退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究

本文用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，利用Ｘ射线光电子能谱研究了不同处理条件对ＣｅＯ２－ｘ薄膜电子组态的影响，特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ｃｅ３ｄＸＰＳ谱的高斯拟合，计算了Ｃｅ＾３＋浓度并给出了判定Ｃｅ＾４＋还原的标志。研究结果表明，在空气中经１１７３Ｋ高温退火后可得到结晶完好的多晶ＣｅＯ２薄膜，而薄膜的化学价态没有变化，退火前后薄膜表面总有少量Ｃｅ＾３＋存在（１５％）     

应用量子化学研究Ca2Fe2—xAl2O5的水化活性

用量子化学ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法分析了Ｃａ２Ｆｅ２－ｘＡｌｘＯ５体系听ａ２Ｆｅ２Ｏ５，Ｃａ２Ｆ３１．４３Ａｌ０．５７Ｏ５和Ｃａ２Ｆ３１．２８Ａｌ０．７２Ｏ５，认为它们的水化活性随Ａｌ的增加而提高的原因是：（１）Ａｌ的净电荷比Ｆｅ高，易吸收水分子的弧对电子；（２）Ａｌ－Ｏ键比Ｆｅ－Ｏ键弱，易断裂而容易与水反应。     

磁性多层膜的Ф射线光电子能谱研究

用射频／直流磁控溅射法制备了ＮｉＯｘ／Ｎｉ８１Ｆｅ１９和Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱研究了ＮｉＯｘ对Ｎｉ８１Ｆｅ１９耦合交换场Ｈｅｘ与ＮｉＯｘ化学状态的关系以及Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜中ＡｌＯｘ对Ｃｏ膜的覆盖状况。结果表明：Ｈｅｘ的大小只与＋２价镍有关,单质镍和＋３价镍对Ｈｅｘ没有什么作用;在Ｃｏ／ＡｌＯｘ／Ｃｏ磁性薄膜中,Ａｌ层将Ｃｏ膜完全覆盖所需的要最小厚度为２．０ｎ     

掺锡对α—Fe2O3薄膜微结构和气敏特性的影响研究

本文用常压化学气相淀积法（ＡＰＣＶＤ）制备了α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和表面形貌（ＳＥＭ）分析。对薄膜的气敏特性进行了测量。结果表明，用ＡＰＣＶＤ工艺制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜对烟者极为敏感并且具有良好的选择性；本研究还对所制备的α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜进行了有效的掺杂，对掺杂样品的气敏特性测试表明四价金属元素Ｓｎ的掺入对α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性有显著的影响。实验表明用ＡＰ     

陶瓷衬底上淀积薄膜α－Fe_2O_3材料的微结构和气敏特性研究

本文用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超微粒结构的α－Ｆｅ_２Ｏ_３气敏薄膜．对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和扫描电子显微分析（ＳＥＭ）．研究了淀积工艺条件对α－Ｆｅ_２Ｏ_３薄膜的粒度的影响．气敏特性研究表明，用ＡＰＣＶＤＩ艺制备的超微粒α－Ｆｅ_２Ｏ_３薄膜对烟雾呈现出很高的灵敏度和良好的选择性，这种薄膜可用于感烟探测器．     

CeO2薄膜的制备和表征

探讨了用硝酸亚铈通过溶胶－凝胶法制备ＣｅＯ２薄膜的制备工艺。用Ｘ射线和扫描电子显微镜分析了薄膜的显微形貌及其晶体结构，借助Ｘ射线光电子能谱研究了薄膜表面元素Ｃｅ的化学态。结果表明，用该方法可获得质量良好的ＣｅＯ２薄膜。     

一种制备r—Fe2O3薄膜的新方法

采用一种简单的新工艺分别在硅片和氧化铝陶瓷基片上制备了ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜。该工艺分３步完成：首先利用Ｆｅ（ＮＯ２）３酒精溶液通过浸渍涂布工艺制备ａ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜，其次ａ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜在氢气流中、３２０￣３５０℃之间热处理３０ｍｉｎ被还原为Ｆｅ３Ｏ４薄膜，最后Ｆｅ３Ｏ４薄膜在空气中２５０℃左右热处理３０ｍｉｎ被氧化为ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜。ＸＲＤ和ＳＥＭ分析结果表明该ｒ－Ｆｅ２Ｏ３薄膜呈尖晶石物相和     

