基体效应对二次离子质谱相对灵敏度因子影响的研究

众所周知，二次离子质谱定量分析的最大困难之一就是其体效应的影响。由于二次离子质谱发射机理较为复杂，从理论上描述和分析基体效应仍有较大难度。本文基于对不同基人本中相对灵敏度因子值的分析，提出了一种描述基体效应的物理量－基体效应因子。分析结果说明，在Ｏ２＾＋离子入射下，基体效应因子与基体的平均原子序数、平均电负性及其基体元素的氧化物平均生成热之间的密切的关系。依据作者曾提出的“结合断键－局域热平衡”分     

硅中硼的SIMS定量分析

硅中硼的定量分析是二次离子质谱学中的一个典型基础研究课题。９０年代中，国际标准化组织选定它作为ＳＩＭＳ领域要建立的第一项国际标准。参照近十余年来清华大学与国内外有关实验室合作开展的ＳＩＭＳ定量研究情况，本文介绍并评述了硅中硼ＳＩＭＳ定量分析的进展，讨论了相对灵敏度因子法、硅中硼参考物质、影响定量分析的因素、巡回测试结果及参考物质在标定ＳＩＭＳ仪器检测限的应用。在第一次国际标准化组织巡回测试中，世界     

碲镉汞材料及工艺控制的分析方法

随着碲镉汞红外器件的小型化、高品质化和性能的提高,对原材料的纯度、器件工艺质量控制方法提出了更高的要求。就分析方法而言,不仅要求有高的定量分析精度,同时要求分析方法对杂质元素的分析范围广(多元素分析)、元素的探测灵敏度高。对器件工艺控制分析来说,除了基体元素成分、杂质元素的定量分析外,还要求分析方法能在横向和纵向分析,并有相当的空间分辨率。就上述要求给出了碲镉汞材料提纯、CMT(碲镉汞,Cd(?)Hg(?)Te)晶体生长及器件工艺控制分析的主要分析技术方法、特点及其进展。讨论了基体元素定量分析的精度,痕量元素定量分析的能力、灵敏度及其进行深度剖面分析的深度分辨率。     

新型近红外光电探测材料碲铟汞的研究

研究了一种新型近红外光电探测材料碲铟汞（MIT）晶体，利用垂直Bridgman法成功生长了MIT单晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光谱分析及Hall测试对晶体的形态结构及光电性能进行了检测。结果表明：MIT晶体为缺陷闪锌矿结构，其在中远红外波段透过性能较好（ 〉50％），并且随着波长的增大，透过增强．MIT晶体为n型半导体，室温电阻率为4．79×10^2Ω．cm，载流子迁移率为4．6×10^2cm^2．V^-1．s^-1，载流子浓度为2．83×10^13cm^-3。较低的载流子浓度，有利于降低探测器的噪声及提高探测器的能量分辨率。     

高纯碲镉汞配料,封装过程中污染对原材料纯度的影响

首先对目前国内 Te、Cd、和 Hg 高纯材料在大气环境下配料、在油扩散泵真空系统下封装两个过程中由于原材料表面的自然氧化、吸附、原材料小颗粒或粉末之间贮存的气源等污染对原材料纯度的影响进行了分析计算和讨论。简单的估算表明,二次污染可使材料纯度低于6个9(用6N 表示)。采用清洁真空系统后配料封装,即使真空度不高(或充保护气体),二次污染的杂质浓度仍可低于10~(-9)量级。其次对739厂的 Te、Cd(标称7N)原材料以及机电部第1411研究所提供的 CMT(Cd_xHg_(1-x)Te)晶片分别进行了配料、封装的初步模拟实验和表面污染的实验分析。实验结果说明,配料和封装过程对材料 Te 的二次污染(主要是吸附和返油)影响不大;但对 Cd 材料污染十分严重,分析计算表明,碳、氧污染引起的杂质浓度较高。实验结果支持了第一部分中的计算结果。     

碲锌镉晶片机械研磨和机械抛光工艺研究

研究了碲锌镉(CZT)晶片表面的机械研磨和机械抛光工艺.采用不同粒度的Al2O3磨料对CZT晶体表面进行机械研磨和机械抛光,并研究了工艺参数变化对CZT晶体表面质量、粗糙度、研磨速度和抛光速度的影响.结果表明,机械研磨采用粒度2.5μm的Al2O3磨料,最佳的研磨压力和研磨盘转速分别为120g/cm.和75r/min,...     

激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响

利用脉冲ＹＡＧ激光器对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火、分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化。实验表明,激光能量密度越大,激光退火的效果越明显。我们认为要达到理想退火效果,样品表面一薄层需处迂近熔化状态,以得到晶格结构的重新组织。     

碲锌镉单晶片的退火方法

探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善.XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的cd组分含量有一定增加.采用该方法退火后,晶体品质有一定提高.     

