BaTiO_3系PTCR热敏电阻器用烧结助剂的研究

研究了烧结助剂的作用，实验结果表明：如只引入半导化元素，不引入烧结助剂，则室温电阻率ρ２５很大，甚至是绝缘体。由于烧结助剂的加入，既改善了ＰＴＣＲ热敏电阻陶瓷的烧结性，又改善了其ρ２５、耐电压Ｖｂ、ＰＴＣ效应等特性，从而使产品的各种特性易于重复。烧结助剂昔日多用ＡＳＴ，现在常用ＳｉＯ２，其加入量ｘ宜小于２％。ＳｉＯ２的纯度、杂质等化学特性，与粒子形状、粒度分布、晶系等物理特性，对ＰＴＣＲ热敏电阻器的电性能有很大的影响。据此提出了ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣＲ热敏电阻器用ＳｉＯ２的技术标准。     

TiO_2粒子尺寸及其分布对BaTiO_3系PTC热敏电阻电性能的影响

研究了ＴｉＯ２粒子尺寸及其分布对ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣ热敏电阻元件一些电性能的影响，并探讨了有关机理。研究表明，粒子平均尺寸增大，可使室温电阻率ρ２５和耐电压Ｖｂ适当提高，但可能使ＰＴＣ效应有所下降；粒子尺寸分布变宽可使ρ２５和Ｖｂ下降，但可能使ＰＴＣ效应增强。     

正温度系数热敏电阻烧结气氛的研究

研究了不同烧结气氛对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣＲ）性能的影响，在ＣＯ２气氛下烧结的ＰＴＣＲ室温电阻率（ρ０）比在空气中烧结的低将近５０％，而其他各种电性能几乎没有明显的变化，因而在ＣＯ２气氛下的烧结是获得低电阻率ＰＴＣＲ的一种有效的工艺途径。     

Bi2O3蒸汽掺杂的Ba1—xSixTiO3半导化陶瓷的PTCR效应

施主掺杂的钛酸钡陶瓷的ＰＴＣＲ效应来源于晶界上的钡空位。在Ｂｉ２Ｏ３蒸汽两次掺杂的样品中发现了大于８个量级的ＰＴＣＲ效应。在烧成过程中的Ｂｉ２Ｏ３蒸汽掺杂时，高氧分压下可以产生更高的钡空位浓度，因而样品具有更高的ＰＴＣＲ效应。     

(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制

研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

独石结构PTC陶瓷材料与器件的研究

独石结构ＰＴＣ陶瓷材料与器件的研究在国内外还很少报道。文章研究了ＢａＴｉＯ３基陶瓷、聚合物／Ｖ２Ｏ３，和聚合物／Ｃ复合材料等三种材料的多层独石结构及其阻温特性和静态伏安特性。研究表明，ＰＴＣ材料独石结构能明显地降低室温电阻和使用电压，作为低压电器的控制器件有重要的应用前景。     

混合烧成法制取低温PTCR陶瓷材料的研究

本文提出了用混合烧成制取低温ＰＴＣＲ陶瓷材料折工艺方法，该方法和普通工艺相比，不仅降低ＢａＴｉＯ３陶瓷的工艺温区，而且室温电阻率比普通工艺下的要小，即半导化程度比普通工艺要好。     

高T_C低电阻率PTCR陶瓷材料

研究了在制备高ＴＣ低电阻率ＰＴＣＲ陶瓷材料过程中，原材料、少量添加物以及主要生产工艺对电性能的影响规律。经反复试产表明，在隧道窑可以大规模生产出居里点ＴＣ＝１８０～２７０℃、室温电阻率ρ２５＜８０Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１４％℃－１、升阻比Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ为１０４的高性能ＰＴＣＲ陶瓷材料。此种材料制成高温发热元件能在６～２４Ｖ电压下使用，开拓了ＰＴＣＲ材料新的应用领域。     

液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响很大，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低；ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大；过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响，适当过量ＴｉＯ２含量，可得到性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷。     

MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用

研究了ＭｇＯ加入到含铅ＰＴＣＲ陶瓷中的作用。用碱土金属Ｍｇ２＋对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３掺杂，在１２４０～１３００℃空气中烧结，获得工艺性能良好，烧结温度较低，电性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷材料。试验结果表明：ＭｇＯ的加入降低了含铅ＰＴＣＲ陶瓷的烧结温度，抑制了ＰｂＯ的挥发。     

