正电子湮没辐射多普勒加宽的去卷积谱

在用Ge(Li)谱仪对正电子湮没多普勒加宽谱进行测定时,由于谱仪自身的分辨函数宽度与多普勒加宽谱线的木征宽度相比不能忽略,因此,为了得到加宽谱的本征分布,需要对实测谱进行去卷积处理。 若设仪器的能量分辨函数为R(x),待测的未知原函数为W(x),实测函数为F(x),则这三个函数之间应满足如下的积分方程:     

用正电子湮没技术研究新型高临界温度T_c超导材料Ba-Y-Cu氧化物

本文介绍用正电子湮没技术研究了具有高临界温度下T_c的新型超导材料Ba-Y-Cu氧化物。实验发现,在起始转变温度以下,正电子寿命减少与电阻随温度的变化曲线符合。在临界温度T_c处,出现了正电子寿命峰。     

用符合多普勒展宽谱(CDB)研究不锈钢中氢与缺陷的相互作用

采用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDB)等方法研究了AISI 304不锈钢中氢与缺陷的相互作用.PALS实验结果表明:氢致缺陷尺寸随充氢电流密度的增大而变大,缺陷数量随充氢电流密度的增大而增多.进一步地,通过比较CDB实验的商谱曲线,发现在电解充氢后,高动量区出现了明显的峰,且峰位不随充氢条件改变;这表明氢可能会与空位发生相互作用,氢进入样品内部以后,可以作为聚集空位的核心而形成空位团,即形成氢与缺陷的复合体,导致缺陷化学环境的变化.     

正电子湮没多普勒展宽数据的稳定和修正

本文介绍了在正电子湮没多普勒展宽测量中如何利用参考谱线去稳定和修正正电子湮没谱线的线型参数。     

正电子湮没寿命测量中干扰信号对谱仪和测量结果的影响

正电子湮没信号的精准采集与关联符合技术是寿命谱灵敏表征材料微观缺陷的基础。测量环境中放射性射线对正电子湮没信号采集的影响,制约着寿命谱方法在复杂辐射背景中应用,特别是在核结构材料中子辐照损伤研究中,中子活化诱发的放射性核素形成的γ射线本底,将影响正电子寿命谱仪的测量结果。为探究γ本底对正电子湮没寿命测量的影响规律,本文基于⁶⁰Co、¹³⁷Cs源设计了辐射背景仿真实验,结果显示：⁶⁰Co源产生的双高能γ射线是影响寿命谱形状及湮没寿命的主要因素;通过对比高、低两种典型活度比(⁶⁰Co/²²Na为3.3和1.9)下的测量结果,并经活化反应堆压力容器钢样品放射性本底真实情况检验,结果发现：在低活度比下,辐射本底导致的偶然符合概率增大,寿命谱峰谷比显著变差;在高活度比下,除偶然符合外,信号错误符合概率急剧增加,谱形明显畸变且寿命值迅速减小。基于本文辐射背景放射源模拟方法及干扰γ的影响规律,可进一步探索正电子湮没寿命测量中γ本底排除的新技术和新方法。     

新型U3Si2-Al燃料板的正电子湮没寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱仪对U3Si2-Al燃料板样品的正电子湮没寿命进行了测量及分析,得到不同工艺状况下燃料包壳材料微观缺陷的形态及变化趋势.回火态燃料板包壳基体中的微观缺陷以单空位的点缺陷为主;冷作态中的缺陷以双空位、位错等缺陷为主;冲刷态中的缺陷以层错、小的空位团等缺陷为主.3种样品中,均未发现影响燃料板安全的大空位团缺陷.回火和冲刷等工艺或运行工况,会使燃料板包壳基体中的微观缺陷发生转变,并改变了燃料板的宏观力学性能.     

基于遗传算法的正电子湮没寿命谱拟合

正电子湮没谱学是无损探测材料中纳米缺陷的有效手段,通过正电子湮没寿命谱可获得正电子在材料中的湮没状态以及材料内部电子密度分布的信息.本工作基于遗传算法(GA)的全局搜索、随机产生初值的特点,对正电子湮没理论寿命谱进行了多指数函数拟合的尝试,并用MATLAB语言编程实现了曲线拟合,得到的各组分寿命及相应强度.与LifeT...     

