单层聚酰亚胺LB膜的STM成象

扫描隧道显微镜(STM)被用来表征聚酰亚胺LB膜的形貌及分子排列结构。本文介绍了单层聚酰亚胺LB膜样品制备过程,所用的STM系统及STM实验。给出了该LB膜亚胺化前后的STM图象。结果表明,所制备的LB膜的聚合链排列有序,测得链间距即横向周期～7(?),纵向上所谓的“之”字型结构的周期为11(?)。这些数值与根据分子面积在理论上所预估的结果相符。     

聚酰亚胺及其LB膜光电导性研究进展

对芳香性聚酰亚胺及其Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ膜的光电导性研究作了总结,讨论了分子链结构、取向、掺杂等因素对其光电导性的笔电荷转移络合物的光电导机理。结果表明,给电子基团的引入有利于分子链间电荷转移络合物的形成,从而提高其光敏性;大分子链的堆积和高度有序的排列、取向,有利于光生载流子的定向全和光电导性能的提高。     

DPPC/胆固醇混合LB膜的AFM研究

用LB膜技术将二棕榈酰磷脂酰胆碱(DPPC)和胆固醇的混合液转移到疏水云母上,并利用原子力显微镜(AFM)在空气中表征了LB膜的性质。结果表明,当C(DPPC)∶C(cho lestero l)=2.6∶1,膜压15mN/m时,能形成有缺陷的LB膜。并分析了这种缺陷LB膜的形成过程。此法制得的LB膜接近受损伤的肾上皮细胞膜,用于诱导晶体生长,从而建立受损伤的肾上皮细胞膜导致肾结石形成的化学模型。     

光电导性聚酰亚胺的研究(Ⅲ)含咔唑、酞菁铜聚酰亚胺LB膜的制备及其光电导性能

研究了聚酰胺酸聚季铵盐在汽液界面上的单分子膜行为，采用“预聚法”制备了含咔唑、酞菁聚酰亚胺ＬＢ膜，对所制备的ＬＢ膜结构进行了表征。以具有光电导性能的含咔唑、酞菁铜聚酰亚胺ＬＢ膜作为光生层和相应的涂膜法制得的体系相比较，发现其光电性能具有较大程度的提高。在表面充电电位基本不变的前提下，光衰速率从２５０Ｖ／ｓ提高到３７５Ｖ／ｓ，光衰百分比从３０．６３％提高到６３．３２％，半衰时间从２．６３ｓ下降到０．６３ｓ。     

光电导性聚酰亚胺的研究（Ⅲ）含咔唑,酞菁铜聚酰亚胺LB膜的制备及…

研究了聚酰胺酸聚季铵盐在汽液界面上的单分子膜行为，采用“预聚法”制备了含咔唑、酞菁聚酰亚胺ＬＢ膜，对所制备的ＬＢ膜结构进行了表征。以具有光电导性能的含咔唑、酞菁铅聚酰亚胺ＬＢ膜作为光生层和相应的涂膜法制得的体系相比，发现其光电性能具有较大程度的提高。在表面充电电位基本不变的前提下，光衰速度从２５０Ｖ／ｓ，光衰百分比从３０．６３％提高到６３．３２％，半衰时间从２．６３ｓ下降到０．６３ｓ。     

聚酰亚胺的Langmiur—Blodgett膜

本文介绍了制备聚酰亚胺ＬＢ膜的“前聚物法”以及通过引入不同结构基团或各种后处理以得到不同性能的聚酰亚胺ＬＢ膜和它们各种可能的应用。     

具有功能特性的聚合物LB膜的研究进展

综述了Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ膜的发展及应用前景，重点介绍了含光功基团的聚合物ＬＢ膜、导电聚合物ＬＢ膜和液晶型聚合物ＬＢ膜等三类功能化聚合物ＬＢ膜的特点，理论意义和应用前景。     

聚酰亚胺LB膜MIS结构C－V特性

本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ一Ｖ特性研究结果．６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０１１ｃｍ－２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５—－１．５Ｖ间具有反型层箝位产生的电容峰外，在－１．５—－４Ｖ间还出现了另一电容峰值．假设在强电场下隧穿能力剧增，从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区，可以解释这一峰值的出现，考虑到少子注入引入的扩散电容，正、反向扫描时电容峰值的差别可以得到解释     

新型两亲性铕配合物LB膜的性质研究

研究了一种新型带有长烷基链的铕配合物Langmuir-Blodgett（LB）膜及其发光性质。实验结果表明，此种配合物能够在水面上形成稳定的单分子膜，单分子占有面积为0．6nm^2，并可将单分子Langmuir膜沉积在亲水的石英基片上，其紫外结果表明，位于287nm处的主吸收峰随着LB膜层数的增加而增加，其吸收强度随层数的增加呈线性关系，证明可以形成均匀LB膜。对其LB膜的荧光光谱研究结果显示，具有典型的铕配合物的发射峰，且具有一定的荧光强度。这为以铕配合物作为分子器件的材料研究提供了实验基础。     

聚酰亚胺薄膜表面改性研究进展

聚酰亚胺薄膜因表面光滑和亲水性差,导致其粘接性能低,有必要对其进行表面改性.从聚酰亚胺薄膜表面性质出发,详细介绍了酸碱处理、等离子处理、离子束和表面接枝等几种不同的聚酰亚胺薄膜表面改性方法及其研究进展.通过这些改性方法,聚酰亚胺薄膜表面与其他材料的粘接性能得到显著提高.     

