中芯国际45nm工艺技术设备进厂年底试产

中芯国际45nm工艺技术再获重大进展,继与IBM签定技术授权合作协议后,中芯国际45nm最重要武器浸没式微显影（immersion lithography）设备在日前正式由上海浦东机场移往中芯国家上海厂区Fab8,这也是中芯国际自有第1台45nm工艺技术设备,预计最快2008年底进入试产阶段。另外,由中芯国际所代管武汉新芯之前亦曾进口这款浸没式微显影机种。     

Spansion与中芯国际扩展代工协议扩大65nm产能生产45nm闪存

NOR闪存领先供货商Spansion与中国最大的晶圆代工领导企业中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）宣布双方将延伸目前的代工协议以扩展中芯目前的65nm代工产能．并为Spansion制造45nm闪存。     

中芯国际65nm和45nmCMOS逻辑工艺选择KilopassOTP嵌入式非挥发性内存硅智财（NVM）解决方案

嵌入式非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）的领先供货商Kilopass科技公司（Kilopass Technology Inc．）和世界领先的晶圆代工厂之一的中芯国际集成电路制造有限公司9月25日宣布在嵌入式OTP的合作伙伴关系。Kilopass是中芯国际于65nm和45nm工艺的第一个嵌入式OTPNVM合作伙伴。     

中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40nm以及55nm

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布其45nm的互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术将延伸至40nm以及55nm。 这些新工艺技术进一步丰富了中芯国际现有的技术能力，更好地满足全球客户的需求，包括快速增长的中国市场在内。其应用产品包括多媒体产品、图形芯片、芯片组以及手机设备（如3G／4G手机）。     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月～6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。     

养Foundry鱼 先灌Fabless水

就在大家准备过新年之际．中芯国际（SMIC）总裁张汝京在深圳宣布．公司已与深圳市政府达成协议。通过注册成立中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司．投资15．8亿美元先后各建一条新的8英寸和12英寸芯片生产线及一家研发中心。有媒体引述张汝京话语：“12英寸工厂将采用IBM授权使用的45nm工艺．深圳市政府将会在资金、优惠政策及运作方式等方面提供全力支持,我们预计8英寸线将在2008年上半年动工。”     

中芯国际2006年3月开始量产90nm产品

中国的半导体代工企业——中芯国际集成电路制造（SMIC：Semiconductor Manufacturing International）将于2006年3月进入90nm工艺量产体制，预计90nm工艺产品的销售额将出现在2006年第二季度（2006年4月-6月）的业绩中。中芯国际社长兼CEO张汝京表示，除了已经公开的德国英飞凌以外，还有数家公司计划委托中芯国际使用90nm工艺进行代工。英飞凌委托中芯国际使用90nm工艺制造的是DRAM产品，预定于2006年第三季度进入量产阶段；而对于在第二季度就能带来销售额的90nm产品，张汝京并没有公开委托公司的具体名称，只是表示是从两家公司接到了逻辑LSI产品的委托制造订单。     

奇梦达扩展与中芯国际技术合作协议

奇梦达公司（Qimonda）与中芯国际集成电路公司目前宣布签署协议，扩大双方于标准内存芯片（DRAM）的技术合作。根据该项协议，奇梦达将转移其80nm DRAM沟槽技术给中芯国际位于北京的12英寸晶圆厂。中芯国际将运用此技术，为奇梦达制造针对各种计算机运算应用的专属DRAM组件。     

中芯与灿芯40LLARMCortex—A9成功流片

国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商——灿芯半导体（上海）有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM今日联合宣布,采用中芯国际40nm低漏电工艺的ARM CortexTM．A9MPCoreTM双核测试芯片首次成功流片。     

中芯国际采用ARM物理IP支持90nm技术下的低功耗高性能设计

日前，全球领先的代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司和ARM公司共同宣布：中芯国际采90nm LL（低渗漏）和G（主流）处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案的协作和承诺。