2010 Volkswagen Golf Plus

第二代Golf Plus是由Volkswagen第六代Golf衍生而来,新车保留了Golf Plus原本备受好评的实用机能．也融入了六代Golf车系动感的设计元素,同时也展现了Volkswagen品牌最新的设计元素。从图中可以看出,新款Golf Plus的车头造型与Golf VI相似．     

微波单片集成电路T／R组件

简要述评用于有源阵列雷达微波单片集成电路Ｔ／Ｒ组件近两年来的进展，介绍由这些组件构成的反火炮雷达天线，并展望组件在军民两方面的应用前景。     

敏感头T/R组件

敏感头T／R组件利用一套发射机和四套接收机（简称1×4结构）在靶标上作面阵配置，通过对运动物体产生的多普勒频率测试处理，可及时获得运动物体相对靶标系统的空中轨迹。从而得到脱靶参数（距离和方向）即脱靶量的矢量位置。已研制成功的这套T／R组件是矢量脱靶参数测试系统中的核心部件──遥测敏感头。组件采用调频连续波多普勒雷达体制。工作在L波段的调频发射机输出1W功率。接收机采用相干接收、选颁中放、同步检波、有源滤波等电路，灵敏度为-120dBm。全套组件（1×4结构）重量3kg，功耗12W，探测距离50m，模拟试验已获成功。     

Ultra-Compact High-Linearity High-Power Fully Integrated DC–20-GHz 0.18-μm CMOS T/R Switch

A fully integrated ultra-broadband transmit/receive (T/R) switch has been developed using nMOS transistors with a deep n-well in a standard 0.18-mum CMOS process, and demonstrates unprecedented insertion loss, isolation, power handling, and linearity. The new CMOS T/R switch exploits patterned-ground-shield on-chip inductors together with MOSFET's parasitic capacitances to synthesize artificial transmission lines, which result in low insertion loss over an extremely wide bandwidth. Negative bias to the bulk or positive bias to the drain of the MOSFET devices with floating bulk is used to reduce effects of the parasitic diodes, leading to enhanced linearity and power handling for the switch. Within dc-10, 10-18, and 18-20 GHz, the developed CMOS T/R switch exhibits insertion loss of less than 0.7, 1.0, and 2.5 dB and isolation between 32-60, 25-32, and 25-27 dB, respectively. The measured 1-dB power compression point and input third-order intercept point reach as high as 26.2 and 41 dBm, respectively. The new CMOS T/R switch has a die area of only 230 mumtimes250 mum. The achieved ultra-broadband performance and high power-handling capability, approaching those achieved in GaAs-based T/R switches, along with the full-integration ability confirm the usefulness of switches in CMOS technology, and demonstrate their great potential for many broadband CMOS radar and communication applications     

多芯片MMICC波段T／R组件

多芯片ＭＭＩＣＣ波段Ｔ／Ｒ组件钱万成（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｍｕｌｔｉ－ＭＭＩＣＣ－ＢａｎｄＴ／ＲＭｏｄｕｌｅｓ￥ＱｉａｎＷａｎｃｈｅｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，２１００１６）研制的Ｃ波段固态...     

X波段大功率T/R组件

采用公共支路、发射支路、接收支路和电源调制及控制电路,设计制作了一种X波段大功率T/R组件。在组件中,利用低温共烧陶瓷(LTCC)基板实现了多层互连,采用Wilkinson功率合成器实现了大功率输出。在组件布局上,充分考虑腔体效应,合理安排各电路单元。在制作工艺方面,采用单元装配的方式,合理设置温度梯度。该组件在X波段9～10 GHz带宽范围内,接收支路噪声系数小于3.1 dB,接收增益为(25.7±0.2)dB,发射支路的功率增益大于30 dB,输出脉冲功率大于15W,移相均方根误差小于2°,衰减幅度均方根误差小于0.25 dB。     

K波段收发集成多功能芯片

K波段收发集成多功能芯片由发射、接收上下2支路组成,发射信号由SPDT开关、中功率放大器和功率SPDT至天线,天线接收信号由功率SPDT开关、低噪声放大器和SPDT开关至后端再处理,开关由电源直接控制收发转换.     

相控阵用收发(T/R)组件

本文简要评逆相控阵用收发(T/R)组件的特点及发展概况,介绍了几种收发组件的电路,即混合微波集成电路(HMIC)、微型混合微波集成电路(MHMIC)以及单片微波集成电路(MMIC),并讨论了收发组件的制造工艺、电路组成、封装测试和成品价格。     

Ku波段GaN T/R一体多功能MMIC的研制

<正>首次研制了国内第一块Ku波段GaN T/R一体多功能全单片芯片,该芯片集成了T/R的接收通道和发射通道。接收通道含功率输出开关、前级低噪声放大器、5位数字衰减器、后级低噪声放大器、小信号开关和5位数字移相器;发射通道含5位数字移相器、小信号开关、驱动放大器、功率放大器和功率开关,如图1所示。在16~17 GHz工作频率内测得接收通道增益≥20±0.5 dB,噪声系数≤3.5 dB;发射通道增益约44 dB,饱和功率41 dBm(脉冲宽度100μs,10%占空比),功率附加效率约30%。在芯     

