电容换位法检定高压电容电桥的固有偏差分析

高压电容电桥是测量高压电容量和介质损耗因数的常用仪器,电容换位法是检定高压电容电桥的比值误差主要方法之一,本文阐述电容换位法检定的比值误差的工作原理,互换的高压电容器电容量选取要求,并提出电容换位法检定过程中其它注意的问题.     

认识电阻、电容、电感及如何选用LCR电桥

在不同频率的电路中，LCR的等效电路、应用以及正确使用LCR电桥测试的方法。     

电桥测量线路输出信息的计算

本文根据熵的理论，分析了电桥测量线路传输信息的特点；计算出了在极限情况下电桥测量线路输出信息的特征值；修正了普通测量信息理论的一些结论。该计算过程和某些结论对桥路的设计及应用可提供有益的理论依据。     

电桥测量基础

电桥是精密测量电阻或其他模拟量的一种有效的方法。本文介绍了如何实现具有较大信号输出的硅应变计与模数转换器（ADC）的接口．特别是∑一△ADC。当使用硅应变计时．它是一种实现压力变送器的低成本方案。[编者按]     

交直流电桥精密平衡指示器

交直流电桥用零点平衡指示来测量电感、电容等元件的精确数值。这里介绍的平衡指示器有三大优点：     

用ispPAC10实现电桥测量的电路设计

介绍了ispPAC10芯片的工作性能与特点，给出了使用模拟可编程集成电路ispPAC10实现电桥测量电路的设计与仿真分析。     

平板式电容传感器测量电路研究

提出了一套关于平板式电容传感器测量电路的新方案。该方案不仅具有较高的相对值测量精度、简单的硬件电路，而且具有较强的系统抗干扰能力。     

驻波电桥测量反射损耗中的几个问题

本文根据驻波电桥的工作原理和传输线理论,导出了测量反射损耗的正确取值和方法,论证了国标GB11318中的几个不够明确的问题。     

油水两相流电容层析成像系统电容测量电路的设计

微小电容检测是电容层析成像技术的一个关键和难点。针对油水两相流电容层析成像系统的具体要求，本文研制一种微小电容交流测量电路。电容测量电路的静态测量误差小于0.2％，漂移为0.05％/小时。实验结果表明满足使用要求。     

振荡式微小电容测量电路

微小电容的测量成了电容传感器能否广泛应用的关键技术.针对目前微小电容测量系统刷新率低,体积大的现状,本文提出了一种电容-频率转化电路,该电路将电容传感器接入方波振荡回路中,振荡波形频率随电容的改变而改变,通过对振荡波形的处理,积分电路可以将微小的电容信号转换成电压的变化.该测量系统具有功耗低、体积小、分辨率高、刷新率高...     

电容法测量工业粉尘浓度技术研究

粉尘浓度测量方法的研究对测量粉尘浓度准确性和精确性均具有重要意义。文中主要对电容法测量工业粉尘浓度的方法进行研究,结合实际测量需求,分析了电容传感器的原理,提出了一种新的电容测量方法,并设计了基于电桥法的测量电路及测量系统。通过搭建实验平台对工业粉尘进行测量,分析实验结果并对其结果进行标定,得到了测量结果与待测粉尘浓度的关系,验证了该电容法在工业粉尘浓度测量中的可靠性。     

用8031单片机实现电容测量

提出了用 80 31单片机系统来完成电容测量的方法 ,介绍了软件设计 ,给出了硬件的电路原理图。     

基于紧耦合电感臂电桥的弱信号电容传感器检测电路设计

电容传感器作为信号检测系统的感知部件,在进行信号测量时,由于信号的微弱和寄生电容的干扰,将难以实现信号的精准测量.为解决这一问题,针对当前最新的测试系统提出了改进方案：在C-V（电容-电压）转换电路中,用相互耦合的电感替换交流电桥的两个固定电阻臂,再用差动式接入的电容传感器替换另外两个电阻臂,如此便构成了改进后的紧耦合电感臂电桥.通过改变紧耦合电感臂电桥中两个电容传感器的微小变化量,对所提的CV转换电路在Multisim仿真软件中进行仿真实验,实验结果表明:检测电容的分辨率可以实现至飞法级别,检测灵敏度可以实现至49 mv/fF.相比改进前的方案优势具有较大的提高,与理论分析一致.这样,使用所提的弱信号检测方法在灵敏度、分辨率方面均高于改进前的检测方法,达到对较弱信号的检测.同时,一些降噪措施被提出用来抑制寄生电容的影响,进一步提高了所提电容传感器检测电路的性能.     

用于流体压力测量的电容传感器

叙述了电容应变式流体压力传感器的基本原理，给出了一种电容应变式流体压力传感器的检测电路，并分析了流体压力大小与传感器输出电压的关系。实验结果表明，该传感器具有精度高、线性度好、灵敏度大等优点，尤其适于微压力和大动态力的测量。     

电容式压力传感器微电容测量集成电路的研究

采用开关电容技术的Boxcar积分原理设计的,为测量电容式压力传感器微电容的接口电路已提出,它由Boxcar积分器,锁存器,脉冲宽度调制器和控制信号电路组成。 这个接口电路,采用3μmP-阱CMOS双层多晶硅栅工艺研制,管芯面积为2.5×3.5mm~2。测试结果表明,接口电路具有较好的灵敏度,它完全适用于与硅集成电容式压力传感器集成在同一芯片上。