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相似文献
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1.
提出用 CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载 .HSPICE模拟结果表明 ,在负载电容为基本栅电容的 10 0倍及 6 0 0 0倍时 ,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力 ,且占有面积小 .从而较好地解决了高速驱动芯片内各种数据传输及外部负载的问题 .该电路结构简单 ,易于实现 ,且制作工艺与标准 CMOS工艺完全兼容 .  相似文献   

2.
提出用CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载.HSPICE模拟结果表明,在负载电容为基本栅电容的100倍及6000倍时,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力,且占有面积小.从而较好地解决了高速驱动芯片内各种数据传输及外部负载的问题.该电路结构简单,易于实现,且制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容.  相似文献   

3.
提出了一种基于反相积分器的信号流图来实现切比雪夫Ⅱ型模拟高通滤波器的方法。首先,基于归一化切比雪夫Ⅱ型模拟低通滤波器极点分布的特点,推导出归一化切比雪夫Ⅱ型模拟低通滤波器零极点和转移函数的公式,得到归一化切比雪夫Ⅱ型模拟低通滤波器设计的步骤;然后,基于频率变换与逆变换,提出一种利用归一化切比雪夫Ⅱ型模拟低通滤波器来设计切比雪夫Ⅱ型模拟高通滤波器的方法;最后,给出了利用归一化切比雪夫Ⅱ型模拟低通滤波器来设计切比雪夫Ⅱ型模拟高通滤波器的实例及其实现电路。  相似文献   

4.
杨媛  高勇  余宁梅  刘梦新 《半导体学报》2004,25(9):1074-1078
提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度  相似文献   

5.
提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度.  相似文献   

6.
基于MAX274的音频滤波器设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了MAX274有源滤波器的特性及计算电路参数的原理和数学推导过程。说明了MAXIM公司专用滤波器设计芯片配套开发软件的使用方法。给出了简洁、有效的滤波器设计方法,设计了通带范围为300~3400Hz的音频有源切比雪夫型带通滤波器。实际滤波效果良好。  相似文献   

7.
提出一种广义切比雪夫型LC滤波器的设计方法,带外传输零点可以是任意设定,其带外特性既可以对称,也可以不对称.采用此方法设计出的LC滤波器,其带内波动可以与最大平坦型滤波器一样很小,而矩形系数可以与椭圆函数型滤波器一样好.每一个传输零点的位置可以由一个元器件的取值大小控制.与椭圆函数型LC滤波器相比,相同数量的元器件,它可以实现更陡的截止特性.  相似文献   

8.
介绍MAX274有源滤波器的特性及计算电路参数的原理和数学推导过程.并介绍了MAXIM公司专用滤波器设计芯片配套开发软件的使用方法.给出了简洁、有效的滤波器设计解决方法,设计了通带范围为300Hz~3400Hz的音频有源切比雪夫型带通滤波器.实际滤波效果良好.  相似文献   

9.
《电子世界》2016,(1):70-72
对切比雪夫滤波器的特点及原理做了分析,对切比雪夫滤波器的阶数计算及衰减函数做了介绍。并对Designer软件设计滤波器的原理、方法及分析步骤作了分析。  相似文献   

10.
数字滤波作为信号处理中最关键、最基本的基础技术之一,直接影响数字信号处理的结果。基于此,该课题对于数字滤波器的降噪特性展开研究。通过研究不同数字滤波器对不同噪声进行降噪处理的MATLAB仿真结果,分析得到,不同数字滤波器对不同噪声降噪效果存在极大差异,在处理某种噪声时应选取合适的滤波器,才能达到理想的效果。  相似文献   

11.
陈勇  周玉梅 《半导体学报》2010,31(4):045011-4
摘要:提出了一种新型基于混合积分器的双二阶单元。与基于源极跟随器的双二阶单元采用正反馈综合复数极点相比,本文提出了另一种综合复数极点的机制。提出的双二阶单元采用负反馈结合不同类型积分器综合复数极点,用于设计连续时滤波器。该单元包括许多优点:电路结构简单、高增益、无寄生极点、不需要共模反馈电路和大的驱动能力。在0.18 μm CMOS 工艺上采用提出的双二阶单元实现了一个4阶巴特沃斯低通滤波器。滤波器包括测试缓冲器有源面积仅为200×170µm。提出的滤波器消耗201µW功耗,获得51dB动态范围。  相似文献   

