首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
研究了溶胶-凝胶工艺中溶胶陈化时间,热处理工艺条件和衬底材料对PLT10(Pb0.9La0.1Ti0.975O3的简称)薄膜显微结构的影响。结果表明,在(100)Si单晶基片上制备的PLT10薄膜为钙钛矿结构的多晶陶瓷膜;在(100)SrTiO3衬底上制备的PLT10薄膜为(001)择优取向的具有钙钛矿结构的单晶膜,(001)择优取向度高达0.95。溶胶陈化时间愈长,薄膜择优取向度愈高。热处理温度越高,PLT10薄膜钙钛矿结构发展越充分,薄膜晶粒尺寸越大。  相似文献   

2.
系统地研究了溶胶-凝胶技术制备Pb(1-x)LaxTi(1-x/4)O3的铁电陶瓷膜时催化剂、溶液浓度在室温下对形成溶胶和凝胶的影响规律;用约外光谱研究了成胶机理;用该技术成功地在(100)Si单晶衬底上制备出了均匀、无裂纹且具有钙铁矿结构的PLT晶态薄膜。  相似文献   

3.
用TiOSO4·nH2O为原料,制成TiOSO4-H2O-乙二醇系溶胶,然后浸涂制备TiO2薄膜.研究了此TiO2薄膜的形成过程、晶相组成和微观结构.600℃热处理得到的TiO2薄膜为锐钛矿相,底层小颗粒与玻璃基板具有良好的附着.  相似文献   

4.
PCVD-Ti(CNO)薄膜的性能及结构分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了Ti(CN)薄膜内氧的作用,研究结果表明,Ti(CN)薄膜内加入氧后可以消除薄膜的柱状晶结构,薄膜的断面呈致密的纤维状组织。随着反应气体中空气或CO2气体流量的增加,Ti(CNO)薄膜的硬度呈上升趋势,并在空气的流量为40mL·min-1或CO2的流量为15mL·min-1时(分别约占气体总量的15%和6%),薄膜的硬度达到最大值。  相似文献   

5.
本文利用红外分光光度仪,测定了GeO2-SiO2-TiO2-K2O系统在4000~250cm(-1)波数范围的反射比(R)。通过K-K关系式、数学处理和计算机运算、求出消光系数和红外折射率的方法,研究了本系统玻璃的反常色散规律。对结果进行了理论上的分析。发现本系统玻璃在1000~400cm(-1)波数区域内存在折射率(n)小子1的现象,可用于研制传输CO2激光(940cm(-1))的空芯光纤材料。  相似文献   

6.
对用于红外探测器和光声电子器件的PT薄膜的制备工艺及热处理过程进行了实验研究,对多离子束反应共溅射法制备薄膜,作了相应的x衍射、XPS能谱及EPMA分析。通过实验,成功地除去了薄膜中PbO和焦绿石杂质,并改善了PbTiO3(001)的择优取向程度,从而为制备衬底温度的优这提供了依据。  相似文献   

7.
以Pb(NO3)2 为铅源,采用浸渍沉淀法制备了PbSO4 改性活性炭材料(PbSO4/AC),并进行 了XRD,SEM,EDS表征.结果表明:活性炭表面均匀分布着50~100nm的PbSO4 晶粒,随着Pb (NO3)2 浓度的增加,PbSO4 晶粒的数量和尺寸也增加.采用稳态极化法研究了PbSO4/AC的析氢 行为,计算了相应的动力学参数.结果表明:与活性炭空白电极相比,在相同电流密度下,PbSO4/ AC电极的析氢过电位获得较明显提高.析氢速率随着Pb(NO3)2 浓度的增加而减小,当Pb (NO3)2 浓度大于0.5mol/L时,析氢速率变化不大.活性炭经PbSO4 改性后,析氢反应的塔菲尔 方程中a值的增加幅度达20%~30%,交换电流密度i0 降低1~2个数量级.  相似文献   

8.
ITO衬底上PZT膜的性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
用Sol- Gel 锆钛酸铅(PZT) 溶胶, 在CVD 法沉积生成的掺锡氧化铟(ITO) / 玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火(RTA) 处理后, 用X 射线衍射(XRD) 测试了膜的结晶取向, 用RT66A 测试了膜的电学性能。结果表明, Sol- Gel PZT膜在CVD 法生长的ITO 衬底上能正常结晶, 但结晶温度比在Pt 衬底上略高, 结晶取向以< 110 > 为主取向。ITO 衬底上厚度为0-64 μm 的PZT 膜的漏电约为5 ×10 - 7 A/m m2 , 比Pt 衬底上高不到一个数量级。8 V 时膜的有效介电常数Kef 约1 380 , 剩余极化强度Pr= 13 μC/cm2 , 与Pt 衬底上无明显差别。CVDITO/ 玻璃衬底可取代昂贵的Pt 衬底作铁电薄膜的性能研究。  相似文献   

9.
采用电热爆-加压法(ETE-P)和燃烧合成制粉+加压法(SHS+HP)制备了致密的Al2O3陶瓷.研究表明,SHSAl2O3-TiC陶瓷的力学性能和切削性能均优于采用传统热压方法所制备的Al2O3+TiC陶瓷刀具,并对SHSAl2O3+TiC的的显微结构及致密化机制作了研究.  相似文献   

