半导体与微电子技术

Y2002-63479-475 0322366采用大气光辐射频谱术和 Kelvin 探测法研究导电聚合物/电极界面的电子能级=Electronic energy states atconducting polymer/electrode interfaces studied by atmo-spheric photoemission spectroscopy and kelvin probemethod[会,英]/Hori,K.& Tada,K.//2001 IEEEProceedings of International Symposium on Electrical In-sulating Materials.—475～478(E)0322367纳米技术:研究现状及展望[刊]/王曙钊//空军工程大学学报(自然科学版).—2003,4(1).—90～94(E)     

半导体与微电子技术

0114818基因芯片中点阵的微电子加工技术(刊]/余志文//微电子学.—2001,31(2).—100～102(D)0114819现代科学的奇迹——半导体技术[刊]/周如培//微电子学.—2001,31(2).—77～82(D)文章简要回顾了半导体技术五十多年的发展历     

半导体与微电子技术

9915061贯彻科技是第一生产力的思想坚定不移地实施科技兴企战略:在公司第二次科技大会上的科技工作报告[刊]/滕敬信//微电子技术.—1999,27(3).—1～7(V) 纳米硅薄膜与纳米技术进展(见9914832)     

半导体与微电子技术

0302786纳米科技的内涵及其发展趋势[刊]/白春礼//武汉理工大学学报-信息与管理工程版.—2002,24(5).—5～8(K)从纳米科技不仅仅是材料问题,不仅仅是传统微加工技术的扩展和延伸,以及纳米材料不仅仅是颗粒尺寸减小的问题和应重视纳米尺度的表征和检测工作4个方面阐述了纳米科技的内涵。论述了纳米科技发展的几个阶段,并展望了纳米科技的发展趋势。     

半导体与微电子技术

0206005具有负有效质量的半导体载流子速度-电扬持性[刊]/曹俊诚//功能材料与器件学报.—2001,7(4).—331～334(C)     

半导体与微电子技术

0217324GaP:N 绿色 LEDn2层载流子浓度的优化[刊]/赵普琴//液晶与显示.—2002.17(2).—114～118(C)     

半导体与微电子技术

Y98-61366 99002461998年 IEEE 第14届半导体热测量和管理年会会议录=1998 IEEE 14th annual semiconductor thermal mea-surement and management symposium[会,英]/IEEE.—1998.—255P.(VG)IEEE 第14届半导体热测量和管理年会于1998年3月10日至12日在美国加州的圣迭戈召开。本会议录收录了22篇论文,内容主要涉及热的计算和分析模型,热测量方法,热管理,芯片级热效应等方面。通过先进的半导体技术对 DVD(数字视盘)的评估(见9900501)1997年 IEEE 国际半导体制造会议录(见9900324)     

半导体与微电子技术

Y2000-62028-B85 0100235电子学封装教育=25:electronics packaging education[会,英]//1999 IEEE 49th Electronic Components andTechnology Conference.—885～911(PC)本部分收入6篇论文。题名为:美国微电子学封装教育的需要、进展、现状与问题,封装研究、教育与进一步训练的全局化,电子封装初步教程,以万维网为基础的多校大学生电子封装课程,电子封装教育的多媒体强化教学,以及全面协作电子封装教育。1999年 SPIE 会议录,卷3618:激光器在微电子与光电子制造中的应用(4)(见0100219)     

半导体与微电子技术

0810半导体物理 0516228AIGaN/GaN高电子迁移率晶体管解析模型〔刊,中〕/杨燕//电子学报一2005,33(2)一205一208(E) 0516222低温氢化前和低温氢化后氧化N型高阻FZ硅的深能级=Deep Leve坛in Oxygenatedn一T即e High一ResistivityFZ Silieon before and aftera助w一TemPerature Hydro-genation Step〔刊,英〕/E.Simoen,C.Claeys//Journal ofThe Eleetrochemieal段(iery一2003,150(9)一G520-G526(E)基于碳纳米管/硅纳米导线场效应晶体管的采用h一hot寻址方案纳米阵列结构的产量建模(见0517525)多同步干扰稳固算子(见。517459)测…     

半导体与微电子技术

N2003-07837 03142222001年版日本半导体年鉴=2001年度版日本半导体年鉴[著,日]/Semiconductor FPD World 编辑部,一株式会社,2001.03.—528P.(L)本年鉴分7编18个章节论述了2000年～2001年日本及部分世界发达国家和地区的半导体生产动态与展望。内容主要涉及:上一年度世界半导体应用领     

