS:Mn纳米棒的荧光强度低,且发射波长发声蓝移。     

微波水热法制备CdS微晶球及S/CdS核壳结构

以氯化镉和硫代硫酸钠为起始原料采用微波水热法(M-H)制备了CdS微晶球和S/CdS核壳结构.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和EDS能谱对制备的CdS微晶球和S/CdS核壳结构进行表征.结果表明:在微波水热条件下,棒状S经自组装而形成直径为20 μm的圆盘核结构,经化学吸附组装,直径为1 μm左右的CdS微晶球吸附于S圆盘核的周围,形成了S/CdS核壳结构;CdS微晶球具有分级结构,是由纳米球组装而成的微晶球.     

CaxSr1-xS:Mn的微波快速制备及其荧光光谱特性

目的:微波快速制备复合基质荧光体CaxSr(1-x)S:Mn,测定其荧光光谱并研究它们随基质摩尔掺杂比x(即Ca2 /Ca(2 ) Sr2 )值由1逐渐减小到0的变化,探求制备荧光颜色可调的荧光体的原理。方法:微波快速加热法。内容:通过XRD的测定,确定了含有不同x值的CaxSr(1-x)S:Mn的晶相。测定荧光光谱,研究它们随x值的变化趋势。结论:随着x值由1逐渐减小到0,荧光体CaxSr(1-x)S:Mn由单一的CaS相转变为CaS和SrS的混合相再逐渐变为SrS相,其荧光光谱也由CaS的特征光谱逐渐转化为SrS的特征光谱。根据CaxSr(1-x)S:Mn的发射波长与x值基本呈线性关系,可通过调节基质掺杂比,制备荧光颜色可调的荧光体。     

微波水热法制备CdS纳米晶体的研究

利用微波水热技术合成CdS半导体纳米晶体,可以克服有机合成方法毒性大,成本高等问题,通过XRD、TEM表征,产物CdS半导体纳米晶体具有立方晶相,纯度较高。通过紫外吸收光谱和荧光光谱分析,发现该方法制备出的半导体CdS纳米晶体具有良好的光致发光性质,证明水相同样适合高质量CdS半导体纳米晶体的生长。     

CdS复合光催化剂的研究

CdS是一种重要的光电半导体材料,CdS的禁带宽度为2.4 V,在可见光下具有催化活性。本文主要介绍了CdS的结构特点,制备方法及其在光分解制氢和降解有机物方面的应用。此外还介绍了CdS/TiO2复合半导体光催化剂,CdS/ZnS复合物和CdS插层复合光催化剂的特点和制备方法。     

溶剂热法制备CdS@g-C3N4复合材料及其催化性能研究

以乙醇为溶剂,采用溶剂热法合成CdS@g-C_3N_4复合材料,利用SEM、XRD、UV-Vis等对其进行结构和形貌表征。以亚甲基蓝(MB)为降解底物,在模拟太阳光下考察了CdS@g-C_3N_4的光催化降解活性。结果表明,50%CdS@g-C_3N_4对MB的降解效率30 min就达到90%以上。在相同反应条件下,CdS@g-C_3N_4复合材料比纯g-C_3N_4以及CdS具有更高的催化活性。CdS在CdS@g-C_3N_4复合材料中的作用主要有:提高了材料的光吸收能力,提高了对有机污染物的吸附能力,同时促进了光生电子-空穴对的分离。此外,CdS@g-C_3N_4光催化剂在循环测试中表现出了足够的催化稳定性。     

CdS亚微米球的制备及性能研究

以Cd(NO3)2·4H2O为镉源,Na2S2O3·5H2O为硫源,采用水热合成法成功制备出CdS亚微米球.利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM),对得到的产物进行了表征,并利用紫外/可见(UV/Vis)分光光度计,对其光吸收性能进行了测试.结果表明,制备的亚微米球状CdS材料在可见光波段具有较好的光吸收...     

ZnS∶Mn纳米晶的制备与荧光性能研究

本文采用胶体化学方法合成了无稳定剂修饰和巯基丙酸为稳定剂的单分散Zn S∶Mn掺杂纳米晶,研究了稳定剂对纳米晶荧光性能的影响。紫外吸收光谱说明了掺杂纳米晶具有明显的量子限域效应,与体相材料相比,紫外吸收带边蓝移了0.29 e V。荧光发射光谱研究表明,巯基丙酸稳定剂对纳米晶表面的修饰使得主体Zn S纳米晶的表面缺陷发射明显消失。掺杂纳米晶在575 nm处有一强的荧光发射峰,其归属于Mn的4T1-6A1跃迁产生的荧光发射。