陶瓷衬底上淀积薄膜α—Fe2O3材料的微结构的气敏特性研究

本文用常压化学气相沉积（ＡＰＣＶＤ）工艺在陶瓷衬底上成功地制备出了具有超粒结构的α－Ｆｅ３Ｏ３气敏薄膜，对所制备的薄膜进行了Ｘ射线衍射分析和扫描电子显微分析（ＳＥＭ），研究了淀积工艺条件对α－Ｆ３２Ｏ３薄膜的粒度的影响，气敏特性研究表明，用ＡＰＣＶＤ工艺轩的超微粒α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜对烟雾呈现出很高的灵敏度和良好的选择性。这种薄膜可用于感烟探测器。     

应用量子化学研究Ca_2Fe_（2-x）Al_xO_5的水化活性

用量子化学ＳＣＣ—ＤＶ—Ｘａ方法分析了Ｃａ_２Ｆｅ_（２-ｘ）ＡｌｘＯ_５体系中的Ｃａ_２Ｆｅ_２Ｏ_５（即Ｃ_２Ｆ），Ｃａ_２Ｆｅ_（１．４３）Ａｌ_（０．５７）Ｏ_５和Ｃａ_２Ｆｅ_（１．２８）Ａｌ_（０．７２）Ｏ５．认为它们的水化活性随Ａｌ的增加而提高的原因是：（１）Ａｌ的净电荷比Ｆｅ高，易吸收水分子的孤对电子；（２）Ａｌ-Ｏ键比Ｆｅ-Ｏ键弱，易断裂而容易与水反应．     

Al-TiO2-C-Ti-Fe体系反应过程研究

采用ＤＳＣ和ＸＲＤ对不同Ｆｅ含量Ａｌ－ＴｉＯ２－Ｃ－Ｔｉ－Ｆｅ体系的燃烧反应过程进行了研究。结果表明,Ａｌ－ＴｉＯ２－Ｃ－Ｔｉ－Ｆｅ体系的反应是分步进行的。在高温区以金属间化合物的分解及Ｔｉ、Ｃ反应为主;在低温区则随着Ｆｅ含量的不同存在不同的反应：Ａｌ－ＴｉＯ２－Ｃ－Ｔｉ以Ａｌ、Ｔｉ的反应为主,Ａｌ－ＴｉＯ２－Ｃ－Ｔｉ－２０ｗｔ％Ｆｅ以Ａｌ、Ｔｉ及Ａｌ、Ｆｅ反应为主,同时还存在Ａｌ、ＴｉＯ２及Ｆｅ、Ｔｉ反应,而Ａｌ－ＴｉＯ２－Ｃ－Ｔｉ－５０ｗｔ％Ｆｅ则以Ｆｅ、Ａｌ和Ｆｅ、Ｔｉ反应为主。     

一种制备γ－Fe_2O_3薄膜的新方法

采用一种简单的新工艺分别在硅片和氧化铝陶瓷基片上制备了γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜。该工艺分３步完成：首先利用Ｆｅ（ＮＯ＿３）＿３酒精溶液通过浸渍涂布工艺制备α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜，其次α－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜在氢气流中、３２０～３５０℃之间热处理３０ｍｉｎ被还原为Ｆｅ＿３Ｏ＿４薄膜，最后Ｆｅ＿３Ｏ＿４薄膜在空气中２５０℃左右热处理３０ｍｉｎ被氧化为γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜。ＸＲＤ和ＳＥＭ分析结果表明该γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３薄膜呈尖晶石物相和自由取向，晶粒为针形，具有疏松多孔的微结构。     

Ag—MgF2金属陶瓷薄膜氧化的XPS研究

报道了对Ａｇ－ＭｇＦ２金属陶瓷薄膜在具空中退火时氧化现象的ＸＰＳ分析结果。在低真空中（ｐ〈３０ｐａ）,当退火温度为８００℃时,ＭｇＩｓ光电子结合能为１３０５．４０ｅＶ,属于ＭｇＦ２结构,当退火温度达到１１００℃时,Ｍｇ１ｓ光电子结合能国１３０３．７５ｅＶ,属于ＭｇＯ结构。从Ａｇ－ＭｇＦ２体系转变为Ａｇ－ＭｇＯ体系Ｍｇ１ｓ光电子结合能向低能一侧位移了１．６５ｅＶ。     

