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1.
采用固相反应法制备了( Mg0.95-X Ca0.05 SbX) TiO3微波介质陶瓷.研究了Sb掺杂对0.95MgTiO3-0.05 CaTiO3 (95MCT)陶瓷性能的影响.结果表明:Sb掺杂95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相,有中间相MgTi2O5的产生;Sb掺杂能有效的降低95 MCT陶瓷... 相似文献
2.
采用了固相反应法制备了CoO掺杂的MgTiO3CaTiO3(MCT)介质陶瓷.研究了CoO掺杂对MCT介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响.结果表明:CoO掺杂能有效地降低MCT陶瓷的烧结温度至1250℃;CoO掺杂能有效地降低MCT陶瓷的介电损耗(~10-5). 相似文献
3.
GUO Xiuying XIAO Mi DING Wei WU Xiawan ZHANG Zhisheng 《武汉理工大学学报(材料科学英文版)》2007,22(3):518-521
Dielectric properties of Ag(Nb1-xTa)O3 and Bi2O3 doped Ag(Nb1-xTax)O3 solid solutions were investigated. The results show that with the increase of Ta content (x), the sintering temperature increased, and the dielectric loss (tanδ) and the temperature coefficient (αc) decreased. Ag(Nb1-xa)O3 (x=0.4) ceramics sintered at 1 100℃ had the highest permittivity (516.8) and a lower tanδ (0.0021) at 1 MHz, and its temperature coefficient was about 191 ppm/℃. The sintering temperature of Ag(Nb1-xTa)O3 (x=0.4) was lowered by the addition of Bi2O3, and its dielectric properties were improved. Ag(Nb0.6Ta0.4)O3 ceramics with 2.5 wt% Bi203 addition presented the optimum dielectric properties (ε=566, tanδ= 0.0007 and αc≈0ppm/℃) (1 MHz), 相似文献
4.
The microwave dielectric properties and microstructure of BaTi4.3ZnyO9.6 y 0.02 mol% SnO2 0.01 mol% MnCO3 x mol% Nb2O5(x=0-0.05, y=0-0.08) system ceramics were studied as a function of the amount of ZnO and Nb2O5 doped. Addition of (y=0-0.05) ZnO and (x=0-0.025) Nb2O5 enhanced the reactivity and decreased the sintering temperature effectively. It also increased the dielectric constant εr and quality factor Q(=1/tan δ) of the system due to the substitution of Ti4 ions with incorporating Zn2 and Nb5 ions, which was analyzed by the reaction ZnO Nb2O5 3 TiTiX→ZnTi 2NbTi 3TiO2. When the system doped with (y=0.05) ZnO and (x=0.025) Nb2O5 were sintered at 1 160 ℃ for 6 h, the εr, Qfo value and τf were 36.5, 42 000 GHz, and 1.8 ppm/℃, respectively, at 5 GHz. 相似文献
5.
采用氧化物混合工艺制备了La2O3和Cr2O3共掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料。通过XRD、介电温度特性等测试手段,研究了掺杂不同浓度的La2O3和Cr2O3对CCTO体系陶瓷介电性能的影响,并对掺杂机理进行了分析.研究结果表明:分别掺杂La2O3和Cr2O3的CCTO陶瓷的介电损耗为~0.2,比纯的CCTO陶瓷样品低,而介电常数仍保持在~104;掺杂0.03at%La2O3和0.08at%Cr2O3的CCTO陶瓷材料的介电常数为4.4×104,介电损耗可降至0.15.因此,通过共掺杂的方法可以在有效降低CCTO陶瓷介质损耗的同时,仍维持高的介电常数. 相似文献
6.
实验添加多种助烧结剂于以固态反应法制备的钐镁钛微波介电陶瓷Sm(Mg1/2Ti1/2)O3,并研究对烧结体的相对密度、相变化、介电常数、频率温度系数(TCF)、品质因子及微观结构性质的影响。尝试分别加入10 mol%的Bi2O3、B2O3、V2O5及B2CuO4可有效降低陶瓷孔隙率使其致密化,更可大幅下降块材烧结温度,使之可以顺利导入低温共烧陶瓷制程(Low-Temperature Co-fired Ceramics;LTCC),但会破坏钙钛矿晶体结构,引起材料微波特性降低。在实验中原料混合粉末以1 100℃煅烧2 h后研磨,再成型后以1 300℃烧结6 h。结果显示以添加Bi2O3具有最高的密度及Q×f与介电常数,达6.47 g/cm3和26 000 GHz及30.19。 相似文献
7.
