DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器

介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。     

SFM001宽带放大器

ＳＦＭ００１宽带放大器是由信息产业部电子第二十四研究所正向设计的电路。该电路具有噪声小、功耗低、动态范围大、增益高及增益;控制能力强等特点。它作为中频宽带放大器,可广泛用于雷达、通讯、仪器仪表等设备上。 主要技术指标：电源电流 ＩＣＣ：≤２２ ｍＡ,中心频率：１７．８～１８． ２ ＭＨｚ,３ ｄＢ带宽 ＢＷ：５～６ ＭＨＺ,增益 ≥７５ ｄＢ,ＡＧＣ控制范围,噪声系数 ＮＦ：≤２ ｄＢ,限幅输出,受控 ３ ｄＢ带宽 ＢＷ（３ ｄＢ）：≥４ ＭＨｚ。 该电路具有噪声小、功耗低、动态范围大,增益高及增益能力强等特点。…     

用于脉冲压缩雷达的声表面波部件

介绍一种用于脉冲压缩雷达的声表面波部件。它包含了声表面波脉压线、声表面波振荡器和重要的电子线路。该部件产生一种脉冲展宽信号，其工作频率为９６０ＭＨｚ，信号带宽为６ＭＨｚ，色散时间为１０μｓ，杂波电平≤－５０ｄＢｃ。专门设置的９００ＭＨｚ本振输出电平≥７ｄＢｍ，杂散电平≤－８０ｄＢｃ     

400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管

研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．     

高增益硅超高频功率SIT

采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率、５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐｏ为４０Ｗ，漏极效率η＿Ｄ接近６０％，功率增益Ｇｐ高达１６ｄＢ。Ｐｏ＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ；Ｐｏ＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。     

SH333小型化高增益中频放大器

３Ｈ３３３小型化高增益中频放大器是信息产业部电子第二十四研究所正向设计,并采用 ＳＭＴ技术进行工艺组装的微电路模块,具有低噪声、高增益、大动态、大封闭量和良好的选择性等特点。其主要作用是处理接收到的脉冲调制中频信号。 其主要技术指标：中心频率ｆ。：２９．８～３０．１ＭＨｚ,带宽 ＢＷ：３５． ９～６．２ ＭＨｚ,带内不平度Ａｖ：０． ３～０． ７ ｄＢ,带外衰减 ＳＳ：４３～４５ ｄＢ,总增益 Ａｖ：８０． ４～８４． ４ ｄＢ,噪声系数 ＮＦ：１． ２～１． ９ｄＢ,ＡＧＣ范围 ＭＡＧＣ：４８～５２ ｄＢ,封闭…     

宽带固态可编程衰减器

５０Ｐ-１３９１型固态可编程衰减器是ＪＦＷＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓ推出的一种新型衰减器,它的频率范围为８００～３０００ＭＨｚ,衰减范围为０～６０ｄＢ,衰减步长为１ｄＢ。该衰减器的开关速度为５μｓ,在３０００ＭＨｚ时的衰减精度为±３%,三阶截断点为+４０ｄＢｍ,输入功率为+２０ｄＢｍ。器件含有内插式ＴＴＬ驱动器,采用ＳＭＡ阴式接头。宽带固态可编程衰减器     

540～610MHz脉冲输出150W功率晶体管

采用芯片设计优化、工艺改进及内匹配等技术，研制出应用于工程的脉冲功率晶体管．该管宽频带（５４０～６１０ＭＨｚ），长脉宽（５０μｓ），高占空比（１５％），带内增益平坦度为±０．５ｄＢ，集电极输出效率ηｃ≥５０％。     

