单片微波集成电路的技术进展

根据从１９９６年国际微波会议和微波与毫米波单片集成电路会议上了解的情况，本文综述了单片微波集成电路当前的技术进展和值得注意的动向。     

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展，重点介绍了工艺表征工具（TCV）、工艺控制监测（PCM）和统计工艺控制（SPC）等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术，为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。     

宽带低噪声放大器单片微波集成电路

从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20 GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5 V工作电压下,能够在2~20 GHz频率内实现小信号增益大于16 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,输出P-1 dB大于14 dBm,噪声系数典型值为2.5 dB,输入和输出回波损耗均小于-15 dB,工作电流仅为63 mA,低噪声放大器芯片面积为3.1 mm×1.3 mm。     

单片行波功率放大器

报道了一个单片行波功率放大器的研究结果。单级放大器电路采用6个栅宽为420μn的GaAsMESFET作为有源器件，通过采用栅串联电容和漏线阻抗渐变技术，在（1-13）GHz频率范围内线性增益为7．5±0．5dB，输出功率大于0．5W，功率附加效率为16％，输入输出驻波比在1．2—2，1之间。采用离子注入、背面通孔等先进工艺制作在厚度为0．1mm的GaAs基片上，芯片面积为3．7mm×1．85mm。将两个这样的芯片级联得到13±1dB的线性增益。     

2～8 GHz微波单片可变增益低噪声放大器

报道了一种微波宽带 Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该芯片采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5μm PHEMT标准工艺制作而成。工作频率范围为 2～ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5d B,噪声系数最大为 3 .5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输入驻波小于 2 .0 ,输出驻波小于 2 .5 ,输出功率大于 1 0d Bm。放大器增益可控大于 3 0 d B。实验发现 ,芯片具有良好的温度特性。该芯片面积为 3 .6mm× 2 .2 mm。     

砷化镓微波单片集成电路的失效分析

通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。     

双通道低噪声单电源可变增益功率放大器AD605

AD605是AD公司生产的低噪声、双通道、dB线性的可变增益放大器。可用于超声波和时间增益控制、高性能AGC系统以及信号测量等方面。文中介绍了AD605的功能和特性,分析了AD605的结构和工作原理,并给出了AD605的两种基本应用电路。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺寸为17.5mm×20mm×5mm。     

微波／毫米波砷化镓单片集成电路及其应用（2）

主要介绍国外微波／毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。     

S波段GaAs单片可变增益放大器

<正>微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小、重量轻等突出的优点。南京电子器件研究所1991年研制的MMIC产品WD64型S波段GaAs单片可变增益放大器如图1所示。其芯片尺寸为4.5mm×1.6mm×0.15mm,双栅     

单片微波集成电路工艺技术

单片微波集成电路(MMIC)由于近几年来工艺技术上的突破,正成为MIC中发展最快和最有前途的重要分支。其产品已由实验室走向生产,并在各领域得到广泛应用。本文对近年来MMIC工艺技术上的进展作一简述。     

单片集成微波/射频功率放大器技术进展

回顾了一些用于微波单级功率放大器的传统技术方案,讨论了各自的优缺点.从电路模块的角度,总结了若干兼顾功放线性度和效率指标的典型电路拓扑形式,包括Doherty电路、包络消除与恢复(EER)技术、LINC技术等,并总结了当前主要采用的基于电路系统层面的微波射频功放线性化方案.在此基础上,列举评点了文献中一些典型功放的电路特点和性能指标,可为设计和制造人员提供有益参考.     

单片微波集成电路放大器

介绍单片微波等成路的特性     

MMIC——单片式微波集成电路

本文简单介绍ＭＭＩＣ－－单片式微波集成电路及其应用。     

GaAs微波单片集成电路中器件的精确建模

论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。     

国内外微波毫米波单片集成电路的现状和发展趋势

本文综述了美国、日本及西欧等国在微波、毫米波单片集成电路MMIC方面的研究现状及发展趋势;指出我国MMIC研制情况与差距,并提出了开发建议。     

MMIC—单片式微波集成电路

由于近年来半导体制造技术的发展，例如氮化物自我排列工艺的成熟，离子掺入控制水平的提高，所以才能生产出MMIC器件。在这种器件内，电阻器采用适合高频率应用的薄膜电阻器，且制作在芯片上，使器件内部的各零件之间几乎无连线，电路感抗可降到最低值，提高了MMIC的高频特性、MMIC工作频率实际可达18GHz以上，频宽高达4GHz。它的用途很广，可应用于所有的发射机或接收机的射频和中频电路。下面分5个方面介绍MMIC。1．典型的MMIC放大电路MMIC放大电路如图1所示，虚线框内的元件都包含在MMIC器件中。为了使V1、V2晶体管具有确…     

MMIC—单片式微波集成电路

本文介绍了ＭＭＩＣ－单片式微波集成电路及其应用。