测量了Bi4Ti3O12(BTO)陶瓷及其A和B位掺杂的系列材料介电损耗。在温度损耗谱上观察到一损耗峰,通过氧处理和内耗等相关实验手段,证实该峰(PI)是与氧空位有关的弛豫峰。同时观察该峰随不同掺杂类型的变化,分析了BTO陶瓷B位掺杂对铁电性的影响。 相似文献
8.
采用氧化铋、碳酸钠、氧化钛、钛酸钡、碳酸钙为原料,制备了二元体系BNBCT陶瓷。研究了CuBi2O4掺杂对BNBCT系陶瓷的介电性能和容温变化率的影响。结果发现,随着CuBi2O4加入量的增加,体系的损耗不断降低,并在3.6wt%CuBi2O4添加量下,制得了在-55℃~250℃的宽温范围内,容温变化率都在±15%以内的耐高温MLCC。 相似文献
9.
王浩 《武汉理工大学学报(材料科学英文版)》2005,20(4)
1Introduction Withdevelopmentinmicrowave integratedsystemfor wirelesscommunication,microwavedielectricmaterials withhighdielectricconstants(εr),lowdielectriclosses(Q×f=1tanδ)andneartozerotemperaturecoeffi cientforstabilityandfrequencyselectivityarerequ… 相似文献
10.
为制备高性能的无铅压电陶瓷,在传统工艺下,制备了CaxSr2-xNaNb5O15陶瓷各组分的样品,研究了压电介电性能随组分的变化.结果表明:在x=0.14附近CaxSr2-xNaNb5O15材料具有较好的压电和介电性能.该材料有2个相变点,一个接近280℃,另一个在-20℃附近,具有明显的介电弛豫现象.X射线衍射和Raman光谱实验表明该材料是四方钨青铜结构,Ca2+替代Sr2+引起了晶格畸变,从而导致物理性能的提高.电镜扫描照片显示瓷体致密. 相似文献
11.
采用差热分析(DTA),X-ray衍射分析(XRD),扫描电镜分析(SEM)等手段研究热处理制度对锂铝硅透明微晶玻璃热膨胀系数的影响。结果表明,随B2O3含量的增加,玻璃的熔化温度降低,熔化质量提高。经处理后的微晶玻璃样品,随B2O3含量的增加,透明性变差。当B2O3的含量超过3%时,出现比较严重的分相现象。微晶玻璃的主晶相为LixAlxSi1-xO2固溶体。 相似文献
12.
采用固相反应法制备了Co2O3掺杂的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷,研究了Co2O3掺杂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷相结构与介电性能的影响。结果表明,掺杂Co2O3后Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷产生了第二相,随着Co2O3施主掺杂量的增加,抑制了第二相的产生,掺杂后的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3陶瓷是具有弥散相变的铁电体,弥散程度随掺杂量的增加而增加,x=0.01时,矫顽场最大。 相似文献
13.
以热压烧结的方法制备了Al2O3/Cr复合材料,探讨了Al2O3/Cr复合材料显微结构、力学性能及微波介电性能随Cr粒子含量变化的规律。SEM结果表明,在垂直于压力方向上,Cr粒子有明显的受压拉伸现象;当Cr粒子含量从10vol%增加至30vol%时,复合材料中Cr粒子的分布由孤立向桥连方式转变。随Cr粒子含量的增加,复合材料致密度略有下降,抗弯强度明显降低。与纯氧化铝陶瓷相比,含10vol%Cr粒子Al2O3/Cr复合材料的断裂韧性提高了81%以上。复介电常数测试结果表明,在8.2~12.4GHz频率范围内,复合材料复介电常数的实部和虚部随Cr粒子含量的增加大幅度上升,且存在明显的频散效应。当Cr粒子含量达到30vol%时,由于Cr粒子之间的部分桥连现象而使介电常数虚部在一定频段出现负值。 相似文献
14.
