亚纳秒气体开关雪崩过程计算机仿真

对气体开关击穿机制进行了理论分析,对放电过程的两个阶段进行分析,并对第一阶段放电过程进行模拟计算.针对目前气体开关仿真模型不能客观反映亚纳秒气体开关放电物理过程的问题,提出了一种电子雪崩过程仿真模型.并确定了影响仿真结果的一些关键参数.根据放电的实际物理过程,确定了仿真模型中电子碰撞电离系数、电子在气体中的迁移速度等关键仿真参数,从而使仿真模拟接近于气体开关实际放电过程.为深入开展放电仿真研究奠定了基础.     

过激励损坏开关管原因初探

根据维修实例,表明过激励也是损毁行开关管的原因之一。由开关管开关理论对过激励损毁行开关管的原因做了初步探讨,并给出了实践中判断欠激励和过激励的方法。     

基于软开关技术的逆变弧焊电源的研究

为了提高逆变弧焊电源的效率及改善功率因数,本文提出了一种新型软开关逆变弧焊电源,整流电路采用三相功率因数补偿来改善电源的功率因数,逆变电路通过增加辅助开关管使变压器漏感的能量有规律的储存和释放,从而实现各个开关管零电压开通ZVS和零电流关断ZCS,降低了开关管在导通与关断时刻的损耗。通过对该新型电路的建模和分析,得出主电路参数,并对参数进行Saber仿真。仿真结果表明,开关管导通与关断时的电流与其两端电压之间的交叉区域明显减少,即实现了软开关技术,降低了开关管的损耗,提高了逆变弧焊电源整体的效率。该研究解决了传统的逆变弧焊电源存在的开关损耗大,占空比丢失等缺点。     

能量交换式全软开关Boost变换器的分析

针对目前软开关发展中多关注主开关管的软化、而忽略对辅助开关管的软化问题，提出了一种能量交换式带有源缓冲电路的全软开关Boost变换器的拓扑结构，论述了其实现降低整流二极管反向恢复损耗、实现主开关管和辅助开关管均为软开关的原理。并通过实验验证了所提出电路拓扑结构的有效性．     

国防科技工业知识产权

简介：本发明公开了一种P型功率MOS开关管驱动电路。在P型功率MOS开关管的源极和栅极之间连接有1个推挽驱动电路和1个浮动分压电路。推挽驱动电路利用三极管QI和Q2相互交替开通时所产生的瞬态电流,对P型功率MOS开关管内部的寄生电容进行快速充放电控制;浮动分压电路为P型功率MOS开关管提供,1个稳定的负脉冲栅源电压值,从而提高P型功率MOS管的动态特性,     

带隔离型无损缓冲的三相单开关反激式整流器

提出了一种带无辅助开关隔离型无损缓冲的三相单开关反激式单级AC/DC的新型变换电路,它具有理论单位功率因数、准零电压关断、三相单开关、整体电路简单及调节性好等优点. 附加的回能缓冲电路不需要额外增加检测或控制电路,并能减小开关管的开关损耗,提高电路的工作效率,而且还能有效抑制功率开关关断时由漏感储能引起的电压尖峰,扩大了开关管的安全工作区. 分析了新型电路的工作机理,给出了关键参数的选择关系,并通过仿真和实验证明了该方案是可行并有效的.     

分段频率控制技术在uk变换器中的应用

通过提高开关工作频率而有效降低开关管工作电压 ,并利用分段频率控制技术较好地解决了C'uk变换器工作于轻载时其开关管工作电压过高的问题。并用一个 10 0W的实验装置验证了该方法实施的有效性。     

GAT管击穿电压的数值分析

对ＧＡＴ结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算，报告了计算的结果，以及对结果的理论分析。计算采用数值分析方法，所用软件为ＰＩＳＣＥＳ．计算结果表明，栅的引入可以显著提高高速功率开关晶体管的击穿电压ＢＶＣＥＯ；栅区浓度越高，栅区结深越深，击穿电压越高；栅间距是提高击穿的关键因素，存在一个最佳值。本计算结果为高频高压功率晶体管的优化设计提供了有力的依据。     

LLC谐振变换器ZVS开通研究

合理选择LLC谐振变换器的死区时间是实现功率开关管零电压开通的前提。基于基波分析法等效模型,推导出保证功率开关管零电压开通的最小死区时间和最大死区时间,得出保证开关管零电压开通的死区工作区间。通过SABER搭建了一个LLC模型,验证了区间的合理性。     

一种用于产生激光短脉冲的电光调Q控制电源的设计与调试

设计和装调了用国产三电极冷阴极触发管作开关元件的电光调Q高压控制电路,将其用于Q开关Nd³⁺:YAG激光器中,获得了脉冲宽度为20ns的激光短脉冲。     

One new photon avalanche phenomenon of Er^3＋ at 976 nm excitation

A photon avalanche phenomenon was observed in Er^3＋ and Li^ ＋ eodoped ZnO nanocrystals at room temperature under excitation around 976 nm. When the excitation power was over 120 mW/mm^2 , we found that the upconversion of red emission was generated by a four-photon absorption process and might be caused by intense interaction between neighboring Er^3 ＋ ions ： ^4 F7/2 ＋ ^4 I11/2 → 2^4 F9/2. When the excitation power was over the threshold of 240 mW/mm^2, the green emission avalanche upconversion was generated through an excitedstate absorption process ： ^4 F9/2 ＋ photon →^2 H9/2. The study extends the knowledge of this ion to a wider range of upconversion application.     

