砷化镓单片微波集成电路取得初步成果

<正>随着砷化镓材料工艺和肖特基势垒栅场效应管工艺的臻于成熟,近几年来国外对砷化镓单片微波集成电路的研究兴趣越来越大.由于采用集成电路工艺手段,能将包括有源器件和无源元件的微波部件或者分机同时成批地制作于尺寸不大的砷化镓芯片上,所以人们预计这种单片集成电路近期内在卫星电视广播家用接收机和相控阵雷达等领域内具有潜在的优越性.     

砷化镓微波单片集成电路的失效分析

通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。     

砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究

在对微波单片集成电路（MMIC）的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路（GaAsMMIC）的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT0在大量统计工艺数据和文献数据的基础上,获得了可靠性预计模型中的其它系数。     

砷化镓微波单片集成电路在移动通讯中的应用

随着移动通讯的不断发展,原来主要用于军事目的的砷化镓微波单片集成电路(MMIC)日益受到民用产业的重视。本文主要介绍砷化镓MMIC的基本原理和在移动通讯中的应用概况,并对它的发展前景作了预测。     

手机用砷化镓单片集成电路

南京电子器件研究所于 1 997～ 1 999年分别研制了用于手机射频电路的专用系列单片集成电路 ,包括双刀双掷开关、开关功放、低噪声放大器等。这些单片覆盖频率 90 0 MHz、1 80 0 MHz,可用于 90 0 MHz或 1 80 0 MHz手机 ,其中双频双刀双掷开关可用于双频手机。封面示出开关功放的芯片照片 ,封底示出塑封双刀双掷开关产品的照片。主要产品的典型指标为 :双刀双掷开关 (双频 ) :工作频率 /MHz:880～ 2 0 0 0插入损耗 /d B:0 .6 ( 1 0 0 0 MHz) /1 .1 ( 2 0 0 0 MHz)隔离度 /d B:>1 7.0 ( 1 0 0 0 MHz) /1 1 .0 ( 2 0 0 0 MHz)电压驻波…     

单片微波集成电路

发展概况 60年代初期,由于集成电路技术的蓬勃发展,并在低频电路中获得了很大的成功,人们开始希望能将在低频段获得成功的技术移植到微波频段中来。与此同时,由于相控阵雷达的出现,在微波频段内也正需     

美国德克萨斯仪器公司推出砷化镓单片微波集成电路样品

美国德克萨斯仪器公司开始销售砷化镓单片微波集成电路(MMIC)和砷化镓场效应管样品.另外也开始数字砷化镓集成电路等研究工作.在微波器件中,德克萨斯仪器公司的单片功率放大器,反馈放大器,低噪声场效应管,功率场效应管都列入了试验项目.1986年第三季度和第四季度开始出售低噪声放大器和VCOMMIC四种产品,1987年第二季度提出2     

砷化镓单片集成电路CAD设计中心

南京电子器件研究所砷化镓单片集成电路 CAD设计中心拥有 HP、SUN等工作站系统及微波电路设计软件 ,如 HP EEsof、CADENCE、COMPACT,及电磁场仿真工具 ,如 Ansoft、IE3D等 ,并拥有微波器件模型表征软件 IC- CAP及相应的全套微波在片测试系统。目前已承担和完成几十项国家重点课题 ,具有微波单片集成电路设计、器件模型提取及建库、版图设计、CAD软件开发等综合能力。砷化镓单片集成电路CAD设计中心     

GaAs单片微波集成电路的制作工艺

GaAs单片微波集成电路工艺属于分立GaAs MESFET工艺的进一步发展。描述了GaAs制作工艺,它为微波电路设计师提供了制作所有元件的能力,其中包括MESFET、电阻、电容、电感和完整的背面接地连接。以2～12GHz单片放大器为例说明了这些元件的集成。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

砷化镓PIN管单片限幅器

<正>在微波功率发射系统中,为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器(LNA)被发射的泄漏功率烧毁,需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态,在高功率的微波信号通过限幅器时,被衰减到较低的功率电平,而小功率微波信号则以较小的插损顺利通过。GaAsPIN二极管是实现单片限幅器的首选技术。GaAsPIN二极管在微波频段具有低的导通电阻,小的结电容,高击穿电压,易于集成等特点,因此采用GaAsPIN二极管的单片限幅器具有插损小、体积小、耐功率高等优点,受到广泛重视。南京电子器件研究所技术人员,基于现有的MOCVD材料生长技术和φ76mm砷化镓工艺线,成功开发了一套完整的砷化镓PIN管限幅器单片生产技术,其中包括GaAsPIN管的结构设计,GaAs限幅器的电路设计以及GaAs限幅器的工艺技术。已研制出的产品在各个频段带内具有低插损,承受功率大,泄漏电平低,无需外加偏置等优点。具体性能参数如表1所示。     

用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片

介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75mm GaAs MMIC工艺研制,芯片面积约为4mm2.结果表明,2.1GHz时此预失真单片电路可改善放大器的三阶互调分量9dB.     

用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片

介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75 m m Ga As MMIC工艺研制,芯片面积约为4 mm2 .结果表明,2 .1GHz时此预失真单片电路可改善放大器的三阶互调分量9d B     

毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片

采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.     

一种X波段GaAsMMIC五位数字衰减器

数字衰减器在现代通信系统和电子设备中有着广泛的应用.GaAs MMIC数字衰减器由于其体积小、重量轻、低功耗、可靠性高、一致性好、抗辐射性能好等显著特点而更受欢迎.南京电子器件研究所业已研制出一种X波段GaAs MMIC数字衰减器,并获得优异电性能.     

A hybrid wafer-dicing process for GaAs MMIC production

A dicing process for GaAs MMIC (monolithic microwave integrated circuit) wafers using spin-on wax for wafer mounting and a hybrid process of wet chemical etching/mechanical sawing for chip dicing is described. This process minimizes ragged chip edges and reduces generation of microcracks in addition to the elimination of the plated gold burrs on the backside of the diced MMIC chips. This process gives a uniformity of -3 μm across a 2-in wafer following the completion of the whole backside process. This GaAs chip dicing technique is amenable to production because it exhibits both a very high chip yield (>90%) and nearly flawless edges     

毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片

采用GaAs pin二极管,完成了15～40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15～20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作.     

GaAs MMIC CAD Design Center

Nanjing Electronic Devices Institute Ga As MMIC CAD Center has HP、 SUNworkstation systems with EDA softwares such as HP EEsof、CADENCE、COMPACT,andEM Simulators such as Ansoft、 IE3D. And it also has the Integrated DevicesCharacterization Analysis Program HP IC- CAP with a complete set of microwave on- wafettest system.With the capability of MMIC design,devices model extracting and librarybuilding,layout design and CAD software developing,the MMIC CAD Center hasun…