铜硅取代的酞青材料LB膜气敏传感器的研究

采用ＬＢ膜技术对沉积在石英晶振的铜硅取代的酞青材料的气体敏感性进行了系统研究，结果表明，该方法所获得的敏感膜敏感度高，反应迅速，稳定性较好。     

液晶显示装置用聚酰亚胺相位差薄膜

本文介绍了日本东丽公司发明的无需双轴向拉伸,仅采用在透明基板上涂布的方法即可简便制作的液晶显示装置用聚酰亚胺相位差薄膜的制造方法。并简要介绍了杜邦公司发明的将颜料混入聚酰亚胺的方法。     

溶胶-凝胶法制备氧化硅-氧化铝共掺杂聚酰亚胺薄膜及其性能

采用溶胶-凝胶法制备纳米二氧化硅及氧化铝溶胶,将溶胶混合后掺入正在反应的聚酰胺酸中,制得聚酰亚胺/二氧化硅-氧化铝杂化薄膜。利用扫描电子显微镜对杂化薄膜的微观形貌进行了表征,并测试了无机组分含量不同的杂化薄膜的力学性能、热稳定性及介电性能。试验结果表明,杂化薄膜材料中无机相呈现纤维结构和颗粒结构,有效地提高了薄膜的力学性能。杂化薄膜与纯膜相比,热分解温度有较大提高,且随着无机组分含量增大,热分解温度呈现先上升后下降的趋势。介电性能分析表明,杂化薄膜的介电常数和介电损耗与频率的关系符合德拜松弛极化机理。     

酸碱处理对聚酰亚胺薄膜的表面改性

采用酸碱处理的方法对聚酰亚胺(PI)薄膜表面改性。利用万能试验机和热失重仪考察了处理前后PI薄膜力学性能和热性能的变化情况,并通过傅立叶红外光谱仪、原子力显微镜及视频接触角仪对PI薄膜改性前后表面性能进行了表征。结果表明,经酸碱处理后,PI薄膜表面化学组成和表面形貌均发生变化,表面亲水性增大;当处理时间为4min时,力学性能保持在97%以上,热稳定性略有下降;均方根粗糙度从1.057nm增大到3.002nm,接触角从77.32°下降到46.70°,粘接功提高了38.20%。     

聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸复合LB膜在OLED器件上的应用

采用Langmuir-Blodgett(LB)膜静电诱导沉积法制备聚3,4-乙烯二氧噻吩(PEDOT)高度有序导电聚合物复合薄膜,研究了薄膜的导电性能并进一步研究薄膜在改善器件性能方面的作用.并将其应用于有机电致发光二极管(OLED)器件的空穴缓冲层,将聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)复合LB沉积于纳米铟锡金属氧化物(ITO)电极上,制备了以复合LB膜为空穴缓冲层的OLED器件.发现复合LB膜改善了器件性能(启动电压降低,最大亮度增加),但进一步的研究表明LB膜器件在一定时间后出现性能劣化.I-V特性和X射线反射率(XRR)分析表明,薄膜的结构发生一定程度的改变是导致器件性能变差的可能原因.     

聚酰亚胺保鲜膜

介绍聚酰亚胺保鲜膜的性能和用途、制备过程 ,并提出课题开发研究建议     

多功能聚吡咯/聚酰亚胺电磁屏蔽复合膜的制备与性能研究

目的 开发具有优异屏蔽效率、轻质且热稳定性良好的电磁屏蔽材料。方法 以聚酰亚胺(PI)为聚合物基体,聚吡咯(PPy)为添加相,采用静电纺丝-低温原位聚合技术制备PPy/PI电磁屏蔽复合膜。通过在薄膜内部的多孔结构中构建致密的导电网络,赋予复合膜优异的导电性和高效的电磁屏蔽效能。结果 在聚合PPy浓度为0.1 mol/L时,复合膜的电导率和电磁屏蔽效能分别为2.23 S/cm和26.04 dB,且其单位厚度电磁屏蔽效能可达到110.81 dB/mm,展现出优异的电磁屏蔽性能。结论 PPy/PI复合纤维膜表现出良好的力学性能(拉伸强度为11.73 MPa)、优异的热稳定性(>400 ℃)和力学传感性能,具备在恶劣环境下广泛应用的潜力。     

高温热处理对聚酰亚胺前驱体凝胶膜性能的影响

考察不同温度处理的聚酰亚胺前驱体凝胶膜的热稳定性和力学性能,以及不同升温速率对薄膜亚胺化程度的影响.结果表明:随着升温速率的增大,薄膜的亚胺化程度略有下降,但随着处理温度的升高,其热稳定性能和力学性能都有明显的提高,拉伸强度、弹性模量增大到107MPa和2770MPa.     

聚酰亚胺膜分子自组装与激光诱导图形化学镀铜

为了摒弃化学镀铜中价格昂贵、环境污染的活化工艺,将分子自组装技术与激光诱导化学镀技术结合,在聚酰亚胺薄膜(PI)上成功实现了图形化微米级金属铜沉积:将PI薄膜通过KOH溶液进行表面水解;经离子交换和高温处理在PI表面束缚纳米银粒子,在PI表面自组装上一层十二硫醇的自组装膜;再用聚焦的激光光刻产生预期的图形,最后实施化学镀后,在PI表面上实现金属铜的图形化沉积.采用XPS,AFM,SEM,ATR-FTIR,半导体特性分析系1统和视频光学接触角测量仪等跟踪表征各过程.结果显示:沉积的铜线宽度为30μm,选择性、导电性良好,本法为化学镀技术提供一种新技术,可用于电子行业.