MCM7001型N-沟道MOS随机存储器——为微型信息处理机存储器设计提供新的可能性

1.MCM7001超高速MOS随机存储器 a.主要特点 MCM7001是1024字×1位(容量1K单元)的随机存储器(RAM),图1给出MCM 存储器所要求的主要功耗仅当芯选信号(CS)为高电平时才需要。在这一点上即使大的存储器系统中,其功耗也不会比被选的几个存储器大,实际上所选的存储器数量总和字长相适应的。因此,在大的存储器系统中就不存7001的逻辑图。其最大取数时间只有55毫微秒,它比同样规摸的其它MOS或双极型存储器(包括ECL双极型存储器)都快。与其它类型存储器相比,MOS器件的低功耗以及高速度成为其突出优点。表1给出三种不同类型1K单元存储器每位的功耗,取数时间及其乘积(速度-功耗积)。     

4K单元n沟道MOS随机存储器及其应用

本文介绍MIL 公司(微系统国际有限公司)研制的4096单元n 沟道MF 7112型MOS随机存储器(ARM)和用这种组件组装成的256K 位组存储器。在设计这种组件和系统时,应注意的事项如下:(1)从设计到制造和使用时,存储器的半数以上的成本与组件、组装、测试、可靠性以及功耗有关。在力求降低成本的同时,需要组成能满足各种应用且灵活性大的存储器。从这种观点出发,首先采用数据输入,数据输出和地址在时间上分开,用共用总线传送的方式。存储元件具有能满足这种要求的功能时,存储器插件的引线端数减少,组装和连接器的成本下降。这     

一个高速16K位n沟道MOS随机存储器

本文介绍一个高速16K位动态MOS随机存储器(RAM)的方案。这个存储器采用了先进的n沟道硅栅MOS工艺(5μm 光刻技术)制成的面积为22×36μm~2的单管单元。设计的主要特点是采用一个具有高速度(读取时间为200ns)和低功耗(400ns 周期内为600mw)的读出线路图。全译码存储器制在5×7mm~2的芯片上,并装配在22引线陶瓷的双列直插式封装内。     

电荷泵随机存储器

用MOS管作为负载电阻的缺点是,要获得低的维持功耗,必须是一个很高的电阻,而这就要求器件面积很大。在动态存储器里通过取消负载电阻来避开这个问题,单元的状态依靠寄生的结点电容的瞬态作用暂时保留着,直到数据再生周期时再重新建立。用这种方法获得高单元密度是以降低操作速度和使电子线路复杂化作为代价的。如果采用电荷泵的方法就可以保留静态存储器简单和高速度性能潜力,并且硅片面积的利用可以与动态单元相比拟。同时维持功耗大大减小。     

计算机的随机存储器

随机存储器（Random＾ccessMemorr，RAM）也叫生存，俗称内存（Memory），其广意指计算机中的各种内存，而RAM只是其中的一种。RAM做为组件称为内存条，它的技术、性能及容量等随着CPU的更新而不断更新与提高，以适应更快更好的CPU运行的需要。RAM一般分为两类：动态RAM（DpoamicRAM，DRAM）及静态RAM（StstiCRAM，SRAM），由于SRAM的读写速度远决于DRAM，所以PC中SRAM大都作为高速经存（Cach）使用，DRAM则作为普通的内存和显示内存使用。RAM的特点是可以随时存取数据，但是一旦断电，保存在其中的数据就会全部…     

动态I~2L4K位随机存储器

1975年国际固态线路会议上,仙童公司发表了一个动态I~2L 93481型4K 位随机存储器。它将先进的集成电路工艺等平面隔离与好的集成注入逻辑(I~2L)的单元设计结合起来。其工作功耗为400mW;只需要一种电源+5v(一般MOS 存储器需要三种电源);取数时间为100ns(比通常MOS 存储器快一倍);读写周期为200ns;工作温度范围为0～70℃。93481采用标准16引线双列直插式封装。芯片尺寸仅112密耳×129密耳(2.84mm×3.28mm),比多数MOS 4K 存储器小得多。93481的价格也与4K MOS 存储器相当,因而可作为主存储器使用。     

半导体随机存储器测试仪

本文介绍了对MOS随机存储器几种常用的测试图案和测量方法,分析了下雨检验法的图案规律性,提出了用逻辑线路产生下雨检验标准码。详细地讲述了用硬件实现这些测试方法和复杂图案的具体线路。     

