对低温多晶硅液晶显示器市场的评估

低成本高性能显示器是一项长期的技术挑战。由于低温多晶硅技术有很多优点，可制造高性能的薄膜晶体管，从而能得到高清晰度高亮度和低功耗的显示器。本文通过对液晶显示器市场的分析，展望低温多晶硅技术的应用前景。同时对低温多晶硅与非晶硅作了成本对比。     

多晶硅有源矩阵液晶显示器

本文首先就用来制造有源矩阵液晶显示器的非晶硅和多晶硅材料作了性能比较,然后描述了多晶硅薄膜晶体管阵列的制造方法,以及在制造方法上取得的进展。     

薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）

薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是液晶显示器中最重要的一种，其产值和影响力在液晶显示器家族中有着举足轻重的地位，可广泛应用于电视机、笔记本电脑、监视器、手机等各个方面。TFF-LCD根据薄膜晶体管材料的不同，又分为非晶硅TFF（a-SiTFT）、多晶硅（p-SiTFT）和单晶硅MOSFET（c-Si MOSFET），后者形成的LCD被用于LCOS（Liquid Crystalon Silcon）技术。     

彩色薄膜晶体管液晶显示器（TFT—LCD）基本原理与动态

概述了薄膜晶体管液晶显示器基本结构与原理。着重分析比较非晶硅与多晶硅薄膜晶体管的工艺，成本的区别。提出了应大力发展低温多晶硅薄膜晶体管技术，以适应下世纪大屏幕高清晰度液晶显示终端的需求。     

应用于低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器之新型互补电流镜式模拟缓冲放大器

取代传统运算放大器和临界电压补偿型模拟缓冲器,提出了一种新型的互补式电流镜模拟缓冲器,可以利用在低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器驱动电路上.使用 N 型电流镜和 P 型电流镜来交互使用以达到较大的电压输出范围,并且使用一开关控制电路实时控制切换,所以可以提出的电压缓冲器不需要电容或时脉讯号就可以运作,这样可以节省很多布局时所需要的面积,且依然维持良好的线性趋势.     

多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用

多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一,它以其独特的优点,在液晶显示领域中失常着重要角色,简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。     

450℃下制备的多晶硅薄膜晶体管寻址全色液晶显示器

采用激光诱导硅结晶的方法,在最大生长温度为450℃的条件下制备了多晶硅薄膜晶体管,这种方法制备的器件具有较高的迁移率(50cm~2/Vs),低的阈值电压(2V),低断路电流(10~(-12)A)和高的可靠性。采用这种多晶硅薄膜晶体管寻址制备了3.5英寸对角线的全     

薄膜晶体管液晶显示器发展迅猛

近年来．各种平板显离子体显示（PDP）发光二电致发光（EL）场发射（FED）和液晶显示（LCD）等已成为研发热点，其中，液晶显示器脱颖而出．以其低功耗．易集威和轻巧便携的特点率先进入市场并不断拓宽其应用领域。薄膜晶体管寻址的液晶显示器（TFT AMLCD）又以其大容量．高清晰度和全彩色的视频显示成为液晶乃至整个平板显示技术领域的主导技术．相关的高新技术产业也成为目前的主要投资方向。     

多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀

对多晶硅薄晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究，给出了Ta、p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率，通过工艺参数的优化，使薄膜间的选择比在2-20，可选择；并通过气体掺杂，实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转。     

液晶显示器新技术

目前在平板显示器中占据统治地位的是液晶显示器(LCD),它的市场规模已经接近传统的CRT器件.本文回顾了现阶段液晶显示器的几个研究热点,包括透反射液晶显示器、多晶硅薄膜晶体管技术及硅基液晶.     

液晶显示器的发展及其光电特性

简要介绍薄膜晶体管液晶显示器的发展，分类及其主要光电特性。     

矩阵寻址铁电液晶显示器

研制了矩阵寻址铁电液晶显示器 (FL CD) ,像素为 12 8× 12 8,像素大小为 0 .2 75 nm× 0 .2 75 nm,像素间隔为 2 0 μm,显示区对角线尺寸为 5 .3cm。它具有良好的记忆特性 ,像素对比度 6 5∶ 1,帧速为 2 6Hz。在自行研制的电源驱动下可脱离计算机和联机显示文字和图像。     

液晶显示器的清洗技术

文章首先对液晶显示器的发展历程进行简要回顾，并对各种液晶显示器的工作原理、结构特点作了介绍，其中对薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）的基本结构和生产工艺流程做了重点介绍，文章还对液晶显示器的制备过程中采用的洗净技术以及目前国外技术发展的新动向做了较详细的介绍。     

Halo LDD结构多晶硅薄膜晶体管的模拟研究

提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区.并利用工艺和器件模拟软件对该Halo LDD P-Si TFT的电学特性进行了分析,并将其与常规结构、LDD结构和Halo结构进行了比较.发现Halo LDD结构的P-si TFT能有效地降低泄漏电流、抑制阈值电压漂移和Kink效应;减少因尺寸减小后所带来的一系列问题.     

彩色薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)基本原理与动态

概述了薄膜晶体管液晶显示器基本结构与原理。着重分析比较非晶硅与多晶硅薄膜晶体管的工艺、成本的区别。提出了应大力发展低温多晶硅薄膜晶体管技术，以适应下世纪大屏幕高清晰度液晶显示终端的需求。     

高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用

低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比，制作工艺简单，而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压，降低了漏电电流，改进了器件参数空间分布的均匀性。我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术，成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。     

MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管

金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能.采用超薄结构后,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10-13A/μm以下;开关比提高了近100倍达到3×107以上;场效应迁移率从普通结构晶体管的80cm2/Vs(NMOS)与51cm2/Vs(PMOS)分别提高到110cm2/Vs与68cm2/Vs;阈值及亚阈摆幅也有很大改善.文中还将金属诱导结晶与传统固相结晶所得薄膜晶体管的性能进行了比较,并对这些结果进行了讨论.     

多色激光寻址液晶投影显示器

一种多色、大屏幕(2米×2米,2000×2000象素)激光寻址液晶投影式显示器已研究成功,该显示器的三个液晶盒与三基色相对应.它仅用一个f-0透镜和一个投射透镜.为增强亮度,该投影系统使用两个分色镜和一个轴外投射透镜.