高性能PCS双工器

Ｋ&ＬＭｉｃｒｏｗａｖｅ推出了ＷＳＤ-００１３２／００１３３／００１３４型高性能ＰＣＳ双工器。这三种型号的接收频段分别为１８５０～１８７０ＭＨｚ、１８７０～１８９０ＭＨｚ和１８９０～１９１０ＭＨｚ,它们的发射频段分别为１９３０～１９５０ＭＨｚ、１９５０～１９７０ＭＨｚ和１９７０～１９９０ＭＨｚ。接收带内的插入损耗小于１．５ｄＢ,发射带内的插入损耗小于０．９ｄＢ;所有带内的回波损耗最小为１４ｄＢ,可额定发射１０ＷＣＷ和１００ＷＰＩＰ（瞬时功率）。工作温度范围为０～５０℃,大小为１０６．７ｍｍ×６３．５ｍ…     

高增益硅超高频功率SIT

采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率，５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐ０为４０Ｗ，漏极效率η０接近６０％，功率增益Ｇｐ，高达１６ｄＢ，Ｐ０＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ，Ｐ０＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。     

多目标多约束的集成电路统计优化策略

对于集成电路设计、生产过程中的多目标、多约束统计优化问题,本文提出了“合格率足够高”的优化宗旨,并从概率论的基本原理出发,结合集成电路的特点,导出了一种合格率的近似表述方法,提出的变权重Monte Carlo法编程简便,效率高。采用这些优化策略设计的集成电路合格率优化系统取得了比较好的结果。     

发展我国毫米波半导体器件和MIMIC的技术路线探讨

本文回顾了毫米波半导体器件的历史,研究国外毫米波系统的发展趋势,分析国内市场需求,总结我们自己的经验,并得出相应意见。     

集成电路合格率优化方法的研究

本文引入了一个概率空间来描述集成电路合格率优化问题，并将合格率表示为可行域的概率测度。所提出的变权重ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ法适合于合格率不太高的场合，而改进后的ＳＡ算法则适合于合格率比较高的场合。这些方法已应用于ＹＯＳＩＣ系统中，并取得了满意的效果。     

高温微电子学-Ⅱ:硅集成电路的高温特性研究

本文详细分析了硅集成电路的高温特性和高温失效模式,指出了CMOS集成电路的高温失效的主要模式是高温闭锁效应。解决这个问题的有效途径之一是研制介质隔离的CMOS IC,例如SOI CMOS集成电路。     

IC设计人才知识结构与教学体系研究

提出了一个集成电路设计本科人才培养教学体系。四年教学实践证明,这是一个合理的教学体系。它充分考虑了集成电路设计理论和技术的教学特点,借鉴了国际国内类似专业人才培养经验,以专业素质为培养目标,以专业理论与技术为培养核心,把知识和技术应用能力的培养作为重点,突出了基本专业素质和基本技术、技能的培养。     

BD-601型全自动IC编带机的结构设计

简要介绍新研制的BD -60 1型全自动IC编带机的用途、特点、技术指标、主要结构和关键技术。     

简单类COG产品电显异常的一种成因分析

通过严格的失效分析步骤,借助于切片分析手段,找到了IC的一种设计或制造缺陷。原因是IC切割线外的测试焊盘在切割不良时会有毛刺,毛刺在COG邦定过程中通过ACF的导电粒子与ITO电极发生了短路,从而导致显示异常。     

中国集成电路产业发展的问题与策略

党的十六大提出：“信息化是我国加快实现工业化和现代化的必然选择。”电子信息技术中的集成电路是现代信息产业和信息社会的基础，是改造和提升传统产业的核心技术。充分发挥电子信息技术时经济的倍增作用，将极大地提高圆民经济的效率，降低能耗，更好地推动我国经济的持续增长。     

IC卡管理系统在扬州电台广播制作编辑机房中的应用

随着广播电台节目制作量的不断增大，如何合理、高效地使用现有广播节目制作设备已成为广大电台技术管理人员共同关心的话题。文章描述了IC卡管理系统在扬州广播电台广播制作编辑机房中的使用，着重介绍了IC卡管理系统的组成和功能。     

深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法

详述了目前用于亚微米ＣＭＯＳＩＣ的静电放电保护方法,比较了它们各自的特点,并详细阐述了栅耦合ＰＭＯＳ触发／ＮＭＯＳ触发横向可控硅ＥＳＤ保护电路的工作原理。