常压MOCVD制备MgO薄膜的研究

本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰ－ＭＯＣＶＤ）在Ｓｉ（１００），ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上外延高质量的ＭｇＯ薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和ＭｇＯ薄膜的潮解特性。高纯ｍａｇｎｅｓｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ［ｂｉｓ（２，４－ｐｅｎｔａｎｅｔａｎｅ－ｄｉｏｎｏ）ｍａｇｎｅｓｉｕｍ］［Ｍｇ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２］作为金属有机源，扫描电镜（ＳＥＭ），透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ－ＲＡＹ衍射实验显示，在较低的衬底温度（～４８０℃）下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀，致密，结晶性和取向性很好，衬底温度（Ｔｓ）在４００℃到６８０℃之间，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜都具有［１００］取向，在Ｓｉ（１００）、ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜也都具有［１００］取向。     

Cr／SiO2界面还原反应研究

利用俄歇电子能谱研究了Ｃｒ／ＳｉＯ２薄膜在热处理过程中的界面扩散反应机理、界面反应动力学过程及界面反庆产物。研究结果表明，Ｃｒ／ＳｉＯ２体系的界面还原反应主要是Ｃｒ与Ｓｉ２的反应，其还原反应产物是ＣｒＳｉ和Ｃｒ２Ｏ２物种。界面还原反 速度与反应时间的平方根成正比，其界面还原反应过程受Ｃｒ向Ｓｉ２层的扩散过程所控制，界面还原反应的表观活化能力为７２．５ｋＪ／ｍｏｌ（约０．７５ｅＶ）。     

CdS在多层薄膜电致发光器件中的新应用

将ＣｄＳ蒸镀于电致发光器件中，测量这些器件的电学和光学特性，发现ＣｄＳ层可以提供较多的电子，但是，样品ＩＴＯ／ＳｉＯ／ＳｉＯ２／ＺｎＳＸ／ＣｄＳ／ＳｉＯ２／ＳｉＯ／Ａｌ（Ｘ＝Ｍｎ＾２＋，Ｓｍ＾３＋的亮度明显低于不仿ＣｄＳ的样品，说明这些电子在向Ｚｎｓ层输运的过程中能量有所降低，在样品ＩＴＯ／ＳｉＯ／ＳｉＯ２／ＺｎＳＸ／ＳｉＯ２／ＣｄＳ／Ａｌ中，ＣｄＳ产生的电子经过ＳｉＯ加速而获得了较高的能量，提高     

超高真空CVD生长的Si1—xGex合金组分变化与表面偏析现象

系统分析了利用超高真空ＣＶＤ技术在Ｓｉ衬底上外延Ｓｉ－ｘＧｅｘ合金的体内组分分布情况和Ｇｅ的表面偏析现象。用ＳＩＭＳ对Ｓｉ和Ｇｅ的组分作了深度剖析。在生长过程中,组分均匀,在表面Ｇｅ浓度减小,Ｓｉ浓度没有明显变化。在不经ＨＦ酸清洗和在ＨＦ酸中去掉表面自然氧化层的两种情况下,用ＸＰＳ分别对外延层表面进行了定量分析,得到Ｇｅ的表面偏析与表面自然氧化相关的结论。     

重力分离SHS法制备陶瓷内衬复合钢管耐蚀性的研究

基于重力分离ＳＨＳ法制备了陶瓷内衬复合钢管，分析了内衬陶瓷层的组织结构及添加剂ＳｉＯ２和ＣｒＯ３对复合钢管耐蚀性的影响。研究发现，内衬陶瓷层主要由构成枝晶的α－Ａｌ２Ｏ３基体相和分布于其间的ＦｅＯ·Ａｌ２Ｏ３尖晶石相所组成，ＳｉＯ２主要以石英相结构存在于枝晶晶界中。在Ｆｅ２Ｏ３＋Ａｌ＋ＳｉＯ２体系中，陶瓷层的腐蚀主要为晶间腐蚀，并在ＳｉＯ２添加量为４％ｗｔ时，复合钢管的腐蚀失重率出现极大值（约为１     