一种新型的性能优良的PTCR材料

研制出一种新型ＰＴＣＲ热敏电阻复合材料，其微观结构致密，颗粒分布均匀；常温比体积电阻率为１０Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应高达８个数量级以上，耐压强度大于３００Ｖ／ｍｍ，且有大的电阻温度系数，良好的热重复性     

PT／P（VDF—TrFE）复合材料的压电和热释电性能

采用压塑方法成功地制备了掺钙钛酸铅／偏氟乙烯与三氟乙烯共聚物Ｐ（ＶＤＦ－ＴｒＦＥ）０－３型复合材料。对两种极化样品的方法进行了讨论，其一是仅仅让复合样品中的陶瓷极化，另一种是让两相均被极化，当陶瓷和聚合物在同一方向极化时，其二相的压电性能部分抵消，而热释电性能增强，因此，在一定的体积比下，陶瓷与聚合物复合材料存在热释电性而无压电性，最后，测量和讨论了样品的压电常数ｄ３３，厚度耦合系数ｋｒ和热释电系     

通讯设备用低阻高耐压过流保护器材料研究

过流保护器要求芯片尺寸为φ5mm×2.2mm,电阻值为15?,耐电压AC330V。采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。经复阻抗谱、SEM及XRD等测试分析表明,材料的微观结构得到了明显改善,PTC性能得以提高。当x(Mn(NO3)2)为0.47%时,材料的居里点为70℃、室温电阻率为14?·cm、温度系数为11.5%℃–1、耐压强度大于165V/mm。     

表面响应法在低阻PTCR研究中的应用

采用表面响应法,建立了多位置换掺杂钛酸钡系低阻PTCR材料室温电阻率对配方的适应模型,通过对模型的分析验证了施主掺杂的实验规律,求解出本次实验的最佳低阻配方。     

低电阻率、大升阻比BaTiO_3基PTCR陶瓷材料

研究了Sb2O3和Ta2O5双施主掺杂对低电阻率的BaTiO3陶瓷PTC特性的影响。在Sb2O3和Ta2O5的摩尔分数分别为0.1%和0.01%时,得到了室温电阻率为4.59 Ω·cm,升阻比为3.4的优质PTCR陶瓷材料。通过XRD 、SEM显微结构分析;复阻抗测试,估计晶粒和晶界电阻值,探讨了Sb2O3和Ta2O5的作用机制。     

Si_3N_4在BaTiO_3基低阻高性能PTCR陶瓷材料中的作用

要同时保证 PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的 PTC特性 ,有较大难度。研究了添加 Si3N4作为烧结助剂 ,对 PTCR材料的显微结构和电学性能的影响。同添加 Si O2 作为烧结助剂相比 ,添加 1.0 %的 Si3N4的 PTCR材料更易同时满足低阻高性能要求。     

石墨/环氧树脂/BaTiO3基PTC复合材料的研究

利用环氧树脂将PTC陶瓷材料与石墨进行复合,探讨了石墨和环氧树脂的含量及两者比例对PTC复合材料性能的影响。在保证该材料具有一定升阻比的前提下,有效地降低了PTC材料的室温电阻率。在大量实验的基础上应用相关理论探讨了其低阻化的机理。     

Ca对BaTiO_3 PTCR热敏电阻性能的影响

用 Ba0 .93- x (Sr0 .0 7Cax) Ti1 .0 0 6 O3系材料制备了常温电阻率小于 9Ω· cm的 PTCR热敏电阻。通过 Ca引入量的变化发现 :Ca含量对 PTCR热敏电阻的 R-θ性能影响较大 ;当 x (Ca) <8.0 %时 ,随 Ca含量的增加 ,常温电阻率下降 ,Rmax/Rmin降低 ,居里温区拓宽 ;若 x (Ca) >8.0 %后 ,PTC常温电阻率迅速增大。     

液相施主及高钙添加对PTC材料性能的影响

采用液相施主掺杂和高钙添加相结合的方法,制得性能优良,适合程控电话交换机防雷击、防过流用的耐强电限流器件的PTC材料。在液相施主Y(NO3)3的添加量(摩尔分数)为0.4%,CaCO3添加量(摩尔分数)为15%时,得到了室温电阻率为140?·cm,居里点tC为74℃,阻温系数α为13.9%℃–1,升阻比lg(ρmax/ρmin)为7.2,耐压强度Vb≥260V/mm的PTC材料。