10.
本文首次采用高温高压固相反应法合成了Sr1-XLaXTiO3(X=0.0,0.2)与Ba1-XLaXTiO3(X=0.0,0.2)样品,进行了X射线衍射谱XRD测试.研究了稀土掺杂下高温高压合成规律及其结构性质,从高温高压极端条件合成这一领域为高温超导的研究打下了实验基础.  相似文献   

11.
试验钢种在5%H2SO4水砂介质中作了腐蚀磨损试验,结果表明,新型铸造铬锰氮不锈钢较1Cr18Ni9Ti(18-8)及0Cr18Ni12Mo2Ti(Mo2Ti)钢具有更佳的抗腐蚀磨损性能。对腐蚀磨损过程中腐蚀与磨损的交互作用作了深入探讨,从而提出了腐蚀磨损条件下材料流失的判据。  相似文献   

12.
试验钢种在5%H2SO4水砂介质中作了腐蚀磨损试验,结果表明:新型铸造铬锰氮不锈钢较1Cr18Ni9Ti(18-8)及0Cr18Ni12Mo2Ti(Mo2Ti)钢具有更佳的抗腐蚀磨损性能.对腐蚀磨损过程中腐蚀与磨损的交互作用作了深入探讨,从而提出了腐蚀磨损条件下材料流失的判据.  相似文献   

13.
铸造铬锰氮不锈钢在5%H2SO4水砂介质中的腐蚀磨损行为丁晖余刚袁广银刘颂明兆祥试验钢种在5%H2SO4水砂介质中作了腐蚀磨损试验,结果表明:新型铸造铬锰氮不锈钢较1Cr18Ni9Ti(18-8)及0Cr18Ni12Mo2Ti(Mo2Ti)钢具有更佳...  相似文献   

14.
采用阳极氧化法在纯钛表面制备出了TiO纳米管阵列薄膜。以罗丹明B为目标降解物,20W紫外灯(λ=253.7nm)作为光源,探讨了制备Au-TiO 纳米管阵列(Au-TNTs)的最佳工艺,并采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、能谱分析(EDS)等对样品进行了表征。结果表明,以1g/LHAuCl+30g/LHBO为沉积液,当沉积电压为2.5V、超声条件下电沉积时间为60s时,可制得理想稳定的Au-TNTs;Au掺入量占薄膜质量的16.71%,Au的掺入并没有改变TiO 纳米管阵列的表面形貌及晶型,但却显著提高了TiO纳米管阵列的光催化活性。将Au-TNTs用于制糖废水的光催化降解,结果发现:当光照时间为30h、pH值为1时,Au-TNTs对制糖废水的光催化降解率可达89.59%,比TNTs高出80%。Au-TNTs对制糖废水的光催化降解过程符合一级动力学过程。  相似文献   

15.
为研制具有沟道衬底的单模激光器,讨论了H2SO4-H2O2-H2O对GaAs晶片的择优腐蚀。实验证明,使用H2SO4:H2O2:H2O=1:8:8腐蚀液,在GaAs(100)面上沿[011]和[011]方向开槽分别获得燕尾槽和V型槽衬底,满足了器件设计的要求。  相似文献   

16.
Pb^2+在HCl-KI-NH2OH.HCl-V底液中,于-0.3V(VS.SCE)处可产生一灵敏的催化极谱波,其阴导数峰电流与Pb^2+浓度在0.02μg=Ml-0.1μg/mL范围内呈良好的线性关系。  相似文献   

17.
选用BaO-Sro-TiO2-SiO2(BSTS)系统,制备了具有压电性能的微晶玻璃,研究了基础玻璃组成对显微结构和压电性能的影响,探讨了梯温场中非钛电极性晶体的定向析晶机理。与其它压电材料相比,BSTS压电微晶玻璃具有较高的压电优值因子,是一种较理想的水声换能材料,尤其适用于标准水听器。  相似文献   

18.
采用金相(OM)、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)等先进技术研究了快速凝固Al-4Ti-2V-3La合金,确定了基体中弥散分布的细小强化相为单一的Al20(Ti,V)2La相,结构为金刚石立方结构,晶格常数a=1.47nm。该性能接近当前较成熟的热强铝合金,说明快凝Al-Ti-La基合金作为热强铝合金具有潜在的实力。  相似文献   

19.
水热法制备锆钛酸铅纳米粉体   总被引:1,自引:0,他引:1  
以Pb(NO3)2、ZrOCl2.8H2O和Ti(OC4H9)4为前驱物,在温和水热条件下合成了制得了单一物相的压电陶瓷瓷锆钛酸铅纳米粉体。了前驱物配比、反应温度、反应时间和矿化剂浓度对合成粉体的影响。在Pb/(Zr+Ti)=1.7,Zr/Ti=0.52/0.48,NaOH的浓度为3mol/L,反应温度为200℃,反应时间为2小时的条件下,得到了较好晶形的单一相的PZT粉体。  相似文献   

20.
本文利用H2O2+2I-+2H+=I2+2H2O的氧化还原反应为指示反应,用化学动力学法〔1〕研究Ti3+离子与H2C2O4的配位反应,在所研究的浓度范围内,表明了Ti3+与C2O2-4作用生成1∶1的配合物,其配离子式为〔Ti(C2O4)〕+,K稳,〔Ti(C2O4)〕+=(712±001)×107。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号