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电子化学品指为电子工业配套的精细化工材料。本文按电子工业门类:集成电路、平板显示器、印制电路板和新能源电池,介绍了该行业所用化学品的产业发展现状、市场发展趋势,并对2015年和2020年市场需求进行了预测。 相似文献
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江镇海 《合成材料老化与应用》1999,(1):29-30
进入90年代,随着“信息高速公路”的建立和发展,带动了世界电子工业用的化学品的发展,平均年增长率保持在8%以上,预计到Zttb年,世界电子用化学品的市场将达到25O亿美元。1997年我国电子工业产值已达3500多亿元,电子用化学品已接近80亿元。今后若干年内,我国电子工业将以每年对巩的速率递增,毫无疑问,电子用化学品的年均递增率亦必然超过20%。印刷电路板(PCB)是电子产品的重要组成部分,其产值和销售额均占世界电子元件总产值和总销售额的16%。1994年,中国PCB产量已排在世界第五位,占世界poB总量的5.2%,预计到2000年… 相似文献
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电子化学品市场前景广阔 总被引:1,自引:0,他引:1
《化工文摘》2001,(4):59-59
电子化学品是为电子工业配套的专用化工材料,质量要求高,产品更新换代快,投入资金大,但回报率高。在过去10年中,世界电子化学品年增长率平均保持在8%以上,是化工行业中增长最快的部门。预计到2005年,世界电子化学品市场规模将超过300亿美元。 相似文献
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《上海化工》2001,(15):27-27
目前 ,精细化学品市场总价值为 900亿美元,其中美国和西欧市场分别为 440亿和 325亿美元。在西欧,精细化学品占有了工业化学品总价值的 9%份额,然而在价值 325亿的精细化学品中,只有 107亿是直接通过商品贸易实现: 65亿提供给医药工业, 24亿提供给农药工业,其他的用于染料、香料、生物杀灭剂、光学抛光剂、人造甜味剂、电子化学品、抗氧化剂、阻燃剂、 UV稳定剂等的生产。在美国,精细化学品占有了工业化学品总价值的 17%,价值 440亿美元的精细化学品中,有 142.5亿通过商品贸易实现: 105亿美元的精细化学品提供给医药工业, 24… 相似文献
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田禾 《精细与专用化学品》1999,7(16):6-7,12
信息产业中的精细化学品由于其高附加值、高回报率,正日益引起重视。为电子工业配套的电子化学品所需品种约2万种,预计到2000年市场金额将达到78亿元人民币。信息储存用化学品是重大科学技术前沿课题和新兴的高技术产业,同样所需品种更多、所获利润更大,对技术要求也就更高。信息记录用化学品也有待市场开发、技术改进,由于国际互联网络的进一步普及,信息记录用化学品行业即有挑战也有机遇。 相似文献
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王大全 《精细与专用化学品》1995,(20):2-5
1 前言 精细化工是当今世界竞相发展的重点,也是我国“六五”、“七五”、“八五”乃至“九五”规划中的发展战略重点之一。仅“七五”和“八五”期间,国家就投入了30亿元,用于发展饲料添加剂、食品添加剂、工业表面活性剂、水处理剂、生物化工、造纸化学品、油田化学品、皮革化学品、胶粘剂、电子化学品等新领域精细化工产品。为了加速我国精细化工的发展,从80年代起,化工部相继组建了化工 相似文献
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一、概况电子化学品是指电子工业用化学品及化工材料,属精细化工。电子工业和电子技术的进步离不开化学工业。据统计,一台电视机有6/7的部件与化工材料有关。作为电子工业的关键材料半导体的制造,要用到65种特种有机化学品,15~20种特种无机化学品以及几百种混合复合物。 相似文献
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烷基酚和双酚A是典型的内分泌干扰物,能对人的生殖发育、内分泌系统造成危害,为提高食品安全性,对食品及包装材料中烷基酚和双酚A的检测显得尤为重要,本文对烷基酚和双酚A的检测技术进行综述。 相似文献
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介绍丁腈橡胶(NBR)合成技术进展,国内外丁腈橡胶的供需现状及发展前景。根据存在的问题,提出了今后的发展建议。 相似文献
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电子鼻测定苯系物的方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为考察电子鼻用于苯系物(BTEX)快速检测的可行性,分别采用电子鼻(zNose4200,GC/SAW)和普通气相色谱(GC522,FID)对其进行分析.结果表明:电子鼻的灵敏度均为普通气相色谱的10倍以上,最高可达140倍.此外,精密度和重现性也优于后者,可用于BTEX快速、实时分析,是一种用于分析环境中挥发性和半挥发... 相似文献
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采用密度泛函理论(DFT)计算了N、S、Se和Te掺杂及共掺杂金红石TiO2的电子结构。针对DFT方法存在对过渡金属氧化物带隙能的计算结果与实际值严重偏离的缺陷,采用DFT+U(Hubbard系数)方法对掺杂体系的电子结构进行了计算。优化结构的结果表明,掺杂造成二氧化钛的体积膨胀和晶格畸变很明显。相比较于其他元素而言,Te更难掺杂进二氧化钛中是由于其大的原子半径和较大的取代能。能带总态密度图和分态密度图的分析表明,Ti 3d和O 2d轨道与N 2p、S 3p、Se 4p和Te 5p强烈地杂化在一起。与S、Se、Te单掺杂后带隙能比较,由计算的结果(S:2.43;Se:2.42;Te:2.46)可以看出,N/S、N/Se和N/Te共掺杂能明显地改善材料的电子结构及带隙。DFT+U计算结果与实验测量结果较好地吻合。 相似文献