Ba1+x(Mg1/3Nb2/3)O3 陶瓷的烧结行为和微波介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了A位Ba离子化学计量比变化对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷烧结行为、微观结构和微波介电性能的影响.结果表明,Ba缺量可促进Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序,而Ba过量则阻碍Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序.Ba缺量促进Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结和B位1∶2有序是由于Ba缺位的存在,而Ba过量阻碍Ba(Mg1/3Nb2/3)O3烧结则是由于过量的Ba可能以游离态存在于晶界,阻碍了晶界的移动,从而降低了Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的烧结性能,抑制了致密化过程.Ba缺量对Ba(Mg1/3Nb2/3)O3陶瓷的介电常数影响不大.Ba缺量越多,材料的Qf值越低. 相似文献
15.
采用固相反应法制备了添加1wt%CuO-BaO混合物的Ba(Ti0.91Zr0.09)O3铁电陶瓷,借助XRD、SEM、Agilent4284测试仪,讨论了加入CuO-BaO混合物对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3铁电陶瓷的烧结温度、相结构、显微组织及介电性能的影响.结果表明:添加1wt%CuO-BaO混合物,能有效降低Ba(Ti0.91Zr0.09)O3的烧结温度,室温介电常数高,介电损耗小.在1MHZ下εTl=3 150,tgδ=0.06,并且伴有介电弛豫现象. 相似文献
16.
采用纳米粉掺杂烧结制备了Y2O3-ZrO2陶瓷。测试发现,纳米粉的掺入在一定程度上可以使烧结体的密度和硬度得到提高。SEM和EDS分析表明,烧结体表面比较平滑,元素分布比较均匀,有较小的气孔存在。 相似文献
17.
通过改变玻璃成分,在不同的热处理制度下制备SrO-Al2O3-SiO2系统微晶玻璃,用DTA、XRD、SEM等手段对该系统微晶玻璃材料的析晶过程进行了研究。在此基础上,讨论了晶化行为对微晶玻璃的热学及力学性能的影响。结果表明:材料的热学性能及力学性能与玻璃成分及热处理制度密切相关。可以找到某一确定组分的基础玻璃,经过较低的核化温度与较高晶化温度热处理后,能够得到力学性能优良、热学性能较好的微晶玻璃材料。 相似文献
18.
本研究采用Ti-Al-TiO2-La2O3体系,通过热压烧结工艺原位合成了Al2O3/TiAl复合材料.借助X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等分析研究了材料的物相组成和微观组织结构,同时分别将掺杂La2O3和掺杂Fe2O3对合成Al2O3/TiAl复合材料微观结构和力学性能的影响进行了对比.结果表明:掺杂La2O3合成的Al2O3/TiAl复合材料基体尺寸相对掺杂Fe2O3合成产物较小,分散更加均匀,致密度更高.当La2O3掺杂量为3.93wt%时,Al2O3/TiAl复合材料的抗弯强度和断裂韧性达到最大值,分别为701.95MPa和7.79MPa·m1/2.由于稀土氧化物具有对基体和增强颗粒的净化,细化晶粒等作用,因此提高了TiAl基体与Al2O3增强颗粒结合强度,所以掺杂La2O3合成材料的力学性能相比掺杂Fe2O3合成的产物较高. 相似文献
19.
硼硅酸盐玻璃与普通的钠钙硅玻璃相比,性能上有非常明显的优势。主要探讨B2O3对硼硅酸盐玻璃结构和性能的影响。通过红外光谱和拉曼光谱分析了硼硅酸盐玻璃在不同含量B2O3的情况下的结构变化,测试了玻璃的热膨胀系数、转变温度、软化温度和化学稳定性。研究结果表明:随着B2O3含量的增加,玻璃结构中[BO3]增多,[BO4]先增多后相当,玻璃的热膨胀系数也是先减小后增大,转变温度和软化温度都逐渐减小;硼硅酸盐玻璃中加入适量的B2O3后对玻璃的化学稳定性有一定的改善。 相似文献
20.
采用固相反应法制备了Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3(x=0.01,0.02,0.03,0.04)陶瓷,X射线衍射分析表明所有样品均是四方晶体结构,3%mol的Bi3+能够完全溶入钙钛矿晶格中.不同频率下Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的介电温谱显示所有样品均表现出弥散相变的特征,在x≥0.... 相似文献