One new photon avalanche phenomenon of Er3+ at 976 nm excitation

A photon avalanche phenomenon was observed in Er3+ and Li+ codoped ZnO nanocrystals at room temperature under excitation around 976 nm. When the excitation power was over 120 mW/mm2 , we found that the upconversion of red emission was generated by a four-photon absorption process and might be caused by in-tense interaction between neighboring Er3+ ions: 4F7/2+4I11/2→24F9/2. When the excitation power was over the threshold of 240 mW/mm2, the green emission avalanche upconversion was generated through an excited-state absorption process: 4F9/2 + photon →2H9/2. The study extends the knowledge of this ion to a wider range of upconversion application.     

用于ND:YAG锁模激光器单脉冲切取的高压脉冲发生器

在传统的Marx-bank电路上加入吸收串而形成的新电路,得到了前沿小于6ns,后沿小于4ns,抖动小于1ns,幅度为3.7kV的高压脉冲。并将此高压脉冲发生器用于ND:YAG主被动锁模激光器中进行单选实验。实验结果表明,选出几率为100%,输出能量不稳定度为±5%。     

基于2.5 Gbit/s应用长波长雪崩光电二极管

设计并制作一种基于2．5Gbit／s应用的分离吸收区和倍增区结构的InGaAs／InP雪崩光电二极管(avalanche photodiode,APD),该APD具有低击穿电压VBR(典型值为40 V)和低暗电流(反偏电压为0．9 VBR时典型值为1 nA)的显著特点,适合低工作电压的应用场合,如小型化的SFP和SFF光通信模块．组件测试结果表明,该APD具有高的饱和光功率和灵敏度,适用于2．5Gbit／s及以下光通信及测量系统中对1310 nm／1550 nm波长光的探测．     

基于纠错码的SM3改进算法

目前密码分析者已经可以在较短的时间内有效找到MD5、SHA1等国际密码杂凑算法的碰撞,通过熵增来增强杂凑值的随机性是提高密码杂凑算法抗碰撞性的有效途径,因此提出一种将纠错码和SM3算法迭代结构融合的改进方案。首先,基于纠错码的线性性质和最小汉明距离最大化原则,选择拟阵理论所构建的二进制线性分组码,计算出其系统形式的生成矩阵,并通过循环移位来消除比特之间的规律,并计算最终产生的有效码字;其次,在线性分组码中遵循周期性原则选取最优码字来构建初始常量值,并将其赋值于初始寄存器中,同时在迭代结构中引入初始寄存器构成算法的压缩函数,完成杂凑算法迭代结构的二次构建;最后,考虑杂凑值信息熵对算法混乱度的评估能力,将提出的方案和2种现有公开的国际密码杂凑算法进行对比实验,同时进行算法效率、内存损耗以及雪崩效应测试并进行综合评价。实验结果表明,本文方案在不改变运算效率的前提下具有稳定的雪崩效应,运行过程中的内存损耗相比SM3算法降低0.01~0.07MB,同时杂凑值的信息熵值高于其他两类对比算法。表明提出的基于纠错码的改进方案能够通过熵增证明杂凑值比特之间的随机性更高,更好实现隐藏明文和杂凑值之间统计信息的目的,提高了密码杂凑算法的安全性。     

超宽带窄脉冲信号发生器的设计与实现

采用双极型射频晶体管,利用其雪崩特性设计了具有双管并联结构的超宽带窄脉冲发生器,并对其电路及雪崩工作原理进行分析,用ADS 2008进行设计与仿真,讨论了宽带匹配问题,制作了射频电路板.超宽带窄脉冲发生器实物测试结果显示,双极性单周期脉冲脉宽为981.3 ps,脉冲幅度约为3V.     

T_m~(3 )∶YLiF_4激光雪崩增频转换动力学机制

描绘了T3 m ∶YLiF4激光的雪崩增频转换效应动力学机制 ,发现在低功率激发(低给予离子浓度和低接受离子浓度 )时 ,动力学方程组中的能量转换项正比于离子浓度的二次方 ,给出的动力学方程组能很好地模拟雪崩效应现象 .     

一种改进DES的数字图像加密方法

结合密码学中的数据加密标准DES算法,给出一种改进DES的数字图像加密方法．针对DES良好的雪崩效应,通过试验验证,改进算法并没有使其破坏．同时,分析了该算法的抗攻击能力,试验结果令人满意．