PZT／Si界面氧化反应机理及动力学研究

运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了ＰＺＴ／Ｓｉ界面氧化反应的机理和动力学过程，研究结果表明，在ＰＴ／Ｓｉ样品的热处理过程中，环境气氛中的氧可以透过ＰＺＴ薄膜层扩散到ＰＴ／Ｓｉ界面，并与硅基底反庆形成ＳｉＯ２界面层，界面氧化反应由氧在ＰＴ层和ＳｉＯ２层中的扩散过程所控制。     

高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法，以Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４为源在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备出高取向锐钛矿ＴｉＯ２薄膜。用Ｘ射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律，采用ＸＰＳ和ＳＥＭ分别研究了薄膜的组成和形貌，结果表明，当沉积温度为５００＾０Ｃ和６００＾０Ｃ时，薄膜为锐钛矿结构，３００＾０Ｃ和４００＾０Ｃ地，薄膜以无定形结构为主，薄膜的组成为ＴｉＯ２，衬底影响薄膜的相组成，不同沉积温度     

STUDY FOR MECHANICAL ALLOYING OF Fe─M BY MOSSBAUER SPECTROSCOPY

将Ｆｅ－Ｍ（Ｍ＝Ｃ５ＳｉＯ２Ａｌ２Ｏ３）混合物在Ａｒ中高能球磨５６ｇ后测量Ｍｏｓｂａｕｅｒ谱，结果表明，（Ｆｅ）２－（ＳｉＯ２）１仍为Ｆｅ和ＳｉＯ２的机械混合物：（Ｆｅ）６－（Ｃ）３已完全合金化，生成两种Ｆｅ３Ｃ；（Ｆｅ）２－（Ａｌ２Ｏ３）１则成为Ｆｅ（７３％），尖晶石型的ＦｅＡｌ２Ｏ４）２２％），ｑｑｎｔＦｅ的团聚族（５％）和Ａｌ２Ｏ３的混合物。     

铝热离心法制备莫来石陶瓷内衬钢管

用Ｆｅ２Ｏ３－Ａｌ＋ＣｕＯ－Ａｌ＋ＳｉＯ２系铝热离心法制备了陶瓷内衬钢管，复合钢管的陶瓷层具有高致密度     

硅基GaN外延层的SIMS及XPS研究

采用真空反应法在硅基上制备出ＧａＮ外延层。利用二次离子质谱和Ｘ射线光电子能谱对ＧａＮ外延层进行了深度剖析和表面分析,结果表明,外延层中Ｇａ和Ｎ分布均匀;在表面处Ｇａ发生了偏聚,外延层中还存在Ｓｉ,Ｏ等杂质,但这些并未影响到ＧａＮ外延层的物相及发生性能,实验还表明,在外延生长前采用原位清洗可去除Ｓｉ衬底表面的氧。     

Si片上PbTiO3薄膜的XPS研究

用溶胶－凝胶方法在Ｓｉ上成功地制备了钙钛矿型的ＰｂＴｉＯ３薄膜。Ｘ射线衍射结果显示,在热处理温度为７５０￣９００℃范围内,随温度升高,薄膜由多晶转变为定向结晶。Ｘ射线光电子能谱分析发现,薄膜表面存在ＳｉＯ２薄层,其厚度大约为０．６ｎｍ,该薄层是在制膜过程中衬底Ｓｉ通过ＰｂＴｉＯ３薄膜扩散到表面与大气中的Ｏ２反应而形成的。在７５０℃热处理的薄膜,膜层中不含ＳｉＯ２,但温度升高,膜层中存在ＳｉＯ２成分     

Ni42Cr6Fe封接合金氧化膜和氧化物晶须的结构

用ＴＥＭ、Ｘ－Ｒａｙ、ＳＥＭ等技术研究了Ｎｉ４２Ｃｒ６Ｆｅ玻封合金在高温湿Ｈ２中形成的氧化膜及氧化物晶须的结构。结果表明：氧化膜主要由Ｃｒ２Ｏ３和（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４两组相成，氧化膜底层是以Ｃｒ２Ｏ３为主的组织，氧化膜表层是以（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４为主的组织；Ｓｉ在氧化膜与合金界面分布，Ａｌ则在内氧化层中形成内氧化物质点；氧化膜表面生长的氧化物晶须的杆部为（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４单晶，头部为     

