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相似文献
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1.
介绍了应用于我国最新设备制造的智能框架断路器上的触头材料工艺研究试验。通过大量试验,制成了高性能预烧钨骨架银钨触头和银镍石墨触头。经大电流电弧烧损和电磨损模拟试验,确定了较佳的动静触头品种。经装机型式试验证明,采用AgW50/AgNi25C2非对称配对触头,满足了断路器的各项性能指标。短路分断能力达380V、65kA;660V,50kA。并具有显著的节银效果。  相似文献   

2.
介绍了应用于我国最新设计制造的智能框架断路器上的触头材料工艺研究试验。通过大量试验,制成了高性能预烧钨骨架银钨触头和银镍石墨触头.经大电流电弧烧损和电磨损模拟试验,确定了较佳的动静触头品种。经装机型式试验证明,采用AgW50/AgNi25C2非对称配对触头,满足了断路器的各项性能指标。短路分断能力达380V、65kA;660V,50kA。并具有显著的节银效果。  相似文献   

3.
AgNi触头材料应用性能及其主要制备工艺   总被引:1,自引:0,他引:1  
综述了AgNi触头材料的基本物理性能及近年来AgNi触头材料电气性能的研究情况,介绍了AgNi触头材料在接触器、断路器、继电器三大领域的应用以及AgNi触头产品烧结挤压法、单片压制法这两种主要制备工艺,指出目前各企业、研究院所正从添加物的选择、粉末的处理、新加工工艺的开发和应用等方面对AgNi触头材料进行改进,不断拓展AgNi触头材料的应用范围。  相似文献   

4.
用化学镀的方法在Ni粉末表面镀一层Ag,制备AgNi(10)电触头材料,探讨了Ag、Ni的界面对AgNi(10)触头材料的电弧侵蚀影响。结果表明,材料的抗电弧侵蚀能力明显提高。  相似文献   

5.
化学包覆法AgWC(20)C(3)触头材料的性能分析及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
对化学包覆法AgWC(20)C(3)触头材料的各项性能作了较全面的测试,并与机械混粉法AgWC(12)C(3)触头材料进行对比。试验证明,AgWC(20)C(3)的各项性能指标均优于AgWC(12)C(3)。前者装于我国某新型飞机的断路器中,顺利通过了地面各项性能及五年飞行后的性能考核,目前已经批量使用。在断路器DW10—400、DW10-600、DZ20J-400中也通过了型式试验。  相似文献   

6.
7.
化学共沉积AgNi(10)电触点材料的制备及性能分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用化学共沉积工艺制备AgNi(10)粉末,经烧结、挤压、拉拔加工成线材,并与机械混粉、烧结、挤压制备的AgNi(10)线材进行了对比。结果表明,化学共沉积工艺不仅能有效地解决Ni颗粒的团聚,还能使Ni颗粒均匀弥散地分布于银基体中,因而提高了AgNi(10)的使用性能。  相似文献   

8.
CuCr25触头材料的制造工艺及其性能   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文综述了CuCr25触头材料的各种制造工艺,详细分析了它优缺点,并对CuCr25触头材料的性能进行比较分析。  相似文献   

9.
对包复粉末AgWC20C3和机混粉末AgWC12C3触头材料的各项物理、力学性能和电接触性能进行了测试。结果表明WC、C粉末用银包复后各项性能明显提高,例如电阻率AgWC20C3为3.0μΩ.cm比机械混粉AgWC12C3还低,抗熔焊性能和抗电弧腐蚀能力也优于AgWC12C3,它的金相组织均匀,断口致密,电弧腐蚀后试样表面凹凸不平度较小是AgWC12C3良好替代材料。  相似文献   

10.
分别在H2气氛和真空条件下对AgWC(12)C(3)进行烧结,研究了烧结气氛对AgWC(12)C(3)触头材料电阻率及其它力学物理性能的影响。采用Archimede法测量样品的密度,用双电桥法测量样品的电阻率,并对材料的显微组织进行了分析。研究结果表明,真空烧结能明显降低材料的电阻率,与H2气氛相比,真空烧结的AgWC(12)c(3)的电阻率降低了9.2%为2.65μΩ·cm;抗弯强度提高了20.5%,达250MPa以上。  相似文献   

