浅述嵌入式FRAM存储器MCU

铁电存储器（FRAM）作为非易失性的存储器，现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式，市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势，Ramtron公司推出了VRS51L3074，嵌入了8KBFRAM。而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例。     

技术进步为铁电存储迎来更大市场空间

铁电随机存取存储器即FRAM（Ferroelectric Random Access Memory），是非易失性存储器的一种，由于种种性能优势，FRAM被业界寄望成为继闪存（Flash）之后的新一代存储器产品。[第一段]     

带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟所具备的优势

1 概述 随着DS32X35系列产品的发布,Dallas Semiconductor公司提供了无需电池的非易失存储器.这些器件采用铁电随机存取存储器(FRAM)技术,FRAM是非易失存储器,其读/写操作与RAM类似.     

铁电存储器技术

详细论述了铁电存储器 (FRAM)的工作原理、发展过程、技术特性、理论和技术及实际生产中的限制 ,分析了 FRAM的优势及弱点 ,认为 1G位的 FRAM可望在五年内实现。     

浅述嵌入式FRAM存储器的MCU

铁电存储器(FRAM)作为非易失性的存储器,现正越来越受到更多设计工程师的欢迎.随着存储器技术渐趋成熟.已由独立的形式转变为嵌入式.市场对嵌入式FRAM 的兴趣也越来越浓.为了适应这个趋势,Ramtron公司推出了VRS51L3074,嵌入了8KB FRAM.而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例.     

新型铁电存储器件的原理及应用

铁电存储技术早在1921年就已经提出来了，但直到1993年，美国Ramtron国际公司才成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品。目前，所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年，FRAM又有新的发展，     

Ramtron提升FRAM存储器容量至4Mb

由于具有非易失、快速存取、低功耗、可无线擦写等特点, FRAM(铁电存储器)在业内素有完美存储器的称号,并已在要求严格的汽车、测量、工业及计算等领域中实现了商业化应用。近日, Ramtron公司推出业界首个4Mb FRAM存储器FM22L16,其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。     

Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器

世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封（TSOP）的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在管脚上兼容，适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础，在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。[第一段]     

基于铁电存储器编程技术的DSP SPI引导装载方案

介绍了一种SPI接口的新型铁电存储器FRAM,同时还分析了TMS320VC5402DSP的SPI引导装载模式,提出了一种基于FRAM编程技术的DSP脱机独立运行系统的设计方案。     

铁电存储器在单片机系统中的应用

介绍了一种新型存储器FRAM。FRAM和单片机系统相结合,将大大提高系统精度,减少控制系统电路。