碲镉汞晶体辐射损伤的分析电镜研究

用分析电子显微镜观察了碲镉汞晶体的显微结构。发现在大剂量电子辐射下,显微结构有较强的损伤。进一步用 X线能谱分析和高分辨电子显微术研究表明,大剂量电子辐射引起了碲镉汞晶体的超结构、叠栅、无序化和 Hg 含量减少。     

DL—8ⅡA电离计规管相对灵敏度的简易测定方法

为了满足残余气体分压强定量测定的需要，经探讨，提出了 ＤＬ－８ⅡＡ电离计规管 相对灵敏度β值的简易校准方法。本文介绍该方法的基本概念、公式及校准步骤与结 果。用本方法可以较方便地对常见气体进行β值测定，从而使本残气分压强定量测定 方法不必以复杂的压强标准为基础而具有实用价值。     

HgCdTe晶体上Cd和Te的阴极共沉积

在ＨｇＣｄＴｅ晶体表面上用电化学方法得到了Ｃｄ和Ｔｅ的共沉积．所用的电解质由Ｈ２ＳＯ４；ＣｄＳＯ４和ＴｅＯ２的水溶液所组成．稳态沉积电流密度随着沉积电位更负，电解质温度升高和ＴｅＯ２浓度的增加而增大．Ｘ光衍射分析证实，当沉积电位比－０．７０Ｖ（ｖｓＳＣＥ）更负时，沉积膜由ＣｄＴｅ和Ｃｄ所组成．当沉积电位比－０．６７５Ｖ更正时，沉积膜为化学计量的多晶ＣｄＴｅ，其（１１１）面为优先生长的晶面族．沉积膜的显微照相可能表明多层ＣｄＴｅ的扁平晶粒逐步长大连成一体后而完全复盖底晶．俄歇电子谱的深度剖面分析显示在所沉积的条件下，底晶中的Ｈｇ向ＣｄＴｅ沉积膜内有较深的扩散．     

碲铟汞晶体制备及其热稳定性研究

以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15mm×175mm的MIT单晶体.利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行的分析表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m.采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体.对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象.     

中波碲镉汞边缘接触不对称MIS结构的低频噪声

对两种不同结构的中波碲镉汞光导红外探测器件的噪声进行了测量,发现叠层结构器件的低频噪声比具有简单结构器件的大。针对叠层结构,提出了用来分析噪声的边缘接触不对称MIS结构模型。分析表明,叠层电极下的碲镉汞表面在偏置电压作用下,容易出现耗尽层是低频噪声增加的主要原因。     

基于相对法激波管的压电传感器灵敏度校准

压电传感器常用于动态压力领域,在军工行业爆炸威力测试中有着广泛的应用。由于其在静态压力下无信号输出,且在实际应用中的上升时间为微秒级,使用常规压力计量手段无法进行校准,需要利用激波管产生阶跃压力对其灵敏度进行校准,而传统的绝对法激波管装置结构复杂、无法移动、成本高昂。文章介绍了一种相对法激波管装置的原理结构,分析了装置的测量不确定度,并开展了压电传感器灵敏度校准实例,其结果体现了开展该项工作的良好效果与重要作用。     

温度梯度对碲锌镉单晶体生长过程热应力场的影响

采用单晶位错研究的热弹性模型,计算模拟了垂直布里奇曼法碲锌镉单晶生长过程中的热应力场,研究了炉膛温度梯度对晶体内热应力的影响.计算结果表明:径向上晶体边缘与坩埚壁接触位置处的热应力远大干晶体中心处的热应力;轴向上晶体底部位置的热应力远大于晶体顶部的热应力.在晶体底部边缘与坩埚接触的位置出现最大热应力值σmax.当炉膛温度梯度从5K/cm增加到20K/cm,晶体内的热应力显著提高,σmax从41.83MPa增加到79.88MPa;当温度梯度超过20K/cm进一步增加时,晶体内的热应力增加很少,σmax仅增加了约5.3%.     

出现电势谱元素灵敏度的比较测定

对一些元素的出现电势谱（APS）进行了比较测定，给出了8种元素的APS相对灵敏度因子，那些具有较高空态密度的元素，如镧系元素、锕系元素和3d过渡金属中的大部分，其APS灵敏度较大。     

碲镉汞阳极硫化膜界面的光电子能谱研究

用电子能谱方法研究了Hg_(1-x)Cd_xTe样品在0.1M的Na_2S·9H_2O+乙二醇溶液中形成的阳极硫化膜,结果表明界面上汞的含量较高,介质膜含氧;但在0.1M的Na_2S·9H_2O+NaOH+乙二醇溶液中形成的阳极硫化膜几乎不含氧,介质膜的主要成分是CdS,且含有较多的Hg和Te。结果表明,碲镉汞表面的含水硫化可以获得同无水硫化、无水多硫化和含水多硫化钝化表面基本一致的介质膜,从而实现了含水硫化钝化碲镉汞表面。     

室温辐射探测器用碲锌镉晶体的退火改性研究进展

碲锌镉(CdZnTe)作为一种重要的Ⅱ-VI族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料.但生长态的CdZnTe晶体中不可避免地会引入Cd空位、沉淀/夹杂相、杂质和位错等缺陷,严重影响了所制备器件的质量和光电性能.因此,需对生长态晶体进行退火改性处理以提高晶体的质量.本文分析了CdZnTe材...