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提出一种广义切比雪夫型LC滤波器的设计方法,带外传输零点可以是任意设定,其带外特性既可以对称,也可以不对称.采用此方法设计出的LC滤波器,其带内波动可以与最大平坦型滤波器一样很小,而矩形系数可以与椭圆函数型滤波器一样好.每一个传输零点的位置可以由一个元器件的取值大小控制.与椭圆函数型LC滤波器相比,相同数量的元器件,它可以实现更陡的截止特性. 相似文献
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摘要:提出了一种新型基于混合积分器的双二阶单元。与基于源极跟随器的双二阶单元采用正反馈综合复数极点相比,本文提出了另一种综合复数极点的机制。提出的双二阶单元采用负反馈结合不同类型积分器综合复数极点,用于设计连续时滤波器。该单元包括许多优点:电路结构简单、高增益、无寄生极点、不需要共模反馈电路和大的驱动能力。在0.18 μm CMOS 工艺上采用提出的双二阶单元实现了一个4阶巴特沃斯低通滤波器。滤波器包括测试缓冲器有源面积仅为200×170µm。提出的滤波器消耗201µW功耗,获得51dB动态范围。 相似文献
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A new mixed-integrator-based bi-quad cell is proposed. An alternative synthesis mechanism of complex poles is proposed compared with source-follower-based bi-quad cells which is designed applying the positive feedback technique. Using the negative feedback technique to combine different integrators, the proposed bi-quad cell synthesizes complex poles for designing a continuous time filter. It exhibits various advantages including compact topology, high gain, no parasitic pole, no CMFB circuit, and high capability. The fourth-order Butterworth lowpass filter using the proposed cells has been fabricated in 0.18 μm CMOS technology. The active area occupied by the filter with test buffer is only 200×170 μm2. The proposed filter consumes a low power of 201 μW and achieves a 68.5 dB dynamic range. 相似文献
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提出了一种重影消除自适应均衡芯片设计.该芯片采用自适应算法、内置576抽头数字滤波器,可完成重影消除的所有功能。芯片高度集成,内嵌DSP控制器、存储器、同步检测器、D/A、A/D及用户编程。该芯片采用3.3V电源电压、0.35μm CMOS工艺生产制造,80-pin的QFP封装;在典型工作频率下最大功耗为1.3W。 相似文献
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A design technique for low-voltage, micropower continuous-time filters implementing CMOS devices operating in weak inversion is presented. The basic building block is the CMOS log-domain integrator. The effects of the MOS device nonidealities on the integrator are investigated and verified by HSPICE simulations. A 5th-order Chebyshev lowpass ladder filter was designed and simulated. The filter operates with low supply voltage of 1.5 V to achieve a cutoff frequency tunable range of 100 Hz–100 kHz, and it has a power dissipation of 254 nW/pole at the cutoff frequency of 100 kHz. The filter was laid out using the 0.35-m mixed-mode polycide CMOS technology and occupies a die area of 0.04 mm2 without the i/o pads 相似文献
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一种基于新型Precharge PFD的CMOS CPPLL设计 总被引:2,自引:0,他引:2
文章描述了一种基于新型无"过充"的边沿触发的鉴频鉴相器的CMOS电荷泵锁相环设计与仿真.电路设计基于UMC 2.5V 0.25μm CMOS工艺.Spice仿真结果显示,它可以实现快速锁定和较低的抖动性能. 相似文献
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新颖的MOCCII的电流模式滤波器 总被引:4,自引:3,他引:4
王春华 《微电子学与计算机》1999,(5)
文章根据四种典型的信号流图提出了相应的四种新颖的基于 MOCCII( 多端输出的CCII) 的电流模式滤波器电路及 MOCCII 的CMOS实现电路。这四种滤波器电路均能同时实现二阶低通、带通滤波器。文中各电路仅含两个MOCCII器件,比较诸文献的多功能电流模式CCII 滤波器,所用的CCII 器件数要少。由于MOCCII由CMOS器件实现,电路中所有RC 元件均接地,所以文中各电路便于集成且与VLSI工艺兼容 相似文献
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提出了一种新的电流模式高阶OTA—C高通滤波器的设计方法。由该方法导出的滤波器具有最少的元件.n阶滤波器仅需n个OTAs和n个电容,所有的电容均接地,便于集成且与VLSI工艺兼容。文中给出了6阶滤波器设计实例,PSPICE仿真结果与理论分析相吻合,验证了该设计方法的可行性。 相似文献