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薄膜SIMOX顶层单晶硅位错的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过超声搅拌的增强化学腐蚀,结合普通的光学显微镜研究不同制备参数的形成的SIMOX材料顶层单晶硅的位错缺陷,讨论了位错密度同SIMOX制备工艺的关系。 相似文献
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用二次离子质谱方法,测量了SIMOX样品的各层结构和杂质分布。讨论了测量的方法。说明了SIMOX材料顶部硅层的捩缺陷和杂质的施主作用。要制作适合器件需要的SOI材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。 相似文献
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AlN陶恣成分怀发对于AlN的性能具有决定性作用,用二次离子质谱(SIMS)和X射线衍(XRD)对清华大学材料系电子封装用的AlN陶瓷进行了研究。SIMS谱表明AlN衬底中除Al,N以我有C,O,Si,Ca,Y等元素,其中有些是表面污染。衬底的SIMS深度分析表明样品O,Ca,Y信号都很强,且分布均匀,说明样口 含有Y2O3,CaO添加剂,AlN样品的XRD谱与AlN的JCPDS卡片对照,在测量范 相似文献
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简要介绍了红外焦平面阵列的信号处理电路的发展概况,重点描述CCD多路传输器(CCD-MUX)时间延迟积分CCD(TDI-CCD),MOSFET,CMOS等路传输器(CMOS-MUX)等的基本结构,工作方式及应用领域。 相似文献
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RADISS——面向CIMS/MIS的快速开发平台 总被引:6,自引:1,他引:5
介绍了一个CIMS环境下的管理信息系统的快速开发平台。该平台采用CLIENT/SERVER体系结构,在UNIX及WINDOWS操作系统和支持TCP/IP网络协议的环境下,提供了一组快速开发CIMS/MIS的主包括MRP、BOM处理在内的集成支持环境,可以极大地提高应用系统的开发效率,缩短应用系统的开发周期,并使应用系统具有较好的集成性和开放性。 相似文献
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在室温-200℃的不同温度睛测量了薄膜全耗尽CMOS/SIMOX的P沟,N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系,并同相应的体硅器件作了比较。 相似文献
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Ti/RuO2+SnO2+Sb2O3|Pb3O4阳极的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对Ti│RuO2+SnO2+Sb2O3│Pb3O4阳极进行了SEM、EDS、XRD研究,考察了在IMH2SO4中电极寿命,测定了该电极的电化学动力学参数a、b、i0,并用双位垒模型讨论了其电化学性能,结果表明该电极具有优良的电化学性能和较长的使用寿命。 相似文献
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新型透明导电薄膜In2O3:Mo 总被引:6,自引:1,他引:5
MoO3的饱和蒸气压较高,可以直接用热反应蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明,IMO薄膜中的Mo是以Mo^6+离子形式取代了In2O3晶格中的In^3+离子而存在的,没有形成新的化合物,也没有改变In2O3的体心立方晶格结构。在不进行退火、放电等工艺处理的情况下,用常规的反应蒸发法,在约350℃,1.2mm厚的载玻片上制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射 相似文献
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Ti(IV)在介孔氧化硅MCM-41中的液相移植 总被引:7,自引:0,他引:7
以钛酸丁酯为原料,通过液相移植反应,在介孔氧化硅MCM-41中成功地组装了Ti(IV),利用XRD、TEM、EDS、FT-IR、N2吸附-脱附、29Si MAS NMR等多种实验方法对材料进行了表征,并讨论了液相移植反应的机理.实验表明,通过与介孔材料骨架表面Q3硅原子中的硅醇键(Si-OH)的反应而形成钛-氧-硅(Ti-O-Si)键,Ti(IV)被成功地固定到介孔材料的骨架上面; 950~960cm-1红外共振吸收的加强是Si-O-Ti键形成的标志. 相似文献
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MxLa1—xFeO3气敏材料的制备及表征 总被引:8,自引:0,他引:8
采用液相化学共沉淀法制备出MxLa1-x FeO3气敏材料。利用XRD、SEM、TEM、IR、DTATG等分析技术,对材料的物相组成,结构,形貌等方面进行了表征。研究了各种因素对材料导电特性的影响情况。 相似文献
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人工气候老化对乙丙橡胶表面结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
乙丙橡胶在户外绝缘系统中应用广泛,其性质和表面结构在环境因素作用下会发生变化。应用SEM、XPS等技术研究了加速气候老人经对乙丙橡胶表面结构的影响。老化后橡胶表面出现微裂纹,链端氧化或链的断裂导致COO-出现。随老化时间增加,高氧化态碳(COO-)相对含量增加,O/C增加,OIS平均结构能降低。 相似文献
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溶胶—凝胶法制备WO3—SiO2材料的氨敏特性研究 总被引:21,自引:0,他引:21
采用溶胶-凝胶法制备了WO3+xwt%SiO2(x=0,5,10,20)粉体材料。对其结构、形貌进行了XRD、AFM、XPS和比表面积测量、分析,结果表明:获得了单斜晶系结构的WO3多晶材料;晶粒尺寸随SiO2含量的增加而减小。测量了材料的NH3气敏特性,得到敏感元件的电阻和灵敏度随SiO2含量的增加而增加;溶胶-凝胶法制备的WO3+5wt%SiO2粉料用于NH3测量具有优良的特性,在350℃及以上应用优于纯WO3材料。 相似文献
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将1×1017/cm2的氦离子以35keV的能量注入到单晶硅中,在硅表层下面形成纳米空腔。将1×1017/cm2的氧离子注入到空腔层的下方。用RBS/C、SRP及XTEM等测试手段对样品进行研究。结果表明,纳米空腔对氧有强烈的吸附作用,10000C退火后氧从原注入位置释放,并被空腔俘获,形成含纳米孔的氧化埋层。氧与空腔的互作用抑制了纳米空腔的迁移、聚合。利用这一现象有望制备出纳米氧化埋层SIMOX材料。 相似文献
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本文了离子束科学技术新领域新的重大进展-从作为半导体掺杂手段剂量离子注入到高剂量离子注入以合成新材料。文中讨论了高剂量注入的物理效应,利用高剂量氧注入硅合成SIMOX材料的物理过程以及离子束合成的多种应用。 相似文献
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1998年 8月 ,Avid从微软公司收购了Softimage公司。2 0 0 0年 5月 ,Softimage公司开始推出新一代三维动画软件Softimage/XSI,将动画提升到一个新的层次。它在处理三维动画方面不仅是强大、精致的 ,而且是非破坏性和非线性动画的直感工具。 2 0 0 1年 1月底 ,AvidTechnology公司的子公司Softimage公司宣布了她的旗舰软件SOFTIMAGE/XSI1 .5版 ,2 0 0 1年 3月 5日Avid在北京展示了SOFTIMAGE/XSI 1 .5。这是近年来推出的新一代非线性动画软件 ,它的非线… 相似文献