11.
介绍了空调交流接触器用AgNi触点材料,比较了不同Ni含量和不同类型添加物的AgNi触点材料的力学物理性能、烧损量、燃弧能量以及熔焊力等。结果表明,对于额定电流大、电寿命要求高的空调接触器用AgNi触点材料,其最佳Ni含量为15%左右;添加微量脆性物质能改善AgNi触点材料的电性能。  相似文献   

12.
不同混粉设备对AgNi(10)触头材料金相组织的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
对应用于银基触头材料研究生产领域的几种主要混粉机的工作原理及优缺点进行分析,并对这几种混粉设备所制备的AgNi(10)粉的金相组织进行了对比。  相似文献   

13.
研究了三种类型的添加物对AgNi(10)线材的加工性能及电性能的影响。在常规粉末冶金工艺的基础上,结合先进的高压水雾化合金粉末制备工艺,在AgNi(10)线材中分别进行了添加微量A、B、C、D、E、F等不同类型添加物的实验。根据线材机械物理性能实测数据,运用固溶强化、颗粒强化、弥散强化等理论,对比分析了不同类型添加物对AgNi(10)线材机械物理性能的影响机理。将含不同添加物的AgNi(10)线材分别加工成平面、球面复合铆钉型触头,并配对装配于ASTM标准试验机上进行电性能模拟试验,得出了含不同添加物的AgNi(10)线材的电磨损及接触电阻数据,并利用扫描电镜对电性能模拟试验后的触头表面形貌进行了对比观察,在此基础上初步分析了不同类型的添加物对AgNi(10)材料电性能的影响机理。  相似文献   

14.
小型断路器用AgWC触头材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
对小型断路器用AgWC(55)触头材料的制备工艺进行了研究。通过对比试验,制备出了高性能的AgWC(55)触头。材料装机型式试验表明:采用AgWC(55)作为对称配对触头,能满足小型断路器的各项性能要求。  相似文献   

15.
随着工业化大批量生产的需要,机器人得到了广泛的应用.本文主要介绍了弧焊机器人在焊接智能型万能式断路器中多品种转轴的焊接工艺和应用.  相似文献   

16.
采用粉末冶金熔渗工艺制备AgWNi触头材料,研究了材料的烧结行为以及添加元素Ni对材料性能的影响。用Archimede法测量样品密度,并对材料的显微组织进行了分析。结果表明,Ni可有效改善Ag与W的润湿性,使材料获得较高的致密度。与AgW55材料相比,其相对密度可达到98%~99%(提高约1.23%),硬度提高14.48%,电阻率降低3.9%。  相似文献   

17.
Abstract

Ti(C,N) ceramic materail plays an important role in the field of material processing due to their good mechanical properties and thermal stability. In this experiment, Ti(C,N) powders were successfully prepared by solvothermal and high-temperature calcining method, using TiOSO4 and C3H6N6 as raw material, and n-propanol and ethylene glycol as solvents. The microstructure of Ti(C,N) powders were characterized by X-ray diffraction and field emission scanning electron microscope, and their hardness were tested by vickers microhardness tester. The microstructure and mechanical properties of Ti(C,N) powders using two different solvents were investigated comparatively. Ti(C,N) powders prepared using n-propanol with a size of about 20–30?μm can reach the maximum hardness of 660 HV after sintering. Ti(C,N) powders prepared using ethylene glycol with size range of 3?μm to 5?μm come up to the maximum hardness of 889 HV. The different mechanism of solvents in preparation of Ti(C,N) ceramic material was discussed.  相似文献   

18.
为了研究制备方法对Mg70(Ni3La)30合金相结构和储氢性能的影响,分别采用熔铸法(自然冷却法)、浇铸法及快淬法制备了Mg70(Ni3La)30合金,发现随着冷却速率的增大,结晶相逐渐向低温转变,并且快淬法制备的Mg70(Ni3La)30合金为非晶合金。对该非晶合金进行退火处理后发现,在300℃时非晶相转变为Mg2Ni和La2Mg17晶体相,且晶化后的颗粒非常细小。通过PCT(合金吸放氢)曲线发现,快淬法制备的Mg70(Ni3La)30合金的储氢性能最好,浇注法次之,熔铸法最差。这与非晶合金晶化后的微观结构及高的储氢相有关。  相似文献   

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