透明陶瓷MgAl2O4辐照退火效应的正电子湮没谱研究

首次采用正电子湮没寿命谱的方法，并同时应用PATFIT程序和MELT程序进行解谱，研究了透明陶瓷MgAl2O4被电子、质子和γ射线辐照后缺陷的退火特性，发现了透明陶瓷MgAl2O4在三种射线辐照后的退火过程中缺陷存在着相同的分解和聚积过程，并确缺陷的分解温度250℃和消除温度500℃。     

正电子湮没寿命谱的一种特殊拟合方法

在多寿命成分的情况下,当不存在长寿命成分时,首先利用实测分辨函数对实测寿命谱加以去卷积处理求得本征寿命谱,然后对多指数成分的本征谱进行一种特殊的线性化处理,从而求得各指数成分的参数。     

The formation and evolution of vacancy-type defects in Ar-implanted silicon studied by slow-positron annihilation spectroscopy

The Doppler broadening spectrum of a silicon wafer was measured using a variable-energy positron beam to investigate the effects of vacancy-type defects induced by 180 keV Ar ion implantation. The S-parameter in the damaged layer decreases with annealing temperature up to 673 K, and then increases with annealing temperature from 673 to 1373 K. At low annealing temperatures ranging from room temperature to 673 K, argon-decorated vacancies are formed by argon atoms combining with open-volume defects at inactive positron sites. With further increase of annealing temperature, argon-decorated vacancies dissociate and subsequently migrate and coalesce, leading to an increase of S-parameter. Furthermore, the buried vacancy-layer becomes narrow with increasing annealing temperature. At 1373 K, the buried vacancy-layer moved towards the sample surface.     

Gd3+掺杂YBCO体系超导电性的正电子研究

为探究稀土离子Gd3 的Y位掺杂对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)体系晶体结构和局域电子结构的影响,利用正电子湮没和X-射线衍射(XRD)实验对Y1-xGdxBa2Cu3O7-δ(x=0-1.0)系列样品进行了系统研究.XRD实验表明,Gd离子的Y位替代使得样品晶胞参数增大,但所有样品均保持与YBCO相同的单相正交结构.输运测量表明,各实验样品超导转变温度Tc均在90 K以上,且整体上随Gd3 离子含量的增加而增加.正电子实验结果给出局域电子密度ne随Gd掺杂浓度x的增加而减小.     

Adjusted NIEL calculations for estimating proton-induced degradation of GaInP/GaAs/Ge space solar cells

The non-ionizing energy loss (NIEL) values for protons in solar cells should be modified by taking into account the distribution of the Bragg damage peak in the active region to calculate the corresponding displacement damage dose. In this paper, based upon a thin target approximation, a new approach is presented to modify NIEL values for protons on a GaAs sub-cell. Adjusted NIEL values can be used to estimate the degradation induced by protons on GaInP/GaAs/Ge triple-junction space solar cells.     

Positron annihilation study of effect of aluminum on iron－based amorphous alloys

Seven Fe-based amorphous alloys have been studied by Doppler broadening and lifetime techniques of the positron annihilation.It is shown that the parameters of positron annihilation in the Fe-based amorphous alloys containing more aluminum are larger than those in the alloys with less aluminum,which means that the existence of element Al in Fe-based amorphous alloys results in more vacancy-like defects.     

CoFe2O4磁性液体的正电子湮没谱分析

对ＣｏＦｅ２Ｏ４磁性液体进行了正电子湮没谱研究,结果显示,ＣｏＦｅ２Ｏ４磁性液的正电了湮没谱存在３种寿命成分,分别为τ１＝１５１．０ｐｓ,τ２＝１５１．０ｐｓ,τ３＝２３２５．６ｐｓ。表明在ＣｏＦｅ２Ｏ４超微粒表面存在大量空位和空位团。     

用激光诱导产生^1O2的正电子湮没研究

用正电子素Ｏ－Ｐｓ研究心亚甲兰为光敏剂在甲醇和水体系中激光诱导单态氧＾１Ｏ２的形成，理论推导了一Ｏ－Ｐｓ湮没率的改变与亚甲兰浓度之间的关系，经与实验结果对照证实了单态氧的产生。     

非晶态FeCuNbSiB系合金结构缺陷的正电子湮没研究

通过测量不同温度下退火的非晶合金Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９和Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ１．５Ｓｉ１３．５Ｂ９的正电子湮没有寿命谱，配合Ｘ射线衍射分析，研究了非晶合金结构缺陷随退火温度的变化。结果表明，非晶合金中存在两种类型的自由体积。正电子湮没有寿命随样品退火温度的变化曲线对应着结构弛豫，局域晶化和完全晶化阶段。     

A study on the electric properties of single-junction GaAs solar cells under the combined radiation of low-energy protons and electrons

Displacement damage induced by charged particle radiation is the main cause of degradation of orbital-service solar cells, while the radiation-induced ionization shows no permanent damage effect on their electrical properties. It is reported that in single crystal silicon solar cells, low-energy electron radiation does not exert permanent degradation of their properties, but the fluence of electron radiation exerts an influence on the damage magnitude under the combined radiation of protons and electrons. The electrical properties of the single-junction GaAs/Ge solar cells were investigated after irradiation by sequential and synchronous electron and proton beams. Low-energy electron radiation showed no effects on the change of the solar cell properties during sequential or synchronous irradiation, implying ionization during particle radiation could not exert influence on the displacement damage process to the solar cells under the experimental conditions.