小型化收发组件结构设计

论述了一种小型化收发组件结构设计方案,在电性能、散热、环境适应性等方面进行了结构设计和分析。通过ANSYS仿真平台对组件进行了热仿真与随机力学仿真,并给出了组件在正常工作时的实测温度及随机振动试验结果,并对仿真结果进行了验证,提高了收发组件的小型化一次设计成功率。     

T/R组件自动测试技术研究

系统论述了T／R组件自动测试系统的各项组成及原理，包括脉冲矢量测试系统原理及连续波矢量网络分析仪实现高功率脉冲测试的原理。介绍了测试装置、程序流程图和关犍技术。     

T/R组件微组装工艺技术

说明了适用于发射/接收(T/R)组件的微组装工艺流程(设备,组装设计),并对关键的工艺工序做了测试,研究了影响组装效果的主要因素。     

Ku波段收发组件研制

介绍了Ku波段收发组件的设计与制作,整个组件由低相噪振荡器、滤波器、功分器、发射开关、发射推动级、功率放大器、低噪声放大器、接收开关、混频器和中频放大器等部分组成。文章分别对一些主要部件进行了简要的理论分析,并给出微波电路的结构形式,最后给出样品的测试结果。     

毫米波高性能收发多功能芯片

利用0.15μm GaAs PHEMT工艺,研制了一款集成功率放大器和低噪声放大器的毫米波多功能单片。发射支路功率放大器采用三级放大拓扑结构,在32~36GHz内,在6V工作电压下,线性增益23dB,增益平坦度优于±0.75dB,输入/输出驻波小于1.3,饱和输出功率30dBm,功率附加效率约30%。接收支路低噪声放大器采用三级放大拓扑结构,在5V、30mA工作电压下,在32~37GHz内,线性增益23.5dB,增益平坦度优于±1dB,噪声系数小于2.5dB,1dB压缩输出功率大于6dBm。该芯片面积为3.67mm×3.13mm。     

Ku波段收发组件设计分析

该Ku波段收发组件包括发射双通道上变频和接收下变频两部分内容。双通道上变频模块包括本振、上变频器、滤波器、放大器、耦合器、隔离器、开关等。双通道上变频模块的发射通路具有耦合输出,可以接到接收通道耦合输入,用来形成发射通道与接收通道的自闭环,完成系统自检测试功能。下变频通道前端主要由低噪声放大器、耦合器、混频器以及中频滤波和放大器组成。     

T/R组件微组装中的压焊技术

简介了Ｔ／Ｒ 组件及压焊特点,列举了Ｔ／Ｒ 组件微组装中的常用几种压焊方法和应用范围,对梁式引线的压焊、各类基板的可靠压焊等进行了试验研究,最后讨论了压焊技术（ 设备、Ｔ／Ｒ组装设计等） 的发展趋势。     

CAV A8R & A8T

CAV推出了私人影院的终极解决方案A8R解码前级和A8T纯后级。A8R支持目前最先进的HD音频解码,包括Dolby TrueHD、Dolby Digital Plus、DTS Master、DTS HI RES等,SD音频解码部分则支持Dolby Digital （EX）、DTS、DTS ES(D6.1、M6.1)、DTS96/24、可到192kHz 7.1CH的PCM等。A8T纯后级配有特大的800W环型电源变压器,输出功率强大、噪声低,配有平衡（XLR)和非平衡（RCA)输入接口,频率响应为20Hz～100kHz(-3dB),输入灵敏度为680mV,最大不失真输出功率(THD=0.5%,1kHz单声道驱动)主声道(FL、FR)为180W/8Ω×2,副通道(FC1、FC2、SL、SR、SBL、SBR)为50W/8Ω×6。A8R解码前级搭配A8T纯后级使用,即可组成一套功能卓越、声音品质非常出众的Hi-End级前后级分体式影院系统。     

MMIC在T/R组件中的应用

采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件.组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)等部分构成.基于GaAs的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于GaN的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加效率.组件接收通道采用基于GaAs的LNA芯片,发射通道采用基于GaN的PA芯片,设计了针对发射通道驱动放大器与功率放大器的协同脉冲调制电路.研制的T/R组件在8～12 GHz的频带内:接收通道在工作电压+5 V连续波的条件下,小信号增益大于20 dB,噪声小于3 dB;发射通道在周期1 ms,脉宽10％的调制脉冲条件下,脉冲发射功率大于46 dBm.T/R组件外形尺寸为70 mm×46 mm×15 mm.     

收发组件测试技术研究

针对有源相控阵雷达系统研制生产中大量的收发组件测试工作,提出了一种改进的收发组件的测试方法.针对不同的应用需求,分别介绍了典型的收发组件测试系统及改进型的测试系统.在改进型测试系统中,采用了一种基于单片杌的核心控制板对收发组件的电源和工作时序进行保护.并提出了一种基于核心控制板的收发组件测试系统组建方案,该测试系统方案自动化程度高、通用性强并对测试过程具有完善保护.该方案组建的测试系统,具有测试效率高、人工操作少及组建成本低等优点.     

T/R组件的电磁兼容特性分析

介绍了相控阵雷达T／R组件在设计和使用过程中遇到的一些电磁兼容问题,从原理上进行了初步分析：一是T／R组件腔体内的空间耦合影响,包括各功能模块电路之间的相互影响,如发射通道和接收通道之间、微波电路和波控电路之间,通道之间的相互耦合;二是收发转换时的时序影响;三是发射脉冲时的前后沿抖动影响;并提出了相应的解决方法。