自蔓延高温合成TiC—Al2O3—Fe系金属陶瓷的致密化研究

采用ＳＨＳ／ＰＨＩＰ工艺制备了致密的ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ系金属陶瓷，研究了延迟时间，高压特续时间，压力及Ｆｅ含量对合成ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ金属陶瓷实度的影响，结果表明，采用ＳＨＳ／ＰＨＩＰ技术制备了ＴｉＣ－Ａｌ２Ｏ３－Ｆｅ系金属陶瓷时，合成产物中气体的排放，液相的存在及组成相之间的润湿性是制备密实材料的关键。     

毫米波用六角铁氧体多晶材料

用普通陶瓷工艺制备了ＢａＡｌｘＦｅ１２－ｘＯ１９六角铁氧体多晶材料,随着Ｘ的增加,饱和磁化强度减小,居里温度下降,磁晶各向异性场增加。其结果可以通过假设Ａｌ＾３＋取代了２ａ位和１２Ｋ点阵位上的Ｆｅ＾３＋来解释。     

浸渍涂布法制备（CaxLa_l－x）FeO_3薄膜及其气敏效应的研究

利用含有Ｃａ，Ｌａ和Ｆｅ成分的水溶胶（摩尔比为Ｃａ：Ｌａ：Ｆｅ＝０．２５：０．７５：ｌ），经浸渍──提拉──干燥──焙烧过程分别在玻璃衬底及Ａｌ＿２Ｏ＿３基片上制备了薄膜。通过ＸＲＤ和ＸＰＳ分析表明玻璃衬底上的薄膜是成分准确的钙钛矿结构的（Ｃａ＿０．２５Ｌａ＿０．７５）ＦｅＯ＿３薄膜，而Ａｌ＿２Ｏ＿３基片上的薄膜是成分不确切且呈混合相的薄膜；借助ＳＥＭ观察了薄膜的表面微结构；测试Ａｌ２０３基片上的薄膜对酒精的气敏效应，发现在较低的工作温度下，薄膜对低浓度的酒精蒸气有高的灵敏度。     

PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和八氟环丁烷（Ｃ４Ｆ８）为原料,采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜（ＳｉＣＯＦ）．样品的Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析表明薄膜中含有Ｓｉ－Ｆ、Ｓｉ－Ｏ、Ｃ－Ｆ、Ｃ－ＣＦ_ｘ、ＣＦ₂等构型．刚淀积的薄膜的折射率约为１．４０．对暴露在空气中以及在不同温度下退火后薄膜的折射率做了测量,并对其变化机理进行了讨论,同时表明了理想的淀积温度应是３００℃．     

铝热离心法制备莫来石陶瓷内衬钢管

用Ｆｅ２Ｏ３－Ａｌ＋ＣｕＯ－Ａｌ＋ＳｉＯ２系铝热离心法制备了陶瓷内衬钢管，复合钢管的陶瓷层具有高致密度     

颗粒增强Fe3Al基复合材料的制备和性能

用熔铸法制备了ＳｉＣ,Ａｌ２Ｏ３和ＴｉＢ２颗粒增强Ｆｅ－２８Ａｌ－５Ｃｒ基复合材料,研究了材料的微观组织和力学性能,结果表明,Ａａ２Ｏ３在Ｆｅ３Ａｌ中的化学稳定性很好,ＴｉＢ２与基体发生了部分反应,ＳｉＣ与基体的反应严重,复合材料在室温和高温下的力学性能的变化说明,上述颗粒的加入使材料的强度较大幅度的提高,塑性有所下降。     

STUDY FOR MECHANICAL ALLOYING OF Fe─M BY MOSSBAUER SPECTROSCOPY

将Ｆｅ－Ｍ（Ｍ＝Ｃ５ＳｉＯ２Ａｌ２Ｏ３）混合物在Ａｒ中高能球磨５６ｇ后测量Ｍｏｓｂａｕｅｒ谱，结果表明，（Ｆｅ）２－（ＳｉＯ２）１仍为Ｆｅ和ＳｉＯ２的机械混合物：（Ｆｅ）６－（Ｃ）３已完全合金化，生成两种Ｆｅ３Ｃ；（Ｆｅ）２－（Ａｌ２Ｏ３）１则成为Ｆｅ（７３％），尖晶石型的ＦｅＡｌ２Ｏ４）２２％），ｑｑｎｔＦｅ的团聚族（５％）和Ａｌ２Ｏ３的混合物。