PECVD法生长的nc－Si：H膜电导率的研究

使用ＰＥＣＶＤ方法生长了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在７７Ｋ～４００Ｋ温度范围的电导率，并使用二相随机分布有效介质理论，计算了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中晶粒部分和晶界部分的电导率。对计算结果进行了理论分析，初步探讨了ｎｃ－Ｓｉ结构对其导电性能的影响，提出ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ的高电导率来源于膜中纳米晶粒的小尺寸效应。     

液晶光阀阻光层研究

本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随这沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结构液昌光阀可改进器件的许多性能。     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

非晶硅碳合金(a-SiCx:H)薄膜的进展

从制备方法,结构特征和光电性能等各方面介绍了氢化非晶硅碳合金（ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜这种重要的半导体材料,对其发展现状及前景进行了综述。并对近年来出现的纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜的发展状况作了专门评述。     

氮对纳米硅氮薄膜品化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜结果表明：当Ｎ＿２／ＳｉＨ＿４气体流量比（Ｘｎ）从１增加为４时，薄膜的晶态年从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｕｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２．当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜．当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０￣（－５）（Ωｃｍ）￣（－１）降至１０￣（－１１）（Ωｃｍ）￣（－１），具有逾渗行为，这与薄膜的晶态率紧密相关．     

氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析

用ＸｅＣｌ准分子激光器对氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜进行了诱导晶化处理。测定了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Ｂｒｕｇｇｅｍａｎ有效介质近似（Ｂ－ＥＭＡ）分析了结晶膜的微结构特性。研究表明：低能量密度辐照形成的结晶层需用含有ａ－Ｓｉ：Ｈ的ＥＭＡ混合物表征，说明其结晶度相对较低；而高能量密度辐照形成的结晶层，因基结晶度较高，可用不含ａ－Ｓｉ：Ｈ的ＥＭＡ混合物表征。在结晶膜与衬底之是形成了互混层，其     

氮对纳米硅氮薄膜晶化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ２Ｈ）薄膜，结果表明，当Ｎ２／ＳｉＨ４气体流量比（Ｘｎ）从Ｉ增加为４时，薄膜的晶态率从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｎｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２，当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉｕＮｘ２Ｈ）薄膜，当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０＾－５（Ωｃｍ）＾－１降至１０＾－     

非晶硅太阳电池和HLRB—TD6A非晶硅太阳电池镀膜机

文章简述了国内外非晶硅太阳电池的发展及通常用于沉积含氢非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄　　　　　　　　膜的　ＰＣＶＤ工作原理。详尽叙述了　ＨＬＲＢ－ＴＤ６Ａ非晶硅太阳电池镀膜机的结构和　　　　　　　　设计特点。该机设计合理，本底真空度高，电场、气流、温度分布均匀，无各室间不同　　　　　　反应气体的交叉污染，沉积的Ｐ、Ｉ、Ｎ型ａ－Ｓｉ：Ｈ材料性能极佳，是在聚酯膜、不锈　　　　　　　　钢带等柔性衬底上连续沉积ａ－Ｓｉ　：Ｈ太阳电池的理想设备。     

Fe—Mn—Si形状记忆合金中元素对材料耐蚀性的影响

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金中元素对材料耐腐蚀性能及形状记忆性能的影响。结果表明：在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中，随着Ｍｎ，Ｓｉ含量的增加，其耐腐蚀性能略有提高，但Ｍｎ含量过高会导致合金形状记忆性能下降。而在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中加入适量的Ｃｒ，可明显提高该合金的耐腐蚀性能，并使之具有良好的形状记忆性能。     

Fe－Mn－Si形状记忆合金中元素对材料耐蚀性的影响

研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ形状记忆合金中元素对材料耐腐蚀性能及形状记忆性能的影响。结果表明：在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中，随着Ｍｎ、Ｓｉ含量的增加，其耐腐蚀性能略有提高，但Ｍｎ含量过高会导致合金形状记忆性能下降。而在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ合金中加入适量的Ｃｒ，可明显提高该合金的耐腐蚀性能，并使之具有良好的形状记忆性能。     

Toda的纤维化与Selick的滤子化

目的是给出 Ｔｏｄａ Ｈ 的纤维化 Ｓ２ｎ－ １ → Ω Ｊｐ － １（ Ｓ２ｎ） Ｔ Ω Ｓ２ｐ－ １ 的又一新构造。文中说明映射 Ｔ 可以自然地由 Ｊａｍ ｅ Ｈｏｐｆ 的不变量 Ｈ ｐ ：Ω Ｓ２ｎ＋ １ →Ω Ｓ２ｎｐ＋ １ 直接导出。所提出的构造使得 Ｔ 成为一个 Ｈ 映射,由此得到 Ｓｅｌｉｃｋ 的滤子空间 Ｆ２ｋ （ｎ） 在奇素数ｐ 处具有指数ｐ ｎ＋ ｋ－ １ 。     

等离子体气相沉积非晶SiO2薄膜的特性研究

用傅立叶红外吸收光谱，电子自旋共振，表面台阶仪等研究了等离子体增强气相沉积法制备的非晶ＳｉＯ２薄膜的特性与膜厚的关系。当膜厚从０．１μｍ递增到１．１μｍ时，１０６０ｃｍ＾－１附近的Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩振协吸峰从１０５０ｃｍ＾－１漂移到１０７５ｃｍ＾－１，但是８００display status     