12.
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Chen Yong  Zhou Yumei 《半导体学报》2010,31(4):045011-045011-4
A new mixed-integrator-based bi-quad cell is proposed. An alternative synthesis mechanism of complex poles is proposed compared with source-follower-based bi-quad cells which is designed applying the positive feedback technique. Using the negative feedback technique to combine different integrators, the proposed bi-quad cell synthesizes complex poles for designing a continuous time filter. It exhibits various advantages including compact topology, high gain, no parasitic pole, no CMFB circuit, and high capability. The fourth-order Butterworth lowpass filter using the proposed cells has been fabricated in 0.18 μm CMOS technology. The active area occupied by the filter with test buffer is only 200×170 μm2. The proposed filter consumes a low power of 201 μW and achieves a 68.5 dB dynamic range.  相似文献   

13.
基于三极管BE结电压的负温度特性原理,提出了一种零温度系数电流基准电路.该电路具有结构简单、无需带隙基准单元、静态功耗低、启动快速、对电源电压不敏感等优点,实用性高.在0.5 μm标准CMOS工艺下,Hspice模拟结果显示,在25℃、1.8~5.5 V范围内,基准电流变化0.019μA;在1.8 V、-40℃~125℃范围内,基准电流变化0.09μA.该新方案可用于无需电压基准、低功耗、需要快速启动的混合信号系统设计.  相似文献   

14.
提出了一种重影消除自适应均衡芯片设计.该芯片采用自适应算法、内置576抽头数字滤波器,可完成重影消除的所有功能。芯片高度集成,内嵌DSP控制器、存储器、同步检测器、D/A、A/D及用户编程。该芯片采用3.3V电源电压、0.35μm CMOS工艺生产制造,80-pin的QFP封装;在典型工作频率下最大功耗为1.3W。  相似文献   

15.
A design technique for low-voltage, micropower continuous-time filters implementing CMOS devices operating in weak inversion is presented. The basic building block is the CMOS log-domain integrator. The effects of the MOS device nonidealities on the integrator are investigated and verified by HSPICE simulations. A 5th-order Chebyshev lowpass ladder filter was designed and simulated. The filter operates with low supply voltage of 1.5 V to achieve a cutoff frequency tunable range of 100 Hz–100 kHz, and it has a power dissipation of 254 nW/pole at the cutoff frequency of 100 kHz. The filter was laid out using the 0.35-m mixed-mode polycide CMOS technology and occupies a die area of 0.04 mm2 without the i/o pads  相似文献   

16.
一种基于新型Precharge PFD的CMOS CPPLL设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
文章描述了一种基于新型无"过充"的边沿触发的鉴频鉴相器的CMOS电荷泵锁相环设计与仿真.电路设计基于UMC 2.5V 0.25μm CMOS工艺.Spice仿真结果显示,它可以实现快速锁定和较低的抖动性能.  相似文献   

17.
在对现有全加器电路研究分析的基础上,提出了一种基于低功耗XOR/XNOR电路和多数决定门的新型高性能全加器电路.多数决定门采用输入电容和静态CMOS反相器实现,降低了电路的功耗,提高了运算速度.采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺器件参数,对全加器进行Spectre仿真.结果表明,在2.4 V到0.8 V电源电压范围内,与已有的全加器相比,新全加器在功耗和延迟上都有较大程度的改进.  相似文献   

18.
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~+120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。  相似文献   

19.
新颖的MOCCII的电流模式滤波器   总被引:4,自引:3,他引:4  
文章根据四种典型的信号流图提出了相应的四种新颖的基于 MOCCII( 多端输出的CCII) 的电流模式滤波器电路及 MOCCII 的CMOS实现电路。这四种滤波器电路均能同时实现二阶低通、带通滤波器。文中各电路仅含两个MOCCII器件,比较诸文献的多功能电流模式CCII 滤波器,所用的CCII 器件数要少。由于MOCCII由CMOS器件实现,电路中所有RC 元件均接地,所以文中各电路便于集成且与VLSI工艺兼容  相似文献   

20.
提出了一种新的电流模式高阶OTA—C高通滤波器的设计方法。由该方法导出的滤波器具有最少的元件.n阶滤波器仅需n个OTAs和n个电容,所有的电容均接地,便于集成且与VLSI工艺兼容。文中给出了6阶滤波器设计实例,PSPICE仿真结果与理论分析相吻合,验证了该设计方法的可行性。  相似文献   

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