溅射——气体——聚集共沉积法制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜

提出了溅射－气体－聚集共沉积制备金属／金属（介质）复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并利用该方法成功地在方华膜衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ及ＣａＦ２复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜分析结果表明，样品中Ｆｅ（Ｃｕ）团簇都较好地镶嵌于Ａｇ（ＣａＦ２）基质中，其结构为两种材料的多晶共存形态。进一步分析发现，与块材相比，Ｆｅ／Ａｇ样品中Ｆｅ团簇晶格常数呈现出不同程度的收缩，而Ｃｕ／ＣａＦ２样品中Ｃｕ团簇晶格常数则呈现出不同程度的膨胀。运用附加压力的模型对该现象进行了解释。     

镶嵌在CaF2介质中纳米Cu团簇微观结构的研究

利用磁控溅射产生金属Ｃｕ团簇，同时蒸发ＣａＦ２介质，将Ｃｕ团簇包埋在ＣａＦ２介质中，团簇大小可通过改变溅射气压控制，用ＴＥＭ研究了嵌埋团簇的结构，分析结果表明：Ｃｕ团簇呈三角状多晶结构，团簇大小为１０￣７０ｎｍ，基质ＣａＦ２晶体也为多晶结构，Ｃｕ团簇的晶格常数在包埋状态下发生了膨胀，膨胀率大约在１６％左右。     

纳米金属颗粒－绝缘体膜制备的研究

本文介绍了一台利用磁控溅射产生金属团簇，同时蒸发绝缘介质得到金属颗粒－绝缘体包埋团簇的设备，并利用该设备成功地制备出了Ｃｕ：ＣａＦ２和Ｔｉ：ＣａＦ２等金属颗粒膜。该设备适应性广，可产生几乎所有固体金属和半导体团簇。从而可以得到众多组合的功能膜。包埋在绝缘体中的团簇大小在１０ｎｍ－７０ｎｍ之间，为多晶结构；基质ＣａＦ２也为多晶     

纳米金属颗粒—绝缘体膜制备的研究

本文介绍了一台利用磁控溅射产生金属团簇，同时蒸发绝缘介质得到金属颗粒－绝缘体包埋团簇的设备，并利用该设备成功地制备出了Ｃｕ：ＣａＦ２和Ｔｉ：ＣａＦ２等金属颗粒膜。该设备适应性广，可产生几乎所有固体金属和半导体团簇。从而可以得到众多组合的功能膜。包埋在绝缘体中的团簇大小在１０ｎｍ－７０ｎｍ之间，为多晶结构；基质ＣａＦ２也为多晶。     

Fe－Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包理团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单晶形态。     

Fe—Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包埋团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单     

团簇大小对Fe－Ag和Co－Ag包埋团簇形貌及结构的影响

利用蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，在有方华膜的电镜载网上制备了Ｆｅ－Ａｇ及Ｃｏ－Ａｇ系列纳米磁性包埋团簇，通过控制蒸发电流等沉积条件，获得了不同团簇大小的样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，当样品中Ｆｅ（Ｃｏ）团簇尺寸较小时（分别为１０ｎｍ和２０ｎｍ），样品形貌表现为Ｆｅ（Ｃｏ）团簇弥散地分布在Ａｇ膜基质中，形成了Ａｇ膜对Ｆｅ（Ｃｏ）团簇的分隔与包埋；其结构分别为Ｆｅ、Ａｇ多晶和Ｃｏ、Ａｇ多晶共存的形态。而当Ｆｅ（Ｃｏ）团簇尺寸较大时（分别为９０ｎｍ和５０ｎｍ），样品中Ａｇ原子也相对聚集，Ａｇ膜没有形成对Ｆｅ（Ｃｏ）团簇的完全包裹，在形貌上Ｆｅ－Ａｇ样品呈现为“串状”，Ｃｏ－Ａｇ样品呈现为“花瓣状”；而在结构上则都表现为非晶形态     

不同的烧结条件对Sol—gel法制备Y—123超导材料的影响

报道了用ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成的超导原粉ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ和ＹＢａＣｕ３２Ｆ０．６Ｏ７－δ，在不同的烧结条件下，显示出不同的超导转变温度（Ｔｃ）。从中得到了最佳烧结条件：Ｙ－１２３为９８０℃／６ｈ；Ｙ（Ｆ）＿１２３为９８０℃６ｈ＋管状炉９００℃２４ｈ。并分析了样品的物相结合和形貌。     

Sol—Gel法制备Y系高温超导材料及烧结条件的研究

介绍了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ和Ｆ掺杂的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｆ０．６Ｏ７－δ高Ｆｃ超导材料的Ｓｌｏ－Ｇｅｌ法制备，并对烧结条件进行了研究。     

X射线影像存储材料BaF_xCl_（2－x）Eu~（2＋）的制备及其热释发光和

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影象存储材料ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０１．１５）。通过改变Ｆ／Ｃｌ比值，研究了在Ｘ射线辐照后ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的光激励发光性质，给出了Ｆ／Ｃｌ比值与光激励发光强度的关系。     