30CrMnSiA钢的恒温相变超塑性

本文研究了７１０－８４０℃之间的３０ＣｒＭｎＳｉＡ钢的恒温超塑性。重点测试了在共析转变点Ａｃｌ点附近的超塑性指标。研究结果表明，３０ＣｒＭｎＳｉＡ钢具有恒温相变超塑性特性，在Ａｃｌ点温度附近材料延伸率有明显增长，流动应力最低。当初始应变速率为４．２×１０＾－４ｓ＾－１时，经预先调质处理的３０ＣｒＭｎＳｉＡ钢最大延伸率为６０８％，最低流动应力为５５ＭＰａ，与７１０－７４０℃温度区间内的研究结果相比延     

常压MOCVD制备MgO薄膜的研究

本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰ－ＭＯＣＶＤ）在Ｓｉ（１００），ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上外延高质量的ＭｇＯ薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和ＭｇＯ薄膜的潮解特性。高纯ｍａｇｎｅｓｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ［ｂｉｓ（２，４－ｐｅｎｔａｎｅｔａｎｅ－ｄｉｏｎｏ）ｍａｇｎｅｓｉｕｍ］［Ｍｇ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２］作为金属有机源，扫描电镜（ＳＥＭ），透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ－ＲＡＹ衍射实验显示，在较低的衬底温度（～４８０℃）下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀，致密，结晶性和取向性很好，衬底温度（Ｔｓ）在４００℃到６８０℃之间，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜都具有［１００］取向，在Ｓｉ（１００）、ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜也都具有［１００］取向。     

含氮聚硅氧烷配位体及其Cu^2＋络合物的介电性能

研究了ｎ－β（氨乙基）－γ（氨丙基）三乙氧基硅烷（ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３）与二甲基二乙氧基硅烷（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＥｔ）２）共水解，制备含（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２功能基的聚硅氧烷配位体，用ＩＲ，＾１ＨＮＭＲ和元素分析法对水解产物分析证明，ＮＨ２（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３与（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＥｔ）２进行了共水解反应，而且水解程度随ＮＨ２（ＣＨ     

Ni42Cr6Fe封接合金氧化膜和氧化物晶须的结构

用ＴＥＭ、Ｘ－Ｒａｙ、ＳＥＭ等技术研究了Ｎｉ４２Ｃｒ６Ｆｅ玻封合金在高温湿Ｈ２中形成的氧化膜及氧化物晶须的结构。结果表明：氧化膜主要由Ｃｒ２Ｏ３和（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４两组相成，氧化膜底层是以Ｃｒ２Ｏ３为主的组织，氧化膜表层是以（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４为主的组织；Ｓｉ在氧化膜与合金界面分布，Ａｌ则在内氧化层中形成内氧化物质点；氧化膜表面生长的氧化物晶须的杆部为（Ｆｅ，Ｍｎ）Ｃｒ２Ｏ４单晶，头部为     

MSnO3和MSn0.5Zr0.5O3（M=Sr,Ba）的水热合成

本文利用水热合成方法对ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ０．５Ｚｒ０．５（Ｍ＝Ｓｒ，Ｂａ）的合成进行了研究，并采用ＸＲＤ、ＳＥ几ＩＣＰ等进行产物进行了表征，结果表明：在Ｍ（ＯＨ）２．ＳｎＯ２（呈ＳｎＯ２＋ＺｒＯ２）－ＫＯＨ体系中，当ＫＯＨ／Ｓｎ和ＫＯＨ（Ｓｎ＋Ｚｒ）≥３０时，２６０℃下晶化５－７天，可获得ＭＳｎＯ３和ＭＳｎ０．５Ｏ３纯相，在Ｍ（ＯＨ）３－（ＳｎＯ２＋ＺｒＯ３）－ＫＯＨ－Ｈ２Ｏ体系中，可通过控制介质     

溶胶—凝胶制备TiO2／SiO2复合薄膜的FT—IR表征

ＦＴ－ＩＲ吸收谱用来研究具有多孔结构的ＴｉＯ２／ＳｉＯ２复合薄膜；薄膜在１２００ｃｍ＾－１有一较强的肩峰，其强度与峰位随热处理温度度而生变化。在９５５ｃｍ＾－１的吸收峰是由于Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ和Ｓｉ－ＯＨ的结果，并随着热处理 度的提高其吸收峰完全是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ振动所引起的，其峰位随着ＴｉＯ２的增加，向低频区域移动。     

a－Si：H表面键合光敏染料及其光电导

本文报导了用低温等离子体法使ａ－Ｓｉ：Ｈ表面活化，经多步化学反应，将３种菁键合于其表面，并经激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱表征。测定了键合染料的ａ－Ｓｉ：Ｈ的吸收光谱和光电导。结果表明，光敏染料可使ａ－Ｓｉ：Ｈ敏化，改善其光吸收和光电导。     

a—Si：H表面键合光敏染料及其光电导

本文报导了用低温等离子体法使ａ－Ｓｉ：Ｈ表面活化，经多步化学反应，将３种菁键合于其表面，并经激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱表征。测定了键合染料的ａ－Ｓｉ：Ｈ的吸收光谱和光电导。结果表明，光敏染料可使ａ－Ｓｉ：Ｈ敏化，改善其光吸收和光电导。