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本实验用对向靶溅射仪分别在Si(100),NaCl单晶衬底上成功地制备出具有高炮和磁化强度的(Fe,Ti)-N薄膜,研究了氮气分压和衬底温度对薄膜结构与磁性的影响。氮气分压为0.04~0.07Pa,衬底温度为100~150℃时,有利于Fe_(16)N_2相的形成,在此条件下制备的(Fe,Ti)-N薄膜的饱和磁化强度为2.3~2.46T,超过纯Fe的饱和磁化强度值。 相似文献
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本实验用对向靶溅射仪分别在S(100),NaCl单晶衬底上成功地制备出具有高饱和磁化强度的(Fe,Ti)-N薄膜,研究了氮气分压和衬底温度对薄膜结构与磁性的影响.氮气分压为0.04~0.07 Pa,衬底温度为100~150℃时,有利于Fe16N2相的形成,在此条件下制备的(Fe,Ti)-N薄膜的饱和磁化强度为2.3~2.46T,超过纯Fe的饱和磁化强度值. 相似文献
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用磁控溅射技术制备了周期性良好的Fe-N/Ti-N纳米多层膜。Ti-N单的厚度固定为3nm,Fe-N单层的厚度在2.5-11nm之间变化,用振动样品磁强计研究了样品的磁性,用X射线衍射研究了样品的结构。发现在Fe-N层罗薄的样品中,饱和磁化强度明显提高,而矫顽力在所有样品中基本相同。 相似文献
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氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用对向靶溅射方法制行出氮化铁梯度薄膜。利用X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了深度剖面分析,铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。X射线衍射表明膜中含有α=Fe,-Fe16N2,ε-FexN(2〈x≤3)和δ-Fe2N各相。随着氮分压增加,膜中含氮量高的相比例亦增加,饱和磁通密度逐渐降低。 相似文献
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利用含有Ca,La和Fe成分的水溶胶(摩尔比为Ca:La:Fe=0.25:0.75:l),经浸渍──提拉──干燥──焙烧过程分别在玻璃衬底及Al_2O_3基片上制备了薄膜。通过XRD和XPS分析表明玻璃衬底上的薄膜是成分准确的钙钛矿结构的(Ca_0.25La_0.75)FeO_3薄膜,而Al_2O_3基片上的薄膜是成分不确切且呈混合相的薄膜;借助SEM观察了薄膜的表面微结构;测试Al203基片上的薄膜对酒精的气敏效应,发现在较低的工作温度下,薄膜对低浓度的酒精蒸气有高的灵敏度。 相似文献
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高取向锐钛矿TiO2薄膜的MOCVD法制备与表征 总被引:3,自引:0,他引:3
采用热壁低压MOCVD方法,以Ti(OC4H9)4为源在SiO2/Si衬底上制备出高取向锐钛矿TiO2薄膜。用X射线衍射技术研究了沉积温度和衬底对薄膜的结构和相组成的影响规律,采用XPS和SEM分别研究了薄膜的组成和形貌,结果表明,当沉积温度为500^0C和600^0C时,薄膜为锐钛矿结构,300^0C和400^0C地,薄膜以无定形结构为主,薄膜的组成为TiO2,衬底影响薄膜的相组成,不同沉积温度 相似文献
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TiO2薄膜的Sol—gel制备及结构分析 总被引:9,自引:2,他引:7
以正钛酸丁酯,无水乙醇和冰醋酸为原料,采用Sol-gel工艺匀胶技术在石英玻璃和单晶硅衬底上成功地制备了TiO2薄膜,薄膜表面均匀,致密,无裂纹。研究表明,随热处理温度的提高,薄膜经锐钛矿转变为金红石结构,其转变温度因衬底不同而异,但比凝胶粉末的转变温度高,金红石结构的TiO2薄膜具有一定的择优取向性,其晶粒大小为0.05~0.15μm。 相似文献
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用磁控溅射法制备了Fe-N薄膜和Fe-N/TiN多层膜。结果表明,在常温下,使用较小的氮、氩比溅射,生成的Fe-N薄膜主要是含氮α-Fe固溶体,并且N原子进入α-Fe晶格是饱和磁化强度提高的一个原因。Fe-N/TiN多层膜的层间耦合作用以及减小每-Fe-N层厚度而引起的晶粒尺寸的减小可以有效地降低薄膜的矫顽力,从而获得更好的软磁性能。 相似文献
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用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x〈0.2)薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在600℃下退火1小时的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,(100)择优取向明显,在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线。在x〈0.2(摩尔比)的范围内,PLT薄膜相对介电常数则随着La的增加而增加。 相似文献
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采用一种简单的新工艺分别在硅片和氧化铝陶瓷基片上制备了r-Fe2O3薄膜。该工艺分3步完成:首先利用Fe(NO2)3酒精溶液通过浸渍涂布工艺制备a-Fe2O3薄膜,其次a-Fe2O3薄膜在氢气流中、320 ̄350℃之间热处理30min被还原为Fe3O4薄膜,最后Fe3O4薄膜在空气中250℃左右热处理30min被氧化为r-Fe2O3薄膜。XRD和SEM分析结果表明该r-Fe2O3薄膜呈尖晶石物相和 相似文献
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常压MOCVD制备MgO薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)在Si(100),SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上外延高质量的MgO薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和MgO薄膜的潮解特性。高纯magnesiumacetylacetonate[bis(2,4-pentanetane-diono)magnesium][Mg(CH2COCH2COCH3)2]作为金属有机源,扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和X-RAY衍射实验显示,在较低的衬底温度(~480℃)下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀,致密,结晶性和取向性很好,衬底温度(Ts)在400℃到680℃之间,在Si(100)衬底上生长的MgO薄膜都具有[100]取向,在Si(100)、SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上生长的MgO薄膜也都具有[100]取向。 相似文献
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高饱和磁化强度FeCoN薄膜的制备 总被引:2,自引:0,他引:2
制备条件对FeCoN薄膜的结构与磁性有重要的影响。选择合适的基片温度和退火方式,可以用溅射方法制备出具有高饱和磁化强度的FeCoN薄膜。 相似文献
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利用对向靶溅射,同时对基片进行退火进行处理的方法,在玻璃基片上成功地制备出了NdFe7-xMox(x=0,0.5)薄膜,并对其进行了磁性研究,VSM测量结果表明,,Mo掺入导致了材料矫顽力HC的增大,却相应降低了饱和磁化强度Ms。随着退火温度T 提高,H随之增大,当T-573K时,出现一极大值为37.8lA/m,此时的热磁测量表明,样品具有最高居里温度,TC=775K。 相似文献
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