MOCVD法制备复合氧化物功能薄膜及其表征

以金属β－二酮螯合物为原物质,采用新颖的一单一固态混合源ＭＯＣＶＤ技术,较低温度下在不同衬底上成功地制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＣｅＯ２（ＣＹＯ）薄膜和Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｒＣｅＯ３（ＳＣＹ－Ｏ）为主相的薄膜。ＣＹＯ薄膜为萤石结构的多晶体,厚度约为２μｍ。     

锗硅碳合金中碳的应变缓解效应研究

ＳｉＧｅＣ三元合金成为近年来人们研究的热点之一。处于替代位置的碳可以缓解ＳｉＧｅ合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性。本文利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术生长了掺碳达２．２％的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究。     

复合型Si光电发射材料

采用碱锑化合物的镀制与铯氧激活可制备复合型Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ＿２Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ＿３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｃｓ＿３Ｓｂ－·Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ＿２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，其最高灵敏度分别可达９５０，１０５０，１５０和２０００μＡ／１ｍ，其最低逸出功分别已达１．０，０．９，０．８５和０．９ｅＶ。比较了复合型Ｓｉ光电发射材料与Ｓｉ和Ｎａ＿２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的一些性能参数，提出了复合型Ｓｉ光电材料的表面原子模型；讨论了复合型Ｓ光电材料的光电发射过程并分析了碱锑过渡层的作用。     

Si3N4陶瓷材料高温氧化层的分析

利用ＸＲＤ，ＥＰＭＡ，ＸＰＳ和ＳＥＭ的分析方法，研究了在１３００℃下氧化后Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料表面氧化层的组成的形貌，结果表明，Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料的表面氧化层是由方石英相和含有Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯ等杂质的ＳｉＯ２质玻璃相所组成，其中ＳｉＯ２玻璃相听Ａｌ２Ｏ３，ＣａＯ等杂质的含量随氧化时间的增加而逐渐增加，同时在氧化层的内部都还存在部分Ｓｉ２Ｎ２Ｏ相。     

GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制

利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。     

SiC纤维补强微晶玻璃基复合材料的界面结合

本文通过ＳｉＣ纤维对ＬＣＡＳ（Ｌｉ２Ｏ－ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２）和ＭＡＳ（ＭｇＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２）微晶玻璃的补强，观察和分析了在不同复合系统中纤维与基体的界面结合。在ＳｉＣ纤维／ＬＣＡＳ微晶玻璃复合系统中，发现纤维与基体之间有一中间界面层，它主要是在复合材料的烧结过程中通过扩散形成，并且于１２００℃时在界面上形成富Ｃ层。ＳｉＣ纤维／ＭＡＳ微晶玻璃基复合材料由于在烧结过程中有化学反应发生     

AlN陶瓷衬底的SIMS和XRD测量

ＡｌＮ陶恣成分怀发对于ＡｌＮ的性能具有决定性作用，用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和Ｘ射线衍（ＸＲＤ）对清华大学材料系电子封装用的ＡｌＮ陶瓷进行了研究。ＳＩＭＳ谱表明ＡｌＮ衬底中除Ａｌ，Ｎ以我有Ｃ，Ｏ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｙ等元素，其中有些是表面污染。衬底的ＳＩＭＳ深度分析表明样品Ｏ，Ｃａ，Ｙ信号都很强，且分布均匀，说明样口 含有Ｙ２Ｏ３，ＣａＯ添加剂，ＡｌＮ样品的ＸＲＤ谱与ＡｌＮ的ＪＣＰＤＳ卡片对照，在测量范     

二甲基硒的合成及应用

以碘甲烷和硒粉为原料，在甲醛合次硫酸氢钠作用下合成了二甲基硒，产率９５％。红外光谱，色谱－质谱联用分析表明，二甲基硒纯净，不含其它有机杂质。由此法制备的二甲基硒被用于ＭＯＣＶＤ工艺中，在ＧａＡｓ衬底上成功地生长了ＺｎＳｅ薄膜，光致发光光谱表明外延层中无明显的金属杂质。说明二甲基硒可用于Ｈ２Ｓｅ的替代源。