Cu/CaF2复合团簇镶嵌薄膜的光学性质

利用溅射-气体-聚集（SGA）共沉积法，分别在方华膜和光学石英玻璃衬底上制备了Cu团簇嵌理在CaF_2介质中的Cu／CaF_2复合团簇镶嵌薄膜样品。透射电镜（TEM）分析表明，样品为多晶结构；样品的分光光谱仪测量和光Kerr响应表明，Cu金属的表面等离子体共振吸收频率明显依赖于样品中Cu团簇的大小，随着团簇尺寸的减小，样品共振吸收峰发生红移；并且在吸收峰位附近，表现出较大的第三级非线性系数。     

应用量子化学研究Ca2Fe2—xAl2O5的水化活性

用量子化学ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法分析了Ｃａ２Ｆｅ２－ｘＡｌｘＯ５体系听ａ２Ｆｅ２Ｏ５，Ｃａ２Ｆ３１．４３Ａｌ０．５７Ｏ５和Ｃａ２Ｆ３１．２８Ａｌ０．７２Ｏ５，认为它们的水化活性随Ａｌ的增加而提高的原因是：（１）Ａｌ的净电荷比Ｆｅ高，易吸收水分子的弧对电子；（２）Ａｌ－Ｏ键比Ｆｅ－Ｏ键弱，易断裂而容易与水反应。     

一个与准晶相关的新Al—Cu相

本文报道一个新Ａｌ－Ｃｕ相，具有正交结构，空间群Ｆｄｄｄ，点阵常数为：ａ＝０．８１６６ｎｍ，ｂ＝０．９９９５ｎｍ，ｃ＝１．４１４９ｎｍ，表达式为Ａｌ４３．２Ｃｕ５６．８，该相与Ａｌ－Ｃｕ－Ｆｅ准晶的价电子浓度相同，是一个由ＣｓＣｌ结构衍生的类似相。     

Fe／Ag复合团簇镶嵌薄膜微观结构和磁性的研究

提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积制备复合团簇镶嵌薄膜的新方法，并分别在方华膜和单晶Ｓｉ（１１１）衬底上制备了系列Ｆｅ／Ａｇ磁性复合团簇镶嵌薄膜样品，对所制备的样品进行了透射电镜分析，Ｘ射线能谱分析和振动样品磁强计磁性测量。结果表明，样品中Ｆｅ、Ａｇ形成了相分离，为ｆｃｃ结构的Ａｇ和ｂｃｃ结构的Ｆｅ多晶共存形态；对应于不同大小的Ｆｅ团簇样品，与块材相比，Ｆｅ团簇的晶格常数呈现出不同程度的收缩，     

一个与准晶相关的新Al－Cu相

本文报道一个新Ａｌ－Ｃｕ相具有正交结构，空间群Ｆｄｄｄ．点阵常数为：ａ＝０．８１６６ｎｍ，ｂ＝０．９９９５ｎｍ，ｃ＝１．４１４９ｎｍ，表达式为Ａｌ４３．２Ｃｕ５６．８．该相与Ａｌ－Ｃｕ－Ｆｅ准晶的价电子浓度相同，是一个由ＣｓＣｌ结构衍生的类似相．     

SI－GaAs中EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）和ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ）亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度减少，则ＥＬ６团簇缺陷密度增加；反之亦然，取决于退火温度的高低，表明ＥＬ２，ＥＬ６团簇在原子结构上相关。文中由此讨论了两个主要缺陷ＥＬ２和ＥＬ６的可能构型。     

光激励发光材料BaFCl：Eu中的发光中心

本文研究了光激励发光材料ＢａＦＣｌ：Ｅｕ中的发光中心。在不同的反应气氛下ＢａＦＣｌ：Ｅｕ具有不同的发光性质。利用光谱的方法、Ｘ射线光电子能谱的方法，研究了在不同条件下制备的ＢａＦＣｌ：Ｅｕ样品中，稀土离子Ｅｕ的性质。     

YBCO中氧原子近邻结构的温度相关性的EXAFS研究

运用定向ＥＸＡＦＳ（ＥⅡａ）技术对高温超声材料ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ在不同温度下氧原子的Ｋ吸收边进行了分析，获得了材料温度从７７Ｋ到１０５Ｋ的ＥＸＡＦＳ信息，发现在整个变化过程中，Ｏ－Ｃｕ原子对的平均间距未发生改变，但表征其键长有效涨落的德拜－瓦勒因子有一个稳定的增长.     

氟化物中Eu^2＋,Ce^3＋的浓度猝灭及其机理

本文详细地研究了ＢａＹＦ５和ＫＣａＦ３基质中Ｅｕ＾２＋、Ｃｅ＾３＋浓度对其发光的影响，发现两基质中Ｅｕ＾２＋、Ｃｅ＾３＋的猝灭浓度都较低；提出了Ｅｕ＾２＋、Ｃｅ＾３＋的浓度猝灭机理，计算了猝灭浓度和临界距离，并与实验结果进行了比较。     

陶瓷中的相变

提出陶瓷中相变的分类，引述ｓｐｉｎｏｄｅｌ分解的热力学判据和动力学判据，评述含ＺｒＯ２陶瓷马氏体相变尺寸效应的热力学推导和象理论在ＭｇＯ－ＰＳＺ，ＣｅＯ２－ＴＺＰ，Ｙ２Ｏ３－ＴＺＰ，ＢａＴｉＯ３；ＫＴＮ，ＰｂＴｉＯ３及ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ马氏体相变中的应用，指出含ＺｒＯ２陶瓷及ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ的等温相变可能属扩散机制的贝氏体相变。