Intel2106随机存储器

带电荷泵的存储单元占面积较大是进一步发展的困难。但根据目前的工艺水平,芯片的存储容量还可以进一步提高。Intel公司已做出4096位/芯片的带电荷泵的Intel2106随机存储器(RAM),并在线路和工艺上做了改进,提高了性能和使用灵活性。首先提高了电荷泵振幅的下电平。在7001型存储器中,为了提高泵电流的效率,电荷泵振幅的下电平需要比(V_(BX)-2)伏还低(对N沟道而言)。这样,电荷泵的输入端就不好加保护器件。2106型的工艺中,在泵电容的栅下采用离子注入的办法注入一层P~ 杂质,以使电     

AMS7001随机存储器

AMS7001是一种新颖而使用方便的MOS随机存储器(RAM)。这种存储器采用MOS器件与电荷泵器件结合在一起建立和保持所存储的状态,所以使用这种存储元件时和静态的一样,不需要周期性再生。存储器内部含有几种与TTL电平相容的电路。地址缓冲寄存器、数据输入缓冲寄存器和读出放大器都是采用触发器电路,因而能高速操作。由于采用了几种省能器电路,限制了电路中的功耗。外部时钟信号中只有芯选信号(CS)需要MOS电平,而其它时钟输入全是TTL电平。     

转轮式随机存储器

为了满足商用数据处理系统的大容量随机仔储的要求,由八台转输式随机存储器和四个磁心寄存器组成的仔储设备,在1961年初已经和法西持(Facit)电子数据处理机联合使用。它安装在瑞典斯德哥尔摩市,并且正式投入运行。这种存储器的基本工作原理和一般磁带存储器相同,但是在结构上有一系列特点。     

简化扩页存储器的使用

本文介绍了ＰＣ机存储器结构和扩页存储器管理规范（ＥＭＳ），在此基础上运用面向对象的Ｃ＋＋语言提供了一个关于使用扩页存储器的类。该类将扩页存储器管理程序的常用功能封装起来，可使使用Ｃ／Ｃ＋＋语言的一般编程人员不必了解有关细节即可方便地使用扩页存储器。     

非挥发性随机存储器NOVRAM

本文详细介绍了非挥发性随机存储器的种类、构造、工作原理,还就不同种类的NOVRAM举例说明了接口的设计方法。在正常情况下,这种存储器既能读又能写。因此它将获得广泛的应用。     

MOS随机存储器的诊断测试

引言诊断测试是在制作新设计方案时进行的一种测试。一个4096单元随机存储器芯片上的MOS管数超过13,000个,而只有22条引线的封装,然而用诊断测试就能实现对这样的芯片存取数并检验这些器件的功能是否适当。更复杂的情况是一个新的设计常常会出现在通常的电压范围内不能工作,怎样来确定这究竟是芯片上的电路问题还是器件的问题呢?这就需要进行诊断测试。为进行诊断测试,必须有正确的测试设备和适当的用法以及测试顺序。测试设备包括:存储器检验器、出错显示设备、显微探针台。     

MK 4096 P MOS随机存储器

MK4096P是容量4096×1单元N沟道金属栅MOS随机存储器。设计的主要目的是为了在一个芯片上能实现使用方便和经济的优点。为达到使用方便,一般要求的地址封锁、电平转换、读出放大器和输出封锁都必须从外部去掉。高电平的多时钟要为低电平,低输入电容的单时钟脉冲所代替。为达到系统经济,则要求芯片本身经济以及芯片要求的外围电路尽量少。 MK4096P的存储单元用单管方案。每个存储单元有一个管子和一个电容。这种单元的优点(相对于三管单元)是单元占用面积小,可以组成紧凑的几何图形。其缺点有二:一是每个单元需要一个大的存储电容;二是甚至对     

相变随机存储器 闪存的接班者

作为世界上最轻巧、用途最广泛的非易失性存储介质（NVRAM）,闪存早已和我们的生活息息相关,无论是手机、数码相机、数码摄像机,还是电脑、闪存盘以及大型服务器,都需要这些小小的芯片。在飞速普及的闪存面前,软盘、MO盘等介质已经被彻底淘汰,甚至传统的硬盘（磁存储）和光盘（光存储）的领地也被闪存逐渐占领。很多乐观的分析人士认为,不久的将来,以闪存为代表的固态存储技术将会把硬盘和光盘请进博物馆。     

动态存储器的内联结构

在动态存储器的设计当中,增加内联结构的种类和数量,可以使存取时间加快。本文提出了构造动态存储器内联结构的一种通用方法,并给出了内联结构的设置和实际上允许的存取时间之间的定量关系。