常压MOCVD制备MgO薄膜的研究

本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰ－ＭＯＣＶＤ）在Ｓｉ（１００），ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上外延高质量的ＭｇＯ薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和ＭｇＯ薄膜的潮解特性。高纯ｍａｇｎｅｓｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ［ｂｉｓ（２，４－ｐｅｎｔａｎｅｔａｎｅ－ｄｉｏｎｏ）ｍａｇｎｅｓｉｕｍ］［Ｍｇ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２］作为金属有机源，扫描电镜（ＳＥＭ），透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ－ＲＡＹ衍射实验显示，在较低的衬底温度（～４８０℃）下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀，致密，结晶性和取向性很好，衬底温度（Ｔｓ）在４００℃到６８０℃之间，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜都具有［１００］取向，在Ｓｉ（１００）、ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜也都具有［１００］取向。     

直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

为研究氧化铱（ＩｒＯ２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲性能的影响。利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ２薄膜,并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜,讨论了溅射参数（溅射功率、Ａｒ／Ｏ２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶,取向和形态的影响。     

热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt／Ti物相与形貌的影响

随着热处理温度上升，在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上溅射的Ｐｔ、Ｐｔ／Ｔｉ电极中，构成Ｐｔ薄膜的晶粒由小变大，由分布均匀到晶粒局部聚集，最后分离成小岛。Ｔｉ层可提高Ｐｔ薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定性。快速热处理可提高Ｐｔ薄膜在高温下的连续性。并研究了Ｐｔ薄膜对ＰＬＴ铁电薄膜的成品率和分散性的影响。     

分层优化薄膜电致发光器件预热层的研究

在本文的工作中，我们比较了以ＳｉＯ２／Ｙ２Ｏ３和ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５为复合预热层及以ＳｉＯ为预热层的电致发光器件的发光亮度和传导电流，我们发现ＳｉＯ作为预热层的器件发光亮度优于其它两种器件。利用数值模拟的方法，推导出热电子能量，结果表明，ＳｉＯ为预热层的电致发光器件的热电子能量也明显高于另外两种器件。     

高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究了薄膜的组成和形貌，结果表明，当沉积温度为５００＾０Ｃ和６００＾０Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３００＾０Ｃ和４００＾０Ｃ地，薄膜以无定形结构为主，薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成，不同沉积温度     

非晶态铁电薄膜的铁电相转变

用ＡｒＦ脉冲激光在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上合成了非晶态ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９铁电薄膜,研究了铁电相转变。采用常规热退火、激光诱导和低温高压水热法使非晶态ＳＢＴ薄膜发生铁电相转变。     

微量含Si杂质对W－7Ni－3Fe高比重合金性能的影响

研究了掺杂到原料钨粉中的微量含Ｓｉ杂质（ＳｉＯ２０和Ｎａ２ＳｉＯ３）对Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ高比重合金力学性能的影响。结果表明，原料钨粉中的微量含Ｓｉ杂质（掺杂量＜０．０１％）可使合金的抗拉强度，延伸率及冲击韧性有所提高。通过对合金试样断口形貌的扫描电镜（ＳＥＭ）观察及时试样断口表面的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析发现，在未掺杂试样的断口表面存在少量的薄膜状ＷＯ２，掺杂微量含Ｓｉ杂质可以消除ＷＯ２薄膜。     

反应蒸发沉积的纳米硅—氧化硅薄膜的发光及其氧的存在形态

通过改变蒸发源，衬底温度和氧的流量，用反应蒸发法制备了不同晶粒尺寸的Ｓｉ／ＳｉＯｘ薄膜，用Ｘ射线衍射，Ｘ光电子能谱和红外光谱分别测试了薄膜的结构，组分及氧在薄膜中的存在形态。     

CdS在多层薄膜电致发光器件中的新应用

将ＣｄＳ蒸镀于电致发光器件中，测量这些器件的电学和光学特性，发现ＣｄＳ层可以提供较多的电子，但是，样品ＩＴＯ／ＳｉＯ／ＳｉＯ２／ＺｎＳＸ／ＣｄＳ／ＳｉＯ２／ＳｉＯ／Ａｌ（Ｘ＝Ｍｎ＾２＋，Ｓｍ＾３＋的亮度明显低于不仿ＣｄＳ的样品，说明这些电子在向Ｚｎｓ层输运的过程中能量有所降低，在样品ＩＴＯ／ＳｉＯ／ＳｉＯ２／ＺｎＳＸ／ＳｉＯ２／ＣｄＳ／Ａｌ中，ＣｄＳ产生的电子经过ＳｉＯ加速而获得了较高的能量，提高     

SiC_w／Al_2O_3－（Ti，W）C复相陶瓷的微观结构及其力学性能

本文对Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ和ＳｉＣｗ－Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ的力学性能进行了分析对比，研究了热压工艺、ＳｉＣ晶须含量、晶须分散效果和晶须／基体的复合情况等对Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ复相陶瓷力学性能的影响。从热膨胀系数失配角度分析和微观结构的观察证实，ＳｉＣ晶须及（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ固溶体对改善Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷力学性能的效果是显著的，ＳｉＣ_ｗ－Ａｌ_２Ｏ_３．（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ陶瓷材料的增韧机制主要是裂纹偏转和裂纹桥接。     

SiC_w／Al_2O_3－（Ti，W）C复相陶瓷的微观结构及其力学性能EI

本文对Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ和ＳｉＣｗ－Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ的力学性能进行了分析对比，研究了热压工艺、ＳｉＣ晶须含量、晶须分散效果和晶须／基体的复合情况等对Ａｌ_２Ｏ_３（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ复相陶瓷力学性能的影响。从热膨胀系数失配角度分析和微观结构的观察证实，ＳｉＣ晶须及（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ固溶体对改善Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷力学性能的效果是显著的，ＳｉＣ_ｗ－Ａｌ_２Ｏ_３．（Ｔｉ，Ｗ）Ｃ陶瓷材料的增韧机制主要是裂纹偏转和裂纹桥接。     