半导体与微电子技术

0118418PTFE 快速定位系统研究[刊]/余国彬//电子工业专用设备.—2001,30(2).—14～16(D)介绍了采用压力-真空平衡气足作支承、PTFE 材料作导轨的工件台的组成,并对气足的设计计算进行了讨论。最后给出了所研究的工件台的检测结果。参40118419基于 MEMS 技术的 PCR 生物芯片的研究[刊]/赵湛//传感器技术.—2001,20(6).—56～59(D)     

半导体与微电子技术

9913103韩国优先发展国内微电子,力争取得市场优势[刊,译]/梁斌//微电子技术.—1999,27(1).—57～60(V)超晶格材料(见9912732)可靠性技术2(含4篇论文)(见9912685)可靠性技术1(含4篇论文)(见9912684)     

半导体与微电子技术

9909044一种新型 MCM 基板:阳极氧化多层基板[刊]/刘彤//电子元件与材料.—1999,18(1).—15～17(C)采用电化学方法,对基板上的 A1膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如MCM-C、MCM-D 比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。参7     

半导体与微电子技术

0810 半导体物理0507735电子密度与 N 型锑化镓能量的相关性=Dependence ofElectron Density on Energy in N-Type Gallium Anti-monide[刊,英]/Herbert S Bennett//Journal of Researchof the National Institute of Standards and Technology.—2003,108(3).—193-198(E)0507736Ta/Au 与 n 型 ZnO 的欧姆接触=Ta/Au Ohmic Con-tacts to n-Type ZnO[刊,英]/H.Sheng,N.W.Emane-toglu//Journal of Electronic Materials.—2003,32(9).—935-938(E)     

半导体与微电子技术

0319698LIGA 相关技术及应用[刊]/张永华/传感器技术.—2003,22(3).—60～64(D)微电子机械系统(MEMS)技术的兴起及其在现代信息社会中的广泛应用,推动了能实现高深宽比三维     

半导体与微电子技术

SPIE-Vol.3506 00161521998年 SPIE 会议录,卷3506:微电子器件技术(2)=1998 proceedings of SPIE.Vol.3506:microelectronicdevice technology Ⅱ[会,英]/SPIE-the InternationalSociety for Optical Engineering.—1998.—356P.(PC)本会议录收集了于1998年9月23～24日在美国加州圣克拉拉召开的微电子器件技术专题讨论会上发表的40篇论文。内容涵盖介质/栅技术,源/漏结与硅化物,集成与可制造性,标量 CMOS 过程设计,绝缘体上硅与亚100nm CMOS 技术,以及器件与过程模拟等7部分。     

半导体与微电子技术

Y2000-62370 00143881999年国际半导体会议录,卷1=1999 internationalsemiconductor conference(CAS’99 proceedings),Vol.1[会,英]/Romanian Academy Electrochemical SocietyInc..—IEEE,1999.—404P.(PC)本次会议由罗马尼亚科学院电化学学会主办,于1999年10月5～9日在 Sinaia 召开。本会议录共分2卷。该书为第1卷,共收录80多篇论文。内容涵盖高电压器件,集成电路,半导体物理学,硅器件,碳化硅,微波器件,以及材料、技术、可靠性与模拟等。Y2000-62371 00143891999年国际半导体会议录,卷2=1999 internationalsemiconductor conference(CAS’99 proceedings),Vol.2[会,英]/Romania Academy Electrochemical SocietyInc..—IEEE,1999.—133P.(PC)本会议录共分2卷。该书为第2卷,共收录20多篇论文。主要介绍微系统方面的内容。     

半导体与微电子技术

0309468碳纳米管阵列密度对其场发射性能的影响[刊]/朱亚波//真空科学与技术学报.—2002,22(增刊).—26～29(L) 0309469纳米结构的制备及其应用[刊]/卢刚//微电子学.—2002.32(6).—416～418(D)     

半导体与微电子技术

Y2002-63133-743 0219651原硅酸四甲酯(TMOS)亚微米技术中老化现象研究=Study of the ageing phenomena of the TMOS submicronic[会,英]/Guenifi,N.& Hemissi,M.//2001 IEEECanadian Conference on Electrical and Computer Engi-neering,Vol.2.—743～746(E)0219652一种有机量子阱结构的光致发光特性[刊]/杨开霞//发光学报.—2002,23(3).—265～268(E)