Si片上PbTiO3薄膜的XPS研究

用溶胶－凝胶方法在Ｓｉ上成功地制备了钙钛矿型的ＰｂＴｉＯ３薄膜。Ｘ射线衍射结果显示,在热处理温度为７５０￣９００℃范围内,随温度升高,薄膜由多晶转变为定向结晶。Ｘ射线光电子能谱分析发现,薄膜表面存在ＳｉＯ２薄层,其厚度大约为０．６ｎｍ,该薄层是在制膜过程中衬底Ｓｉ通过ＰｂＴｉＯ３薄膜扩散到表面与大气中的Ｏ２反应而形成的。在７５０℃热处理的薄膜,膜层中不含ＳｉＯ２,但温度升高,膜层中存在ＳｉＯ２成分     

溅射PZT薄膜的晶体结构和快速热处理

采用常温射频（ＲＦ）溅射法和快速热处理相结合的技术，在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上，制备出具有铁电性的ＰＺＴ薄膜。研究了快速热处理工艺条件对ＰＺＴ薄膜性能的影响。通过Ｚ射线衍射法、ＳＥＭ和ＡＥＳ等方法，分析了ＰＺＴ薄膜的晶体结构、微结构、薄膜和电极间的界面效应。     

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

采用射频磁控溅射工艺,在（１１１）Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用ＰＺＴ（５３／４７）陶瓷靶制备铁电薄膜。用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行ＲＴＡ处理。     

脉冲激光淀积法在Pt/TiO_2/SiO_2/Si(001)衬底上制备Pb(Ta_(0.05)Zr_(0.45)Ti_(0.50))O_3薄膜的铁电性质研究

用脉冲激光淀积方法在Ｐｔ／ＴｉＯ２／ ＳｉＯ２／ Ｓｉ（００１） 衬底上制备了掺Ｔａ 的ＰＺＴ 薄膜。此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Ｓｃｈｏｔｔｋｙ 场发射机制起主要作用。扫描电镜形貌照片表明ＰＺＴ 薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散。     

溶胶—凝胶法制备WO3—SiO2材料的氨敏特性研究

采用溶胶－凝胶法制备了ＷＯ３＋ｘｗｔ％ＳｉＯ２（ｘ＝０，５，１０，２０）粉体材料。对其结构、形貌进行了ＸＲＤ、ＡＦＭ、ＸＰＳ和比表面积测量、分析，结果表明：获得了单斜晶系结构的ＷＯ３多晶材料；晶粒尺寸随ＳｉＯ２含量的增加而减小。测量了材料的ＮＨ３气敏特性，得到敏感元件的电阻和灵敏度随ＳｉＯ２含量的增加而增加；溶胶－凝胶法制备的ＷＯ３＋５ｗｔ％ＳｉＯ２粉料用于ＮＨ３测量具有优良的特性，在３５０℃及以上应用优于纯ＷＯ３材料。     

以聚合物凝胶为电解质的多层全固态电变色器件的研究

本文在掺ＬｉＣｌＯ４与碳酸丙烯酯的聚乙二醇固体电解质离子电导特性与ＷＯ３、ＮｉＯ薄膜离子插入性能研究了基础上，设计并制备了互补型ＷＯ３／ＮｉＯ全固态电变色器件。同时研究了该器件变色过程的循环伏安特性与不同状态的可见、近红外透过特性。结果表明，互补型的ＷＯ３／ＰＥＧ－ＬｉＣｌＯ４－ＰＣ／ＮｉＯ器件在可见与近红外均具有良好的电变色特性，其漂白态在波长６００ｎｍ的透过率为７０％，着色态为２０％。     

Si基Si3N4/SiO2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性

非晶态二氧化硅（ＳｉＯ２）具有优良的驻极体性质,可制成微型化、集民经和机敏化的高灵敏度的传感器。但是,热氧化ＳｉＯ２驻极体膜的高压应力引起微结构变形,对薄膜储电特性形成复杂的影响。利用氮化硅薄膜的高张应力研究成氮化硅／二氧化硅Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２）双层膜,可使其内应力相互补偿。本文讨论了双怪膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性。实验结果表明,Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２双层膜系统的电荷寿命比ＳｉＯ２驻极     

脉冲激光淀积法在Pt／TiO2／SiO2／Si（001）衬底上制备Pb（Ta0.05Zr0.45T …

用脉冲激光淀积方法在Ｐｔ／ＴｉＯ２／ＳｉＯ２／Ｓｉ（００１）衬底上制备了掺Ｔａ的ＰＺＴ薄膜,此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Ｓｃｈｏｔｔｋｙ场发射机制起主要作用。扫描电镜形貌照射表明ＰＺＴ薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散。     

微量Si在W－7Ni－3Fe重合金中的行为

研究了掺到原料Ｗ粉中微量Ｓｉ（４００ｐｐｍ）在Ｗ－７Ｎｉ－３Ｆｅ重合金中的分布及在液相烧结过程中的行为．结果表明，Ｓｉ主要以固溶形式分布在Ｗ晶粒中．Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析发现，在掺杂Ｓｉ的Ｗ－Ｗ及Ｗ－基体相界面富集ＳｉＯ２和Ｎａ２ＳｉＯ３在未掺杂试样的断口表面发现了较弱的ＷＯ２的ＸＰＳ谱，而在掺杂合金中未发现ＷＯ２．